制御機器 ：「導体」の検索結果

実装タイプ = パネルマウントパッケージタイプ = Tモジュール最大連続 順方向電流 = 70Aピーク逆繰返し電圧 = 400Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 回復整流器ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.35V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク非繰返し順方向サージ電流 = 1.3kAVishay シリコンジャンクションダイオード VS-T40HF .. 、 VS-T70HF .. 、 VS-T85HF .. 、 VS-T110HF .. このシリーズの T モジュールでは、標準の回復用パワー整流ダイオードが使用されています。半導体は金属ベースから電気的に絶縁されているため、共通のヒートシンクとコンパクトなアセンブリを作成できます。主な用途には、電源、バッテリ充電、溶接機、モータ制御、一般的な産業用電流整流などがあります。 特長 電気的に絶縁されたベースプレート 最大 1200 個の VRRM を入力します 絶縁電圧： 3500 Vrms 機械設計の簡素化、 Rapid Assembly 高サージ機能 大きな沿面距離 UL E78996 認定 RoHS 指令 2002/95/EC に準拠 工業レベルの設計と認定を受けている

実装タイプ = パネルマウントパッケージタイプ = D-55最大連続 順方向電流 = 40Aピーク逆繰返し電圧 = 100Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 回復整流器ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.3V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600AVishay シリコンジャンクションダイオード VS-T40HF .. 、 VS-T70HF .. 、 VS-T85HF .. 、 VS-T110HF .. このシリーズの T モジュールでは、標準の回復用パワー整流ダイオードが使用されています。半導体は金属ベースから電気的に絶縁されているため、共通のヒートシンクとコンパクトなアセンブリを作成できます。主な用途には、電源、バッテリ充電、溶接機、モータ制御、一般的な産業用電流整流などがあります。 特長 電気的に絶縁されたベースプレート 最大 1200 個の VRRM を入力します 絶縁電圧： 3500 Vrms 機械設計の簡素化、 Rapid Assembly 高サージ機能 大きな沿面距離 UL E78996 認定 RoHS 指令 2002/95/EC に準拠 工業レベルの設計と認定を受けている

シリーズ = PTCCL温度係数のタイプ = PTC抵抗@ 25℃ = 25Ω許容差 = ±20%長さ = 20.5mm奥行き = 4mm高さ = 10mm動作温度 Min = -40℃サーミスタ PTC シリーズ 660 、 661 、 662. PTC は、ゼロ損失時に抵抗が特定の範囲内の温度に比例して増加する半導体抵抗器です。 温度変化は、ジュール効果、周囲温度の変動、または 2 つの組み合わせによって得られます。 用途：電流、保護、センサの安定化

静電容量 = 470pF電圧 = 2kV dc実装タイプ = スルーホールシリーズ = F許容差 = ±10%温度特性 = Y5R直径 = 8.5mm長さ = 8.5mm奥行き = 5mm温度係数 = ±15%抑制クラス = Class IIコンデンサファミリ = 単層℃電源回路のサプレッションには不適、X及びYサプレッションコンデンサのセクションを参照. クラス2 Y5Rコンデンサ. SMPS、高周波数バラスト、及びスナバー回路用のセラミッククラス2コンデンサY5R誘導体です。. 特長. 高い信頼性 低損失 小型で高容量 キンクリード. 用途. 低損失で体積あたりの静電容量が大きくなければならない、SMPS回路、HFバラスト回路、スナバー回路、高電圧回路などの電子回路で使用されるコンデンサです。

静電容量 = 470pF電圧 = 1kV dc実装タイプ = スルーホールシリーズ = F許容差 = ±10%温度特性 = Y5R直径 = 7.5mm長さ = 7.5mm奥行き = 4.5mm温度係数 = ±15%抑制クラス = Class II末端仕様 = ラジアル℃電源回路のサプレッションには不適、X及びYサプレッションコンデンサのセクションを参照. クラス2 Y5Rコンデンサ. SMPS、高周波数バラスト、及びスナバー回路用のセラミッククラス2コンデンサY5R誘導体です。. 特長. 高い信頼性 低損失 小型で高容量 キンクリード. 用途. 低損失で体積あたりの静電容量が大きくなければならない、SMPS回路、HFバラスト回路、スナバー回路、高電圧回路などの電子回路で使用されるコンデンサです。

