カテゴリ

制御機器/はんだ・静電気対策用品
- 制御機器
  - 電子部品(オンボード)
    - 受動部品
      - 受動部品その他関連用品

絞り込み

onsemi
TE Connectivity Japan(旧:TYCOELECTRONICS(タイコエレクトロニクス))(4,949)
Panasonic(パナソニック)(1,493)
VISHAY(478)
RS PRO(417)
KYOCERA AVX(402)
BOURNS(340)
ABRACON(335)
MICROCHIP(332)
SOURIAU(313)
HARWIN(307)
BULGIN(294)
STMicro(293)
JST(日本圧着端子製造)(289)
ARCOL(OHMITE)(252)
BINDER(ビンダー)(241)
シュナイダーエレクトリック(174)
SAMTEC(172)
APEM(170)
ブランドをもっと見る

RoHS10物質対応(717)

価格で絞り込む

当日・翌日以内・翌々日以内・3日以内・4日以内

onsemiの受動部品その他関連用品

onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 200 mA， 2N3904BU
onsemi
￥1,598税込￥1,758
1箱(50個)
当日出荷
仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 Vピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)40最大パワー消費(mW)625最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)60トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)200トランジスタタイプNPN最大動作周波数(MHz)100
onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 500 mA スルーホールパッケージTO-92 3 ピン
onsemi
￥479税込￥527
1袋(10個)
当日出荷
仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 500 mA●最大ドレイン-ソース間電圧： 60 V●パッケージタイプ： TO-92●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 5 Ω●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 3V●最低ゲートしきい値電圧： 0.8V●最大パワー消費： 830 mW●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は●Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは●オンステート抵抗を最小限に抑え●頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi TVSダイオード，双方向，スルーホール， 21.2V， P6KE15CA
onsemi
￥359税込￥395
1箱(5個)
当日出荷
仕様ダイオード構成：シングル寸法(mm)7.62×3.56×3.56ピン数(ピン)2特性TVSダイオード双方向軸600 W、P6KEシリーズ、Fairchild SemiconductorパッケージDO-15実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大逆スタンドオフ電圧(V)12.8最大クランピング電圧(V)21.2最小ブレークダウン電圧(V)14.3ピークパルスパワー消費(W)600最大ピークパルス電流(A)28最大逆漏れ電流(μA)5最小動作温度(℃)-65
onsemi コンパレータ， 5 → 28 V，オープンコレクタ出力表面実装， 14-Pin SOIC
onsemi
￥219税込￥241
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様●コンパレータタイプ：汎用●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ： SOIC●電源タイプ： ±2電源，単一電源●出力タイプ：オープンコレクタ●回路数： 4●標準応答時間： 1.3μs●ピン数： 14●標準シングル供給電圧： 5 → 28 V●寸法： 8.75 x 4 x 1.5mm●長さ： 8.75mm●幅： 4mm●高さ： 1.5mm●標準デュアル供給電圧： ±12 V， ±15 V， ±3 V， ±5 V， ±9 V●コンパレータ●ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 昇降圧コンバータバックブーストスイッチング 1.25 → 40 V， 8-Pin， MC34063ADG
onsemi
￥5,798税込￥6,378
1セット(98個)
7日以内出荷
仕様●出力電流 Max ： 1.5A●出力電圧： 1.25 → 40 V●ラインレギュレーション： 5 mV●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ： SOIC●ピン数： 8●出力タイプ：可変●最大スイッチング周波数： 100 kHz●スイッチングレギュレータ：あり●寸法： 5 x 4 x 1.5mm●入力電圧 Min ： 3 Vmm●自動車規格： AEC-Q100mm●MC34063A バックブースト反転スイッチングレギュレータ. ON Semiconductor MC34063A シリーズのバックブースト反転スイッチングレギュレータは●ステップダウン●ステップアップ●電圧反転の用途向けに設計されています。これらのモノリシック IC は● DC-DC コンバータに必要な幅広い機能を備えています。この機能には次のものがあり - 内部温度補償リファレンス - コンパレータ - アクティブ電流制限回路付きの制御デューティサイクル発振器 - ドライバ - 高電流出力スイッチ MC34063A IC は●ファンコントローラや DC-DC 電源に適しています。0.3 → +40 V dc の広い入力電圧により● MC34063A は幅広い用途に適しています。. 温度範囲： 0 ～ +70 ° C 低待機電流入力電圧： 3-40 V 電流制限を調整可能出力電圧を調整可能周波数動作： 100kHz まで精度 : 精度 2% リファレンス. 種類: ； ( 516-5095 ) MC34063AP1G-PDIP-8 ( ； 125-0038 125-0038 ) MC34063AP1G-PDIP-8 チューブ 50 ( ； 103-5076 103-5076 ) MC34063ADR2G - SOIC-8 リール 2500 ； ( 689-9948 ) MC34063ADR2G-SOIC-8 ( ； 184-4265 ) 184-4265 ) MC34063ADG-SOIC-8 チューブ 98RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi NPN ダーリントントランジスタ， 60 V， 8 A， 3-Pin TO-220
