制御機器 ：「smc エレメント」の検索結果

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2mV。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 7.11mm。幅 = 6.22mm。高さ = 2.42mm。寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.42mm。超高速回復整流器(2 → 5 A)、Vishay Semiconductor. 特長 ガラス不動態化チップジャンクション、 超高速の逆回復時間、 低順方向電圧降下、 低スイッチング損失、高効率 高順方向サージ機能、 はんだ耐熱性：最大 275 ° C 10 秒( JESD 22-B106 準拠) 代表的用途 家電製品、コンピュータ、通信機器向けのスイッチングモードコンバータ及びインバータで、高周波整流及び転流用途に使用されます。 機械データ ケース ： DO-201AD 成形化合物は UL94V-0 難燃性等級、ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード) 端子 ：つや消しスズめっきリード、 J-STD-002 及び JESD 22-B102 準拠のはんだ付けに対応、末尾が E3 の製品は JESD 201 クラス 1A ウィスカ試験に合格 極性： カラーバンドでカソード端を表示

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。最大順方向降下電圧 = 890mV。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 7.11mm。幅 = 6.22mm。高さ = 2.42mm。寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.42mm。超高速回復整流器(2 → 5 A)、Vishay Semiconductor. 特長 ガラス不動態化チップジャンクション、 超高速の逆回復時間、 低順方向電圧降下、 低スイッチング損失、高効率 高順方向サージ機能、 はんだ耐熱性：最大 275 ° C 10 秒( JESD 22-B106 準拠) 代表的用途 家電製品、コンピュータ、通信機器向けのスイッチングモードコンバータ及びインバータで、高周波整流及び転流用途に使用されます。 機械データ ケース ： DO-201AD 成形化合物は UL94V-0 難燃性等級、ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード) 端子 ：つや消しスズめっきリード、 J-STD-002 及び JESD 22-B102 準拠のはんだ付けに対応、末尾が E3 の製品は JESD 201 クラス 1A ウィスカ試験に合格 極性： カラーバンドでカソード端を表示

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 7.11mm。幅 = 6.22mm。高さ = 2.42mm。寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.42mm。標準回復整流器、2 → 10 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。

最大順方向電流 = 3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 400V。パッケージタイプ = SMC。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 7.11mm。幅 = 6.22mm。高さ = 2.42mm。寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.42mm。標準回復整流器、2 → 10 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。高性能ショットキー整流器、2 → 3 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductoのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 90V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。高性能ショットキー整流器、2 → 3 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductoのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 20V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。高性能ショットキー整流器、2 → 3 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductoのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 8A。ピーク逆繰返し電圧 = 30V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150A。Vishay Semiconductor 高性能ショットキー整流器 4A-9A. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に高速です。ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 60V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。高性能ショットキー整流器、2 → 3 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductoのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 40V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。高性能ショットキー整流器、2 → 3 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductoのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 58.1V。最小ブレークダウン電圧 = 40V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 36V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 3000W。最大ピークパルス電流 = 51.6A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.42mm。高さ = 2.42mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向3000 W、SMC3Kシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 800V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 高速スイッチング整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 500ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。Vishay Semiconductor 高速リカバリ整流器 1.4 A → 20 A. 業界標準のパッケージスタイルの多用途で高効率の高速リカバリパワーダイオードです。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 800V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 2.5μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。標準回復整流器、2 → 10 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 高速スイッチング整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 150ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。Vishay Semiconductor 高速リカバリ整流器 1.4 A → 20 A. 業界標準のパッケージスタイルの多用途で高効率の高速リカバリパワーダイオードです。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 8A。ピーク逆繰返し電圧 = 40V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 440mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150A。Vishay Semiconductor 高性能ショットキー整流器 4A-9A. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に高速です。ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 8A。ピーク逆繰返し電圧 = 20V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 470mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150A。Vishay Semiconductor 高性能ショットキー整流器 4A-9A. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に高速です。ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 5A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.7V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。TMBS - Trench MOSバリアショットキー整流器、最大20 A、Vishay Semiconductor. VishayのTrench MOSバリアショットキー(TMBS)整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。 TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。 動作電圧が45 Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。 特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。. 特長. 特許取得済みのトレンチ構造 AC / DCスイッチモード電源とDC / DCコンバータの効率性が向上 高電力密度と低順方向電圧を実現