静電容量 = 4.7nF電圧 = 1kV dc実装タイプ = スルーホールシリーズ = F許容差 = ±10%温度特性 = Y5R直径 = 19mm長さ = 19mm奥行き = 4.5mm温度係数 = ±15%抑制クラス = Class II末端仕様 = ラジアル℃電源回路のサプレッションには不適、X及びYサプレッションコンデンサのセクションを参照. クラス2 Y5Rコンデンサ. SMPS、高周波数バラスト、及びスナバー回路用のセラミッククラス2コンデンサY5R誘導体です。. 特長. 高い信頼性 低損失 小型で高容量 キンクリード. 用途. 低損失で体積あたりの静電容量が大きくなければならない、SMPS回路、HFバラスト回路、スナバー回路、高電圧回路などの電子回路で使用されるコンデンサです。

静電容量 = 330pF電圧 = 1kV dc実装タイプ = スルーホールシリーズ = F許容差 = ±10%温度特性 = Y5R直径 = 7.5mm長さ = 7.5mm奥行き = 4.5mm温度係数 = ±15%抑制クラス = Class II末端仕様 = ラジアル℃電源回路のサプレッションには不適、X及びYサプレッションコンデンサのセクションを参照. クラス2 Y5Rコンデンサ. SMPS、高周波数バラスト、及びスナバー回路用のセラミッククラス2コンデンサY5R誘導体です。. 特長. 高い信頼性 低損失 小型で高容量 キンクリード. 用途. 低損失で体積あたりの静電容量が大きくなければならない、SMPS回路、HFバラスト回路、スナバー回路、高電圧回路などの電子回路で使用されるコンデンサです。

静電容量 = 220pF電圧 = 1kV dc実装タイプ = スルーホールシリーズ = F許容差 = ±10%温度特性 = Y5R直径 = 6.5mm長さ = 6.5mm奥行き = 4.5mm温度係数 = ±15%抑制クラス = Class II末端仕様 = ラジアル℃電源回路のサプレッションには不適、X及びYサプレッションコンデンサのセクションを参照. クラス2 Y5Rコンデンサ. SMPS、高周波数バラスト、及びスナバー回路用のセラミッククラス2コンデンサY5R誘導体です。. 特長. 高い信頼性 低損失 小型で高容量 キンクリード. 用途. 低損失で体積あたりの静電容量が大きくなければならない、SMPS回路、HFバラスト回路、スナバー回路、高電圧回路などの電子回路で使用されるコンデンサです。

静電容量 = 1nF電圧 = 2kV dc実装タイプ = スルーホールシリーズ = F許容差 = ±10%温度特性 = Y5R直径 = 11mm長さ = 11mm奥行き = 5mm温度係数 = ±15%抑制クラス = Class IIコンデンサファミリ = 単層℃電源回路のサプレッションには不適、X及びYサプレッションコンデンサのセクションを参照. クラス2 Y5Rコンデンサ. SMPS、高周波数バラスト、及びスナバー回路用のセラミッククラス2コンデンサY5R誘導体です。. 特長. 高い信頼性 低損失 小型で高容量 キンクリード. 用途. 低損失で体積あたりの静電容量が大きくなければならない、SMPS回路、HFバラスト回路、スナバー回路、高電圧回路などの電子回路で使用されるコンデンサです。

静電容量 = 1nF電圧 = 1kV dc実装タイプ = スルーホールシリーズ = F許容差 = ±10%温度特性 = Y5R直径 = 10mm長さ = 10mm奥行き = 4.5mm温度係数 = ±15%抑制クラス = Class II末端仕様 = ラジアル℃電源回路のサプレッションには不適、X及びYサプレッションコンデンサのセクションを参照. クラス2 Y5Rコンデンサ. SMPS、高周波数バラスト、及びスナバー回路用のセラミッククラス2コンデンサY5R誘導体です。. 特長. 高い信頼性 低損失 小型で高容量 キンクリード. 用途. 低損失で体積あたりの静電容量が大きくなければならない、SMPS回路、HFバラスト回路、スナバー回路、高電圧回路などの電子回路で使用されるコンデンサです。

静電容量 = 220nF電圧 = 440V ac実装タイプ = スルーホール許容差 = ±20%シリーズ = MKP 338リード間隔 = 22.5mm長さ = 26mm奥行き = 10mm高さ = 19.5mm寸法 = 26 x 10 x 19.5mm温度特性 = ポリプロピレン末端仕様 = スルーホール実装リード径 = 0.8mm配電系統に直接接続するように設計されていますが、コンデンサの故障により感電を生じる恐れがある場所には使用できません。. CSA、UL認定. シリーズ338 → 440 Vac. 自己修復 誘導体: ポリエステル(MKP) プラスチックケース(UL94 V-0) エポキシシーリング樹脂、難燃性