onsemi
￥919税込￥1,011
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大連続コレクタ電流： 8 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 60 V●最大エミッタ-ベース間電圧： 5 V●パッケージタイプ： TO-220●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●トランジスタ構成：シングル●1チップ当たりのエレメント数： 1●最小DC電流ゲイン： 1000●最大コレクタ-ベース間電圧： 60 V●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧： 4 V●最大コレクタカットオフ電流： 0.5mA●動作温度 Max ： +150 ℃mm●先頭にS又はNSVの付いたメーカー型番は●AEC-Q101規格に準拠した自動車用製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 回復整流器整流ダイオード， 3A， 400V スルーホール， 2-Pin DO-41 シリコンジャンクション 1V
onsemi
￥2,998税込￥3,298
1袋(100個)
翌々日出荷
仕様●実装タイプ：スルーホール●パッケージタイプ： DO-41●最大連続順方向電流： 3A●ピーク逆繰返し電圧： 400V●ダイオード構成：シングル●整流タイプ：回復整流器●ダイオードタイプ：整流器●ピン数： 2●最大順方向降下電圧： 1V●1チップ当たりのエレメント数： 1●ダイオードテクノロジー：シリコンジャンクション●直径： 5.3mm●ピーク非繰返し順方向サージ電流： 200A●メーカー品番の先頭はNSVまたはSURの製品は●AEC-Q101自動車規格に適合しています。. ON Semiconductor 整流ダイオード 2 → 3 ARoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ツェナーダイオード 15V スルーホール 1 W
onsemi
￥399税込￥439
1箱(20個)
7日以内出荷
仕様ツェナーダイオード1 W、BZX85Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ON Semiconductor BZX85 シリーズは、優れた動作特性と厳密な制限を備えた 1 W ゼネアダイオードシリーズです。酸化シリコン不動態化ジャンクションの優れた機能を反映しています。これらのダイオードは、シール構造のガラスパッケージを使用したアキシャルリード型で、一般的なあらゆる環境条件で保護を提供します。. 特長. - ツェナー電圧範囲： 3.3 → 85 V - クラス 3 の ESD 定格寸法(mm)5.21×2.72×2.72ピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-65RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費(W)1テスト電流(mA)15最大逆漏れ電流(nA)500ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)15
バリエーション一覧へ(2)
onsemi 小信号整流ダイオード， 200mA， 150V スルーホール， 2-Pin DO-35
onsemi
￥769税込￥846
1箱(50個)
翌々日出荷
直径(Φmm)1.91ピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(構成)シングル整流方式小信号RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1ピーク逆繰返し電圧(V)150ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)4ピーク逆回復時間(μs)3最大連続順方向電流(mA)200
onsemi トランジスタ， PNP，スルーホール， -800 mA， BC32725TA
onsemi
￥329税込￥362
1箱(10個)
7日以内出荷
仕様小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-45最大エミッタ-ベース間電圧(V)5トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)-800トランジスタタイプPNP最大動作周波数(MHz)100最大パワー消費625 mW
onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 100 mA， BC547BTA
onsemi
￥699税込￥769
1箱(25個)
欠品中
仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 Vピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)45最大パワー消費(mW)500最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)50トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)100トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン200， 420最大動作周波数(MHz)300
onsemi 電圧レギュレータリニア電圧 5 V， 3-Pin， MC7805CTG
onsemi
￥2,698税込￥2,968
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●出力電流 Max ： 1A●出力電圧： 5 V●ラインレギュレーション： 20 mV●精度： ±4%●実装タイプ：スルーホール●パッケージタイプ： TO-220mA●ピン数： 3●出力タイプ：固定●寸法： 10.28 x 4.82 x 30.02mm●動作温度 Min ： 0 ℃mm●長さ： 10.28mm●ON Semiconductor 5V MC7805リニア電圧レギュレータ. ON Semiconductor優れた5Vリニア電圧レギュレータは●MC7805ファミリに属しています。これらの製品は●ローカル●オンカード調整など●幅広い用途向けの固定電圧レギュレータとして設計されたモノリシック統合回路です。正電圧7805電圧レギュレータは外付け部品を必要とせず●内部の熱過負荷保護と電流制限●さらに安全領域補償を内蔵しています。RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 電圧レギュレータリニア電圧 5 V， 3-Pin， MC7805ABTG
