制御機器 ：「USB 5m」の検索結果

KEMETのC0G誘電体は、最高動作温度が125 ℃で、「安定」と見なされています。C0G誘電体はEIA (Electronics Components， Assemblies & Materials Association)からクラスI材質に定義されています。時間と電圧に対するC0Gの静電容量の変動はありません。また、周囲温度に対する静電容量の変動は無視できます。静電容量の変動は-55 ～ +125 ℃の範囲で±30 ppm/℃に制限されています。200 MHz / 330 DMIPS、MIPS32 microAptivコア ライブアップデート対応のデュアルパネルフラッシュ 12ビット18 MSPS、45チャンネルADCモジュール 組み込みOSの実行を最適化するメモリ管理ユニット 最大35 %のコード圧縮を実現するmicroMIPSモード CAN、UART、I2C、PMP、EBI、SQI、アナログコンパレータ オーディオ処理及び再生用のSPI/I2Sインターフェイス Hi-Speed USBデバイス / ホスト / OTG 10 / 100 MbpsイーサネットMAC (MII及びRMIIインターフェイス搭載) 高度なメモリ保護 2 MBフラッシュメモリ(追加の160 KBブートフラッシュ) 640 KB SRAMメモリ

5mΩまで下がるESR値温度と電圧の変動に対して安定した静電容量エージング効果なし高リップル処理優れた容積効率高周波静電容量保持100%加速の定常状態経過100%サージ電流試験済みハロゲンフリーエポキシ用途用途には、DC/DCコンバータ、オーディオ/サウンド回路(携帯電話/基地局、スマートフォン、MP3プレーヤー)、電源入力、ポータブル電子機器(ノートブックPC、ディスプレイ、SSD、HDD及びUSB、デジタルカメラ、GPSナビゲーションシステム、WiFiモジュール)、通信、家庭用電化製品(分析/テスト機器、高速サーバー)、12→48Vの電源入力レールなどの高電圧用途、高密度電流実装、回路、高密度実装回路などがあります。

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5 m Ω までの ESR 値 温度と電圧の変動に対して安定した静電容量 エージング効果なし 高リップル処理 優れた容積効率 高周波静電容量保持 100 %加速の定常状態経過 ハロゲンフリーエポキシ 用途 主な用途には、 DC/DC コンバータ、オーディオ / サウンド回路(携帯電話 / 基地局、スマートフォン、 MP3 プレーヤー)、電源入力、携帯電子機器(ノートブック PC 、ディスプレイ、 SSD 、 HDDsand USB 、デジタルカメラ、 GPS ナビゲーションシステム、 WiFi モジュール)、通信、家庭用電化製品(分析 / テスト機器、高速サーバー)、 12 → 48 V の電源入力レールなどの高電圧用途、高密度電流回路、実装電流回路、高密度実装基板、高密度実装デバイスなどがあります

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5mΩまでのESR値温度と電圧の変動に対して安定した静電容量エージング効果なし高リップル処理優れた容積効率高周波静電容量保持100%加速の定常状態経過ハロゲンフリーエポキシ用途主な用途には、DC/DCコンバータ、オーディオ/サウンド回路(携帯電話/基地局、スマートフォン、MP3プレーヤー)、電源入力、携帯電子機器(ノートブックPC、ディスプレイ、SSD、HDDsandUSB、デジタルカメラ、GPSナビゲーションシステム、WiFiモジュール)、通信、家庭用電化製品(分析/テスト機器、高速サーバー)、12→48Vの電源入力レールなどの高電圧用途、高密度電流回路、実装電流回路、高密度実装基板、高密度実装デバイスなどがあります

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KEMETのX7R誘電体の浮遊電極(FE-CAP)積層セラミックコンデンサは、カスケード式内部電極設計を使用し、複数のコンデンサを単一のモノリシック構造内に直列に構成しています。このユニークな構成により、標準的なコンデンサ設計に比べて電圧及びESD性能が強化され、物理的な損傷(割れ)が発生しても、フェイルオープンになります。200 MHz / 330 DMIPS、MIPS32 microAptivコア ライブアップデート対応のデュアルパネルフラッシュ 12ビット18 MSPS、45チャンネルADCモジュール 組み込みOSの実行を最適化するメモリ管理ユニット 最大35 %のコード圧縮を実現するmicroMIPSモード CAN、UART、I2C、PMP、EBI、SQI、アナログコンパレータ オーディオ処理及び再生用のSPI/I2Sインターフェイス Hi-Speed USBデバイス / ホスト / OTG 10 / 100 MbpsイーサネットMAC (MII及びRMIIインターフェイス搭載) 高度なメモリ保護 2 MBフラッシュメモリ(追加の160 KBブートフラッシュ) 640 KB SRAMメモリ