制御機器 ：「ネオマフォーム」の検索結果
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NチャンネルパワーMOSFET 12 → 25 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 4.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 80 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1.2V最低ゲートしきい値電圧 = 0.6V最大パワー消費 = 1.25 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = ±12 V動作温度 Max = +150 ℃順方向ダイオード電圧 = 1.2V
1袋(20個)
￥999
税込￥1,099
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