onsemi
￥549税込￥604
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様●レギュレータタイプ：リニア電圧A●出力電圧： 5 V●ラインレギュレーション： 10 mV●ロードレギュレーション： 25 mV%●極性：正●パッケージタイプ： TO-220mA●ピン数： 3●出力タイプ：固定●寸法： 10.28 x 4.82 x 30.02mm●動作温度 Min ： -40 ℃mm●長さ： 10.28mm●ON Semiconductor 5V MC7805リニア電圧レギュレータ. ON Semiconductor優れた5Vリニア電圧レギュレータは●MC7805ファミリに属しています。これらの製品は●ローカル●オンカード調整など●幅広い用途向けの固定電圧レギュレータとして設計されたモノリシック統合回路です。正電圧7805電圧レギュレータは外付け部品を必要とせず●内部の熱過負荷保護と電流制限●さらに安全領域補償を内蔵しています。RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi TVSダイオード，単方向，表面実装， 25V， SD12T1G
onsemi
￥1,998税込￥2,198
1袋(50個)
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ：単方向●最大クランピング電圧： 25V●最小ブレークダウン電圧： 13.3V●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ： SOD-323●最大逆スタンドオフ電圧： 12V●ピン数： 2●ピークパルスパワー消費： 350W●最大ピークパルス電流： 15A●ESD保護：あり●1チップ当たりのエレメント数： 1●動作温度 Min ： -55 ℃●動作温度 Max ： +150 ℃mm●長さ： 1.8mm●350 W過渡電圧サプレッサダイオード●ESD保護用RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi オペアンプ，表面実装， 4回路，デュアル電源， MC33079DR2G
onsemi
￥399税込￥439
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ： SOIC●電源タイプ：デュアル電源●回路数： 4●ピン数： 14●標準ゲイン帯域幅積： 16MHz●標準デュアル供給電圧： ±5 → ±18V●標準スルーレート： 7V/μs●最大動作周波数： 100 kHz●動作温度 Max ： +85 ℃●レール to レール： No●標準入力電圧ノイズ密度： 4.5nV/√Hz●MC33078●MC33079●低ノイズデュアル / クワッドオペアンプ●ON Semiconductor. MC33078/9シリーズは●モノリシックオペアンプのファミリです。バイポーラテクノロジーを採用し●オーディオ及びデータ信号処理用途に適しています。高周波数PNP入力トランジスタを使用して●低入力電圧ノイズ●高ゲイン帯域幅積●高スルーレートのアンプを実現しています。 MC33078/9 ファミリは●デュアルバージョンとクワッドバージョンがあり●プラスチックDIP又はSOICパッケージに収められています(サフィックスP及びDに対応)。. デュアル電源動作: ±5 → ±18 V 低電圧ノイズ: 4.5 nV/Hz 低入力オフセット電圧: 0.15 mV 低入力オフセット電圧温度係数: 2 μV/℃ 低総調波歪み: 0.002 % 高ゲイン帯域幅積: 16 MHz 高スルーレート: 7 V/μs 高オープンループACゲイン: 800 @ 20 kHz 優れた周波数安定性大出力電圧スイング: +14.1 V / -14.6 V 入力にESDダイオード付きRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 2.4 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン
onsemi
￥3,398税込￥3,738
1袋(100個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 2.4 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 30 V●パッケージタイプ： SOT-23●実装タイプ：表面実装●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 110 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 1.4V●最低ゲートしきい値電圧： 0.6V●最大パワー消費： 480 mW●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： ±12 V●動作温度 Max ： +150 ℃mm●高さ： 1.01mm●NチャンネルパワーMOSFET●30 V●ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi PNP ダーリントントランジスタ， 120 V， 50 A， 2-Pin TO-204
onsemi
￥1,998税込￥2,198
1個
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ： PNP●最大連続コレクタ電流： 50 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 120 V●最大エミッタ-ベース間電圧： 5 V●パッケージタイプ： TO-204●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 2●トランジスタ構成：シングル●1チップ当たりのエレメント数： 1●最小DC電流ゲイン： 400●最大ベース-エミッタ間飽和電圧： 4.5 V●最大コレクタ-ベース間電圧： 120 V●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧： 3.5 V●最大パワー消費： 300 Wmm●先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPダーリントントランジスタ●ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 整流ダイオード，コモンカソード， 40A， 60V スルーホール， 3-Pin TO-220 ショットキーバリア 810mV
onsemi
￥1,998税込￥2,198
