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RFアンプ、Infineon. Infineon のRF低ノイズアンプ(LNA)製品は、MMIC、GPS、ゲイン及びPCSの他に、ブロードバンドタイプ及びGlonassフロントエンドモジュールに対応しています。 このRFアンプは、低消費電力、データの高速受信を特長とし、ESD保護機能を備え、モバイル機器で使用されます。 GPS / Glonassモジュールは、パーソナルナビゲーションデバイス(PND)、タブレット、カメラ及び携帯電話で広く使用されています。
仕様アンプタイプ = ブロードバンドMMIC標準パワーゲイン = 19 dB標準出力パワー = 18dBm標準ノイズ = 2.6dB回路数 = 1最大動作周波数 = 2 GHz実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-343ピン数 = 4寸法 = 2 x 1.25 x 0.8mm高さ = 0.8mm長さ = 2mm動作温度 Min = -65 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
919 税込1,011
翌々日出荷

XMC4500 32ビット産業用マイクロコントローラ、Infineon. DAVE ;sup>TM ;/sup> 3 ソフトウェアは、XMC4000シリーズでハードウェアの機能を利用するソフトウェアを開発するのに役立つ無料のツールチェーンです。 このDAVEツールには、既存のDAVEツールのあらゆる機能と、IDE、コンパイラ、デバッガ、低レベルコード生成の機能が組み込まれています。 このツールは使いやすく、組み込みコードはDAVEアプリと呼ばれています。DAVEアプリは、Webからダウンロードして構成することができます。 自由なアプリケーションコード設計により、評価から生産(E2P)までの用途に応じたアプリを必要な数だけ追加することができます。 www.infineon.com/DAVEからDAVE ;sup>TM ;/sup>を無料でダウンロード. ARM ;sup>R ;/sup> Cortex-M4、120 MHz (シングルサイクルDSP MAC及び浮動少数点ユニット(FPU)搭載) 1 MB組み込みフラッシュ(ハードウェアECC内蔵) 160 Kb SRAM (XMC4504 128 Kb) 12チャンネルDMA IEEE1588準拠イーサネットMAC USB 2.0フルスピードOn-the-Go 充実したセット内容: 各種タイマ、PWM、デルタ-シグマ復調器、一インターフェイス 最大26チャンネルを備えた12ビットADCカーネル x 4、12ビットDAC x 2 多機能シリアルインターフェイスモジュール x 6 (SPI、I2C、I2S、UARTに構成可能) CANノード x 3 外付けバスインターフェイス。SDRAM、SRAM、NOR- / NAND-Flash及びメモリマップI / O装置(LCD)をサポート SD / MMCインターフェイス タッチインターフェイス及びLEDマトリックス バッテリバックアップ式リアルタイムクロック(カレンダー機能及びタイムベース又は外部ウェイクアップ機能を搭載)
仕様ファミリー名 = XMC4000パッケージタイプ = LQFP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 100デバイスコア = ARM Cortex M4データバス幅 = 32bitプログラムメモリサイズ = 1.024 MB最大周波数 = 120MHzRAMサイズ = 160 kBUSBチャンネル = 1標準動作供給電圧 = 1.3 V、3.3 V最大イーサネットチャンネル数 = 1mm RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,998 税込2,198
5日以内出荷

PFCコントローラ - CCM、Infineon. 不連続導通モード動作を利用するInfineon及びInternational RectifierのPFC (力率補正)コントローラ製品です。
仕様最大スイッチング周波数 = 250 kHzスタートアップ供給電流 = 2.4mAインターフェース = 力率コントローラICmA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DSOピン数 = 14寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm高さ = 1.5mm長さ = 8.75mm動作供給電圧 Max = 25 V動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -40 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
1,798 税込1,978
7日以内出荷

International Rectifier の Infineon 設計の HEXFET R パワー MOSFET は、Advanced Processing 技術を活かして、シリコン面積当たりのオン抵抗を極めて低く抑えています。HEXFET パワー MOSFET に期待されるとおりの高速スイッチング及び耐久性の高いデバイス設計と相まって、幅広い用途の設計に適した効率と信頼性の極めて高いデバイスとなっています。先進のプロセス技術 動的dv/dt定格 高速スイッチング 完全アバランシェ定格
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 16 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 110 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 115 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V1チップ当たりのエレメント数 = 1 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
239,800 税込263,780
7日以内出荷

International Rectifier の Infineon シリーズ第 5 世代 HEXFET は、 Advanced Processing 技術を活かして、シリコン面積に対するオン抵抗を極めて低く抑えています。HEXFET パワー MOSFET に期待されるとおりの高速スイッチング及び耐久性の高いデバイス設計と相まって、幅広い用途の設計に適した効率と信頼性の極めて高いデバイスとなっています。SO-8 のリードフレームがカスタマイズされて、熱特性とマルチダイ対応が向上しており、各種パワー用途の理想的なデバイスとなっています。この改善により、複数のデバイスを 1 つの用途で使用できるようになり、基板スペースが大幅に削減されます。パッケージは気相用に設計され、赤外線はウェーブはんだ付けに対応しています。Generation V テクノロジー 超低オン抵抗 表面実装 アバランシェ定格一杯です デュアル N チャンネル MOSFET です
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 0.029 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 0.7V1チップ当たりのエレメント数 = 1 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
3,500 税込3,850
7日以内出荷

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