静電容量 = 100nF電圧 = 440V ac実装タイプ = スルーホール許容差 = ±20%シリーズ = MKP 338リード間隔 = 15mm長さ = 17.5mm奥行き = 10mm高さ = 16.5mm寸法 = 17.5 x 10 x 16.5mm温度特性 = ポリプロピレン末端仕様 = スルーホール実装リード径 = 0.8mm配電系統に直接接続するように設計されていますが、コンデンサの故障により感電を生じる恐れがある場所には使用できません。. CSA、UL認定. シリーズ338 → 440 Vac. 自己修復 誘導体: ポリエステル(MKP) プラスチックケース(UL94 V-0) エポキシシーリング樹脂、難燃性

静電容量 = 1μF電圧 = 440V ac実装タイプ = スルーホール許容差 = ±20%シリーズ = MKP 338リード間隔 = 27.5mm長さ = 31mm奥行き = 21mm高さ = 31mm寸法 = 31 x 21 x 31mm温度特性 = ポリプロピレン末端仕様 = スルーホール実装動作温度 Min = -55℃配電系統に直接接続するように設計されていますが、コンデンサの故障により感電を生じる恐れがある場所には使用できません。. CSA、UL認定. シリーズ338 → 440 Vac. 自己修復 誘導体: ポリエステル(MKP) プラスチックケース(UL94 V-0) エポキシシーリング樹脂、難燃性

静電容量 = 47nF電圧 = 440V ac実装タイプ = スルーホール許容差 = ±20%シリーズ = MKP 338リード間隔 = 15mm長さ = 17.5mm奥行き = 7mm高さ = 13.5mm寸法 = 17.5 x 7 x 13.5mm温度特性 = ポリプロピレン末端仕様 = スルーホール実装動作温度 Min = -55℃配電系統に直接接続するように設計されていますが、コンデンサの故障により感電を生じる恐れがある場所には使用できません。. CSA、UL認定. シリーズ338 → 440 Vac. 自己修復 誘導体: ポリエステル(MKP) プラスチックケース(UL94 V-0) エポキシシーリング樹脂、難燃性

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23最大連続 順方向電流 = 200mAピーク逆繰返し電圧 = 30Vダイオード構成 = シリーズ整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 800mV1チップ当たりのエレメント数 = 2ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mA小信号ショットキーダイオード、Vishay Semiconductor. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短時間です。 ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TO-244最大連続 順方向電流 = 400Aピーク逆繰返し電圧 = 100Vダイオード構成 = コモンカソード整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 840mV1チップ当たりのエレメント数 = 2ダイオードテクノロジー = ショットキーピーク非繰返し順方向サージ電流 = 25.5kAVishay Semiconductor 高性能ショットキー整流器 50 → 400 A. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に高速です。ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。. 低順方向電圧降下 低熱抵抗

