Vishay コンデンサ 3300μF, ,50V dc, MAL225621332E3VISHAY7日以内出荷
静電容量 = 3300μF電圧 = 50V dc実装タイプ = スナップインテクノロジー = アルミ電解寸法 = 23 (Dia.) x 32mm高さ = 32mm動作温度 Min = -40℃直径 = 23mm動作温度 Max = +105℃リード間隔 = 10mm等価直列抵抗 = 141mΩ256シリーズ. MAL256シリーズの極性化アルミ電解コンデンサ、非固体電解質 アルミケースの上部圧力逃し弁 PET絶縁スリーブ. 有効寿命: +105 ℃で2000時間、+85 ℃では5000時間以上 電圧範囲: 16 → 100 V 用途: 一般用途、産業用途の標準及びスイッチモード電源、オーディオシステム、DC/DCコンバータ、通信、平滑化及びフィルタリング用途
Vishay アバランシェ 整流ダイオード, 1A, 1300V 表面実装, 2-Pin DO-214AC (SMA) シリコンジャンクション 1.65VVISHAY¥39,980税込¥43,978
1セット(1800個)
7日以内出荷
実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大連続 順方向電流 = 1Aピーク逆繰返し電圧 = 1300Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = アバランシェダイオードタイプ = 超高速整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.65V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 75ns超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。
Vishay アバランシェ 整流ダイオード, 1.5A, 1000V 表面実装, 2-Pin DO-214AC (SMA) シリコンジャンクション 1.7VVISHAY7日以内出荷
実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大連続 順方向電流 = 1.5Aピーク逆繰返し電圧 = 1000Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = アバランシェダイオードタイプ = 超高速整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.7V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 75nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。
Vishay Pチャンネル MOSFET60 V 1.2 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンVISHAY¥129,800税込¥142,780
1セット(3000個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 1.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 345 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 1 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor
Vishay Pチャンネル MOSFET40 V 4.4 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンVISHAY¥139,800税込¥153,780
1セット(3000個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 108 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大パワー消費 = 2.5 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor
Vishay Pチャンネル MOSFET30 V 4.7 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンVISHAY¥96,980税込¥106,678
1セット(3000個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 75 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大パワー消費 = 2.5 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor
Vishay Pチャンネル MOSFET30 V 1.9 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンVISHAY¥129,800税込¥142,780
1セット(3000個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 1.9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 190 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 1 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor
Vishay Pチャンネル MOSFET8 V 4.4 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンVISHAY¥58,980税込¥64,878
1セット(3000個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 8 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 35 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 960 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 V幅 = 1.4mm高さ = 1.02mmPチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor
Vishay Pチャンネル MOSFET20 V 3.5 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンVISHAY¥86,980税込¥95,678
1セット(3000個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 165 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 1.8 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor
Vishay Nチャンネル MOSFET80 V 4.6 A 表面実装 パッケージSOT-23 6 ピンVISHAY7日以内出荷
チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 4.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 80 Vパッケージタイプ SOT-23実装タイプ 表面実装ピン数 6最大ドレイン-ソース間抵抗 126 mチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 3V最低ゲートしきい値電圧 1.2V最大パワー消費 3.6 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 ±20 V長さ 3.1mm動作温度 Min -55 ℃mmTrenchFETRパワーMOSFET 材料の分類: 用途 ポータブルデバイス用負荷スイッチ LEDバックライトスイッチ DC/DCコンバータ ブーストコンバータ
Vishay Nチャンネル MOSFET40 V 5.6 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンVISHAY¥58,980税込¥64,878
1セット(3000個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 51 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大パワー消費 = 2.1 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor
Vishay Nチャンネル MOSFET30 V 3.6 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンVISHAY7日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 75 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大パワー消費 = 1.7 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor
Vishay Nチャンネル MOSFET20 V 2.6 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンVISHAY7日以内出荷
チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 2.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 20 Vパッケージタイプ SOT-23実装タイプ 表面実装ピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 75 mチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 0.85V最低ゲートしきい値電圧 0.4V最大パワー消費 0.71 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 ±8 V幅 1.4mm動作温度 Min -55 ℃mmハロゲンフリー TrenchFETRパワーMOSFET 100 %耐久性テスト済み 用途 ポータブルデバイス用負荷スイッチング DC/DCコンバータ
表面実装インダクタ 220 nH 23A 1セット 5個入VISHAY7日以内出荷
IHLP2525CZ-01シリーズ磁気シールド付き巻線型チョークVishay IHLP-2525CZ-01シリーズ高電流低プロファイルシールドインダクタ。 IHLP-2525CZ-01シリーズは、飽和なしで高いトランジェント電流スパイクを処理しており、コンポジット構造により極めて低い電磁騒音を実現します。周波数範囲は5.0 MHzまで 最低のDC抵抗 / μH(このパッケージサイズにて)
仕様●入数:1テープ(5個入り)●インダクタンス:220 nH●最大直流電流:23A●パッケージ/ケース:2225 (5664M)●長さ:6.7mm●シールド:あり●許容差:± 20%●シリーズ:IHLP●インダクタ構造:シールド付きアズワン品番65-6975-96
電気二重層コンデンサ 3V dc 30F リード品 1袋 100個入VISHAY7日以内出荷
Vishay の 235 EDLC シリーズは、高極性蓄電コンデンサです 容量及びエネルギー密度。環境発電用途向けの電源バックアップ / 保管デバイスに使用されます。スルーホール(ラジアル)タイプを用意 高湿度動作向けの耐久性 メンテナンスフリー、保守点検不要
仕様●静電容量:30F●電圧:3V dc●実装タイプ:スルーホール●動作温度 Min:-40℃●動作温度 Max:+85℃●自動車規格:AEC-Q200●高さ:27mm●寸法:18 x 25mm●リード間隔:7.5mm●漏れ電流:12 mA●等価直列抵抗:23mΩ●寿命:2000h●シリーズ:235 EDLC●許容差:-20 → +50%●リードスペーシング:7.5 mmアズワン品番65-7103-41
電気二重層コンデンサ 3V dc 30F リード品 1袋 2個入VISHAY7日以内出荷
仕様●静電容量:30F●電圧:3V dc●実装タイプ:スルーホール●動作温度 Min:-40℃●動作温度 Max:+85℃●直径:18mm●高さ:27mm●寸法:18 x 25mm●リード間隔:7.5mm●漏れ電流:12 mA●等価直列抵抗:23mΩ●寿命:2000h●シリーズ:235 EDLC●許容差:-20 → +50%●リード径:0.8mmアズワン品番65-7103-40
Vishay Nチャンネル パワーMOSFET, 30 V, 6 A, 3 ピン パッケージSOT-23VISHAY7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 33 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2.5 W寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mmNチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル MOSFET, 20 V, 6 A, 3 ピン パッケージSOT-23 SQ Rugged シリーズVISHAY7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 54 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 2 W1チップ当たりのエレメント数 = 1AEC-Q101. NチャンネルMOSFET、車載用SQ高耐久性シリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay SemiconductorのMOSFET SQ シリーズは、高い耐久性と信頼性を必要とするすべての車載用途に対応した設計です。. SQ高耐久性シリーズMOSFETの利点. AEC-Q101認定 ジャンクション温度: 最高+175 ℃ 低オン抵抗n / pチャンネルTrenchFET(R)技術 画期的な省スペースのパッケージオプションRoHS指令(10物質対応)対応
『制御機器/はんだ・静電気対策用品』には他にこんなカテゴリがあります
センサー切替神保電器税込¥3,738¥3,398
食洗器用神保電器税込¥934¥849
CPUユニットomron(オムロン)税込¥373,780¥339,800
取付金具omron(オムロン)税込¥2,858¥2,598
変流器omron(オムロン)税込¥10,998~¥9,998~