制御機器 :「NH1」の検索結果

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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 300 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
259 税込285
7日以内出荷

Infineon OptiMOS小信号MOSFET
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 190 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1.8V最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V幅 = 1.3mm高さ = 1mm
1セット(3000個)
19,980 税込21,978
7日以内出荷

Infineon OptiMOS2パワーMOSFETファミリ. Infineonの OptiMOS2 Nチャンネルファミリは、同社の電圧グループ内で最も低いON抵抗を実現しています。 Power MOSFETシリーズは、高周波通信、データ通信、太陽光発電、低電圧デバイス、サーバー電源を含む多くの用途で使用できます。 OptiMOS 製品ファミリの範囲は20 V以上です。様々なパッケージタイプが揃っています。
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 950 mA最大ドレイン-ソース間電圧 20 Vシリーズ OptiMOS(TM) 2実装タイプ 表面実装ピン数 6最大ドレイン-ソース間抵抗 600 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 1.2V最低ゲートしきい値電圧 0.7V最大パワー消費 500 mWトランジスタ構成 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 -12 V, +12 V幅 1.25mm高さ 0.8mm RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
33,980 税込37,378
7日以内出荷


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