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大連続 順方向電流 = 1.5Aピーク逆繰返し電圧 = 45Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 500mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 = 40AVishay Semiconductor 高性能ショットキーダイオード. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に高速です。ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。 Vishayの高性能ショットキーダイオードは、1 → 175 Aの正方向定格電流、15 → 150 Vの定格電圧を持っています。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TO-277A最大連続 順方向電流 = 8Aピーク逆繰返し電圧 = 60Vダイオード構成 = コモンカソード整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 2ダイオードテクノロジー = ショットキーピーク非繰返し順方向サージ電流 = 120AVishay Semiconductor 高性能ショットキー整流器 4A-9A. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に高速です。ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TO-277A最大連続 順方向電流 = 8Aピーク逆繰返し電圧 = 40Vダイオード構成 = コモンカソード整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 2ダイオードテクノロジー = ショットキーピーク非繰返し順方向サージ電流 = 120AVishay Semiconductor 高性能ショットキー整流器 4A-9A. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に高速です。ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220F最大連続 順方向電流 = 10Aピーク逆繰返し電圧 = 100Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 770mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 = 250A高性能ショットキー整流器、10 → 15 A、Vishay Semiconductor. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短時間です。 ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大連続 順方向電流 = 8Aピーク逆繰返し電圧 = 40Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 440mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150AVishay Semiconductor 高性能ショットキー整流器 4A-9A. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に高速です。ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大連続 順方向電流 = 8Aピーク逆繰返し電圧 = 20Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 470mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150AVishay Semiconductor 高性能ショットキー整流器 4A-9A. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に高速です。ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TO-277A最大連続 順方向電流 = 10Aピーク逆繰返し電圧 = 100Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 880mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200A高性能ショットキー整流器、10 → 15 A、Vishay Semiconductor. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短時間です。 ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大連続 順方向電流 = 8Aピーク逆繰返し電圧 = 30Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 21チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150AVishay Semiconductor 高性能ショットキー整流器 4A-9A. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に高速です。ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-201AD最大連続 順方向電流 = 5Aピーク逆繰返し電圧 = 60Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 21チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア直径 = 5.3mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 220AVishay Semiconductor 高性能ショットキー整流器 4A-9A. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に高速です。ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-201AD最大連続 順方向電流 = 5Aピーク逆繰返し電圧 = 40Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 21チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア直径 = 5.3mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 220AVishay Semiconductor 高性能ショットキー整流器 4A-9A. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に高速です。ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TO-277A最大連続 順方向電流 = 5Aピーク逆繰返し電圧 = 100Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 880mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150AVishay Semiconductor 高性能ショットキー整流器 4A-9A. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に高速です。ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TO-277A最大連続 順方向電流 = 10Aピーク逆繰返し電圧 = 60Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 670mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 = 280A高性能ショットキー整流器、10 → 15 A、Vishay Semiconductor. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短時間です。 ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TO-277A最大連続 順方向電流 = 5Aピーク逆繰返し電圧 = 60Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 690mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150AVishay Semiconductor 高性能ショットキー整流器 4A-9A. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に高速です。ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大連続 順方向電流 = 4Aピーク逆繰返し電圧 = 40Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 490mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーピーク逆回復時間 = 10nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100AVishay Semiconductor 高性能ショットキー整流器 4A-9A. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に高速です。ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323最大連続 順方向電流 = 200mAピーク逆繰返し電圧 = 30Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 21チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mA小信号ショットキーダイオード、Vishay Semiconductor. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短時間です。 ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TO-277A最大連続 順方向電流 = 5Aピーク逆繰返し電圧 = 90Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150AVishay Semiconductor 高性能ショットキー整流器 4A-9A. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に高速です。ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TO-277A最大連続 順方向電流 = 8Aピーク逆繰返し電圧 = 100Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 900mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150AVishay Semiconductor 高性能ショットキー整流器 4A-9A. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に高速です。ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大連続 順方向電流 = 4Aピーク逆繰返し電圧 = 30Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 21チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100AVishay Semiconductor 高性能ショットキー整流器 4A-9A. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に高速です。ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = MicroMELF最大連続 順方向電流 = 30mAピーク逆繰返し電圧 = 40Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーピーク非繰返し順方向サージ電流 = 500mA小信号ショットキーダイオード、Vishay Semiconductor. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短時間です。 ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = Quadro Melf最大連続 順方向電流 = 200mAピーク逆繰返し電圧 = 40Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 21チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーピーク逆回復時間 = 10nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 15A小信号ショットキーダイオード、Vishay Semiconductor. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短時間です。 ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = MiniMELF最大連続 順方向電流 = 200mAピーク逆繰返し電圧 = 40Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 21チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーピーク逆回復時間 = 10nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 15A小信号ショットキーダイオード、Vishay Semiconductor. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短時間です。 ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-123最大連続 順方向電流 = 150mAピーク逆繰返し電圧 = 100Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 21チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーピーク非繰返し順方向サージ電流 = 750mA小信号ショットキーダイオード、Vishay Semiconductor. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短時間です。 ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = MiniMELF最大連続 順方向電流 = 30mAピーク逆繰返し電圧 = 60Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 21チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーピーク非繰返し順方向サージ電流 = 500mA小信号ショットキーダイオード、Vishay Semiconductor. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短時間です。 ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

Vishay THJP 表面実装チップは、デバイスの電気的絶縁を維持しながら、アース面又はヒートシンクへの導電経路を電気的に絶縁するように設計されています。SnPb と鉛フリーの両ラップアラウンド終端スタイルには、窒化アルミニウム基板が使用されています。静電容量が小さいため、高周波や熱しごの用途に最適です。カスタムサイズを用意電気的に絶縁された熱伝導体 高熱伝導性 AlN 基材( 170 W/mK ) 電気的絶縁終端(> 999 M Ω ) 低静電容量 SnPb 又は鉛( Pb )フリーラップ終端品があります