制御機器 ：「抵抗 1ω」の検索結果
制御機器は機器を制御する回路の為のスイッチ、リレー、コントロールボックス等の総合カテゴリーです。制御機器のリレーとは、スイッチやタイマーと連動し一定条件で電流のオン・オフを行うものです。制御機器内には電源の接点があり、国際規格のIEC規格に準拠しているものや、JISに準拠しているものがあります。JISとIECは内容の整合がはかられていますが、その対応はIDT、MOD、NEQと分かれています。この中でNEQはIECと同等とは認められません。
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チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 18 A。最大ドレイン-ソース間電圧 200 V。シリーズ STripFET。実装タイプ 表面実装。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 125 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 2.5V。最低ゲートしきい値電圧 1V。最大パワー消費 110 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V。幅 6.2mm。動作温度 Min -55 ℃mm。NチャンネルSTripFET、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,898
税込￥2,088
5日以内出荷
仕様電源スイッチの種類：ハイサイドドライバスイッチスイッチオン抵抗：32mΩ出力数：1電圧：36V電流：60A実装タイプ：表面実装パッケージタイプ：PowerSSOピン数：12寸法：5 x 4 x 1.65mm長さ：5mm幅：4mm高さ：1.65mm動作温度 Max：+150 ℃動作温度 Min：-40 ℃電力IC、ハイサイド電源スイッチ、STMicroelectronics. ハイサイドスイッチを使用すれば、抵抗性負荷、誘導性負荷、容量性負荷に高い電流を流しても安全です。 診断、保護、制御の機能に、信頼性の高い低オン抵抗パワースイッチと正確なアナログ回路の両方を必要とする厳しい車載環境で動作するように設計されています。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥2,498
税込￥2,748
5日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 650 V●パッケージタイプ ： IPAK (TO-251)●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 1 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 4V●最大パワー消費 ： 96 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： ±30 V●幅 ： 2.4mm●高さ ： 6.2mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,698
税込￥1,868
5日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様電源スイッチの種類：ハイサイドスイッチオン抵抗：100mΩ出力数：1電圧：36V電流：19A実装タイプ：表面実装パッケージタイプ：PowerSSOピン数：12寸法：5 x 4 x 1.65mm長さ：5mm幅：4mm高さ：1.65mm動作温度 Max：+150 ℃動作温度 Min：-40 ℃電力IC、ハイサイド電源スイッチ、STMicroelectronics. ハイサイドスイッチを使用すれば、抵抗性負荷、誘導性負荷、容量性負荷に高い電流を流しても安全です。 診断、保護、制御の機能に、信頼性の高い低オン抵抗パワースイッチと正確なアナログ回路の両方を必要とする厳しい車載環境で動作するように設計されています。
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 160 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 30 W1チップ当たりのエレメント数 = 1PチャンネルSTripFETΩパワーMOSFET、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
￥2,998
税込￥3,298
5日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 4 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 60 V●シリーズ ： STripFET(TM)実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 8●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 55 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 2.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 1V●最大パワー消費 ： 2 W●トランジスタ構成 ： 絶縁型●最大ゲート-ソース間電圧 ： -15 V， +15 V●幅 ： 4mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)デュアルMOSFET、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
￥339,800
税込￥373,780
5日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 75 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 75 V●シリーズ ： STripFET II●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 11 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 2.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 1V●最大パワー消費 ： 300 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -15 V， +15 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(1000個)
￥269,800
税込￥296,780
5日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 12 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 45 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 40 W長さ = 6.6mmPチャンネルSTripFETΩパワーMOSFET、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥1,698
税込￥1,868
5日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 7.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 60 V●パッケージタイプ ： SO-8●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 8●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 21 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最低ゲートしきい値電圧 ： 1V●最大パワー消費 ： 2.5 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： ±16 V●動作温度 Max ： +150 ℃mm●順方向ダイオード電圧 ： 1.2V
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥2,898
税込￥3,188
5日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 9 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 400 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 550 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大パワー消費 ： 30 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●高さ ： 16.4mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronics
1セット(50個)
￥12,980
税込￥14,278
5日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 24 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -18 V， +18 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 60 W動作温度 Max = +175 ℃NチャンネルSTripFETΩ、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥999
税込￥1,099
5日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 17 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 30 V●シリーズ ： STripFET●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 60 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 2.2V●最低ゲートしきい値電圧 ： 1V●最大パワー消費 ： 30 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -16 V， +16 V●幅 ： 6.2mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥879
税込￥967
5日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 4 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 60 V●シリーズ ： STripFET●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 100 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 2.8V●最低ゲートしきい値電圧 ： 1V●最大パワー消費 ： 3.3 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -16 V， +16 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(4000個)
￥279,800
税込￥307,780
5日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 40 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 100 V●シリーズ ： STripFET●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 33 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 2.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 1V●最大パワー消費 ： 150 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -17 V， +17 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●高さ ： 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥10,980
税込￥12,078
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