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 50ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。超高速回復整流器(2 → 5 A)、Vishay Semiconductor. 特長 ガラス不動態化チップジャンクション、 超高速の逆回復時間、 低順方向電圧降下、 低スイッチング損失、高効率 高順方向サージ機能、 はんだ耐熱性：最大 275 ° C 10 秒( JESD 22-B106 準拠) 代表的用途 家電製品、コンピュータ、通信機器向けのスイッチングモードコンバータ及びインバータで、高周波整流及び転流用途に使用されます。 機械データ ケース ： DO-201AD 成形化合物は UL94V-0 難燃性等級、ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード) 端子 ：つや消しスズめっきリード、 J-STD-002 及び JESD 22-B102 準拠のはんだ付けに対応、末尾が E3 の製品は JESD 201 クラス 1A ウィスカ試験に合格 極性： カラーバンドでカソード端を表示

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 50V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 2.5μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。標準回復整流器、2 → 10 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 2.5μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。標準回復整流器、2 → 10 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 900mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 20ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。超高速回復整流器(2 → 5 A)、Vishay Semiconductor. 特長 ガラス不動態化チップジャンクション、 超高速の逆回復時間、 低順方向電圧降下、 低スイッチング損失、高効率 高順方向サージ機能、 はんだ耐熱性：最大 275 ° C 10 秒( JESD 22-B106 準拠) 代表的用途 家電製品、コンピュータ、通信機器向けのスイッチングモードコンバータ及びインバータで、高周波整流及び転流用途に使用されます。 機械データ ケース ： DO-201AD 成形化合物は UL94V-0 難燃性等級、ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード) 端子 ：つや消しスズめっきリード、 J-STD-002 及び JESD 22-B102 準拠のはんだ付けに対応、末尾が E3 の製品は JESD 201 クラス 1A ウィスカ試験に合格 極性： カラーバンドでカソード端を表示

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 209V。最小ブレークダウン電圧 = 144V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SMC。最大逆スタンドオフ電圧 = 130V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 7.2A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.22mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向1500 W、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 9.2V。最小ブレークダウン電圧 = 6.4V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SMC。最大逆スタンドオフ電圧 = 5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 163A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.22mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 113V。最小ブレークダウン電圧 = 77.8V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SMC。最大逆スタンドオフ電圧 = 70V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 13.3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.42mm。高さ = 2.42mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向1500 W、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 19.9V。最小ブレークダウン電圧 = 13.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SMC。最大逆スタンドオフ電圧 = 12V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 75.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。高さ = 2.42mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 24.4V。最小ブレークダウン電圧 = 16.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SMC。最大逆スタンドオフ電圧 = 15V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 61.5A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.22mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Vishay Semiconductor

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 243V。最小ブレークダウン電圧 = 167V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SMC。最大逆スタンドオフ電圧 = 150V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 6.2A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.42mm。幅 = 6.22mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Vishay Semiconductor

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 48.4V。最小ブレークダウン電圧 = 33.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SMC。最大逆スタンドオフ電圧 = 30V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 31A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.42mm。幅 = 6.22mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 45.4V。最小ブレークダウン電圧 = 31.1V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SMC。最大逆スタンドオフ電圧 = 28V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 33A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.42mm。高さ = 2.42mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向1500 W、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 77.4V。最小ブレークダウン電圧 = 53.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 48V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 19.4A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.22mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Vishay Semiconductor

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 58.1V。最小ブレークダウン電圧 = 40V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 36V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 25.8A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.22mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Vishay Semiconductor

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 38.9V。最小ブレークダウン電圧 = 26.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 24V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 38.6A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.42mm。幅 = 6.22mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 29.2V。最小ブレークダウン電圧 = 20V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 18V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 51.4A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.22mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 53.3V。最小ブレークダウン電圧 = 36.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SMC。最大逆スタンドオフ電圧 = 33V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 28.1A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.22mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 77.4V。最小ブレークダウン電圧 = 53.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SMC。最大逆スタンドオフ電圧 = 48V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 19.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.22mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向1500 W、Vishay Semiconductor