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●実装タイプ：スルーホール●パッケージタイプ： TO-220●最大連続順方向電流： 40A●ピーク逆繰返し電圧： 60V●ダイオード構成：コモンカソード●整流タイプ：ショットキー整流器●ダイオードタイプ：ショットキー●ピン数： 3●最大順方向降下電圧： 810mV●1チップ当たりのエレメント数： 2●ダイオードテクノロジー：ショットキーバリア●ピーク非繰返し順方向サージ電流： 240A●メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計ストレス保護ガードエポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 整流ダイオード， 10A， 60V スルーホール， 2-Pin TO-220AC ショットキーバリア
onsemi
￥559税込￥615
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●実装タイプ：スルーホール●パッケージタイプ： TO-220AC●最大連続順方向電流： 10A●ピーク逆繰返し電圧： 60V●ダイオード構成：シングル●整流タイプ：ショットキー整流器●ダイオードタイプ：ショットキー●ピン数： 2●1チップ当たりのエレメント数： 1●ダイオードテクノロジー：ショットキーバリア●ピーク非繰返し順方向サージ電流： 150A●メーカー品番がNSV-又はSBR-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ショットキーバリアダイオード、10 A → 25 A、ON Semiconductor
onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 1.9 A 表面実装パッケージSOT-23 6 ピン
onsemi
￥819税込￥901
1箱(10個)
7日以内出荷
仕様Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 A. PowerTrench(R) MOSFETは、最適化されたスイッチングを行いシステム効率と電力密度を向上させます。これらの製品は、低ゲート電荷(Qg)、低逆回復電荷(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードをを組み合わせることにより、AC/DC電源における同期整流用の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、電荷バランスを提供する遮蔽ゲート構造をシリーズPowerTrenchピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数2チャンネルタイプPチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)1.9最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)270最小ゲートしきい値電圧(V)0.4最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、+8トランジスタ構成絶縁型最大パワー消費960 mW
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ，スルーホール， FDA38N30
onsemi
￥3,698税込￥4,068
1箱(5個)
7日以内出荷
仕様UniFETTM MOSFET は、プレーナストライプと DMOS テクノロジーをベースにした高電圧 MOSFET ファミリです。この MOSFET は、オン状態の抵抗を低減し、スイッチング性能及びアバランシェエネルギー強度を高めるように調整されています。このデバイスファミリは、力率補正( PFC )、フラットパネルディスプレイ( FPD ) TV 電源、 ATX 、電子ランプバラストなどのスイッチング電源コンバータ用途に適しています。RDS ( ON )19 A 低ゲート電荷量(標準) 60 nピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応パッケージTO-3P実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費(W)312最大動作温度(℃)150
onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 12 A， FJP13009H2TU
onsemi
￥2,298税込￥2,528
1箱(5個)
7日以内出荷
仕様Fairchild Semiconductor 高電圧 NPN トランジスタ寸法(mm)9.9×4.5×9.2ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応パッケージTO-220実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)400最大パワー消費(W)100最大エミッタ-ベース間電圧(V)9最大コレクタ-ベース間電圧(V)700トランジスタ構成シングルトランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン8， 15
onsemi 整流用ブリッジダイオード単相 8A， 600V， 22.3 x 18.8 x 3.56mm， GBU8J
onsemi
￥3,198税込￥3,518
1箱(5個)
7日以内出荷
仕様UL、E258596. ブリッジ整流器シングルインラインパッケージ基板実装、GBUシリーズ. GBUシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化単相ブリッジ整流器耐高サージ電流基板(PCB)取り付け用ワイヤリード構造長さ(mm)22.3高さ(mm)3.56ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングルパッケージGBU 4L実装タイプスルーホールピーク平均順方向電流(A)8ピーク逆繰返し電圧(V)600ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)200ピーク逆電流(μA)5ピーク順方向電圧(V)1最大動作温度(℃)150最小動作温度(℃)-55
onsemi ファストリカバリー整流ダイオード， 1A， 400V スルーホール， 2-Pin DO-41 シリコンジャンクション 1V
onsemi
￥1,998税込￥2,198
1箱(50個)
7日以内出荷
仕様ON Semi UF4001-UF4007高速整流器. ON Semiconductor UF4001～UF4007 シリーズは、DO-41 (DO-240AL)プラスチックパッケージに収められた超高速整流器です。これらの1 Aガラス不動態化ジャンクション整流器は、さまざまな用途に使用できる、信頼性の高い汎用コンポーネントです。. 特長と利点: 低順方向電圧降下耐高サージ電流高電流に対応ガラス不動態化ジャンクション整流器とはこれらのデバイスは、ダイオードの周りにガラス不動態化層があります。ガラス不直径(Φmm)2.72ピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式ファストリカバリーRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1ピーク逆繰返し電圧(V)400ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)30最大連続順方向電流(A)1ピーク逆回復時間(ns)50
バリエーション一覧へ(2)
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ， NPN，スルーホール， KSC2383OTA
onsemi
￥1,598税込￥1,758
1箱(25個)
7日以内出荷
寸法(mm)5.1×4.1×8.2ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)160最大パワー消費(mW)900最大エミッタ-ベース間電圧(V)6トランジスタ構成シングルトランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン100， 160
onsemi ツェナーダイオード 7.5V スルーホール 1 W
onsemi
￥919税込￥1,011
1箱(100個)
7日以内出荷
仕様ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor寸法2.72 (Dia.) x 5.2mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-65RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費(W)1テスト電流(mA)34最大逆漏れ電流(μA)10ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)4
バリエーション一覧へ(4)
onsemi ツェナーダイオード 4.7V スルーホール 1 W
onsemi
￥739税込￥813
1箱(100個)
7日以内出荷
仕様ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor寸法2.72 (Dia.) x 5.2mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-65RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費(W)1テスト電流(mA)53最大逆漏れ電流(μA)10ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)8
onsemi スイッチングダイオード表面実装， 300mA， 75V，シングル，エレメント数 1 SOD-323， 2-Pin 1V
onsemi
￥1,098税込￥1,208
1箱(100個)
翌々日出荷から7日以内出荷
仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor長さ(mm)1.8幅(mm)1.35高さ(mm)1寸法1.8 x 1.35 x 1mmダイオード(テクノロジー)シリコンジャンクション動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1最大順方向電流(mA)300最大ダイオードキャパシタンス(pF)4最大逆電圧(V)75
バリエーション一覧へ(2)
onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 1 A， PN2222ABU
onsemi
￥249税込￥274
1箱(10個)
7日以内出荷
仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 Vピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)40最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)75トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(A)1トランジスタタイプNPN最大動作周波数(MHz)300最大パワー消費625 mW
onsemi 反射型光センサ 4-Pin ミニチュアスルーホール実装
onsemi
￥989税込￥1,088
1箱(10個)
7日以内出荷
仕様ON Semiconductor ミニチュア反射物体. ON Semiconductor QRE1113 は、ミニチュアスルーホールパッケージ形式の反射物体センサです。この小型 4 ピンパッケージ；は、わずか 3.6 x 2.9 x 1.7 mm で、ガルウィング形式( 761-3984 )も用意されています。センサはダイオードを使用して信号を発信し、フォトトランジスタはこの信号を検出して所定の範囲内の物体を検出します。. フォトトランジスタ出力接触面検出なし 4 ピン構成ミニチュアスルーホールパ長さ(mm)3.6幅(mm)2.9寸法(mm)3.6×2.9×1.7高さ(mm)1.7チャンネル数1ピン数(ピン)4動作温度(℃)-40～+85、レンジ：-40 → +85RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール実装標準上昇時間20μs標準降下時間20μs出力デバイスフォトトランジスタ
onsemi N， Pチャンネル MOSFET60 V 340 mA， 510 mA 表面実装パッケージSOT-23 6 ピン
onsemi
￥659税込￥725
1箱(10個)
7日以内出荷
仕様強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。ピン数(ピン)6動作温度(℃)-55 (Min)RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数2チャンネルタイプN， Pチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(mA)340510最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)410最小ゲートしきい値電圧(V)1最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成絶縁型最大パワー消費960 mW
onsemi スイッチングダイオード表面実装，シングル，エレメント数 1 DO-214AC (SMA)， 2-Pin 1.1V
onsemi
￥1,398税込￥1,538
1箱(50個)
7日以内出荷
仕様Fairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 A長さ(mm)4.75幅(mm)2.95寸法(mm)4.75×2.95×2.2高さ(mm)2.2ダイオード(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-55 、(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1.1
onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 70 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピン
onsemi
￥559税込￥615
1個
7日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：70 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：120 nC @ 20 Vピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。パッケージTO-220AB実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(W)150チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)14最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-55
onsemi 整流ダイオード， 3A， 60V 表面実装， 2-Pin DO-214AB (SMC) ショットキーバリア 750mV
onsemi
￥1,698税込￥1,868
1箱(25個)
7日以内出荷
仕様ショットキーバリア整流ダイオード、シングル、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)ショットキー、(テクノロジー)ショットキーバリア、(構成)シングル整流方式ショットキー整流器RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(mV)750ピーク逆繰返し電圧(V)60ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)100最大連続順方向電流(A)3
onsemi ツェナーダイオード 5.1V 表面実装 200 mW
onsemi
￥2,698税込￥2,968
1セット(200個)
7日以内出荷
仕様ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F寸法1.3 x 1.7 x 1mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装テスト電流(mA)5最大逆漏れ電流(μA)1.8最大パワー消費(mW)200ツェナー電圧許容性(%)2最大ツェナーインピーダンス(Ω)56
onsemi ツェナーダイオード 18V スルーホール 1 W
onsemi
￥859税込￥945
1箱(100個)
翌々日出荷
仕様ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor寸法2.72 (Dia.) x 5.2mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-65RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費(W)1テスト電流(mA)14最大逆漏れ電流(μA)5ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)20
バリエーション一覧へ(2)
onsemi 整流用ブリッジダイオード単相 1.5A， 600V， 8.51 x 6.5 x 2.6mm， DF06S
onsemi
￥859税込￥945
1箱(10個)
7日以内出荷
仕様ULファイルE111753及びE326243. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化チップジャンクション低DC逆電流寸法(mm)8.51×6.5×2.6高さ(mm)2.6ピン数(ピン)4動作温度(℃)-55～+150RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングル実装タイプ表面実装ピーク逆繰返し電圧(V)600ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)50ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1.1ブリッジタイプ単相
onsemi ツェナーダイオード 5.6V 表面実装 200 mW
onsemi
￥739税込￥813
1箱(50個)
7日以内出荷
寸法(mm)1.7×1.3×1ピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-65RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1テスト電流(mA)5最大パワー消費(mW)200最大逆漏れ電流(nA)900ツェナータイプ電圧レギュレータツェナー電圧許容性(%)±5最大ツェナーインピーダンス(Ω)376
onsemi フォトカプラ，スルーホール実装チャンネル数：1，ダーリントン出力， 4N33M
onsemi
￥569税込￥626
1箱(5個)
7日以内出荷
仕様オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductorチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応パッケージPDIP実装タイプスルーホール実装標準上昇時間5μs標準降下時間100μs
onsemi インバータインバータシュミットトリガ 74
onsemi
￥379税込￥417
1箱(10個)
7日以内出荷
仕様●74HCTファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック動作電圧: 4.5 → 5.5 V 互換性: 入力TTL、出力CMOS、入力タイプ：シュミットトリガ●シュミットトリガ入力：あり●論理回路：HCT長さ(mm)8.75寸法(mm)8.75×4×1.5高さ(mm)1.5タイプロジック：インバータ出力電流(mA)低レベル：(Max)4.8、高レベル：(Max)-4.8ピン数(ピン)14RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数6最大伝播遅延時間@最大CL20 ns @ 5 V