制御機器 ：「1.8mm」の検索結果

標準ツェナー電圧 = 3.3V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 6%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 95Ω最大逆漏れ電流 = 5μA寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm標準電圧温度係数 = -1.75mV/℃ツェナーダイオード200 mW、BZT52C..Sシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)

標準ツェナー電圧 = 8.2V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 6%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 15Ω最大逆漏れ電流 = 500nA寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm動作温度 Max = +150 ℃mV/℃ツェナーダイオード200 mW、BZT52C..Sシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)

標準ツェナー電圧 = 6.2V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 7%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 10Ω最大逆漏れ電流 = 2μA寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm標準電圧温度係数 = 0.4 → 3.7mV/℃ツェナーダイオード200 mW、BZT52C..Sシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)

標準ツェナー電圧 = 15V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 0.05mA最大逆漏れ電流 = 50nA寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード200 mW、DDZ9シリーズ、Diodes Inc. ツェナー電圧範囲で厳格な精度要件を実現 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)

標準ツェナー電圧 = 6.8V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 6%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 15Ω最大逆漏れ電流 = 1μA寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm標準電圧温度係数 = 1.2 → 4.5mV/℃ツェナーダイオード200 mW、BZT52C..Sシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 700 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大パワー消費 = 806 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 1.8 nC @ 5 V、3.5 nC @ 10 Vmm高さ = 1mmPチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc

標準ツェナー電圧 = 5.6V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 7%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 40Ω最大逆漏れ電流 = 3μA寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm標準電圧温度係数 = 0.25mV/℃ツェナーダイオード200 mW、BZT52C..Sシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)

標準ツェナー電圧 = 18V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 7mA最大ツェナーインピーダンス = 21Ω最大逆漏れ電流 = 100nA寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード200 mW、MMBZ52xxBシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-523 (SC-89)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 1.7 x 0.85 x 0.8mm小信号NPNトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-523 (SC-89)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 110トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 1.7 x 0.85 x 0.8mm小信号NPNトランジスタ、Diodes Inc

ダイオード構成 = シリーズ1チップ当たりのエレメント数 = 2パッケージタイプ = SOT-523 (SC-89)ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 3V動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 1.7mm幅 = 0.85mm高さ = 0.8mm寸法 = 1.7 x 0.85 x 0.8mm小信号スイッチングダイオード、Diodes Inc

標準ツェナー電圧 = 2V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 100Ω最大逆漏れ電流 = 150μA寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm動作温度 Max = +150 ℃mV/℃ツェナーダイオード200 mW、BZT52C..Sシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)

標準ツェナー電圧 = 3.9V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 90Ω最大逆漏れ電流 = 3μA寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm標準電圧温度係数 = -1.75mV/℃ツェナーダイオード200 mW、BZT52C..Sシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)

ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1パッケージタイプ = SOD-323ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2V動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 1.8mm幅 = 1.4mm高さ = 1.1mm寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm小信号スイッチングダイオード、Diodes Inc

最大順方向電流 = 250mA1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 150Vパッケージタイプ = SOD-323ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2V最大ダイオードキャパシタンス = 5pF動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 1.8mm幅 = 1.4mm高さ = 1.1mm寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm小信号スイッチングダイオード、Diodes Inc

最大順方向電流 = 500mA1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 75Vパッケージタイプ = SOD-323ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション最大順方向降下電圧 = 1.25V最大ダイオードキャパシタンス = 4pF動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 1.8mm幅 = 1.4mm高さ = 1.1mm寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm小信号スイッチングダイオード、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 7.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-223実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 60 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 3.9 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 3.7mm高さ = 1.8mmNチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 1.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 450 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大パワー消費 = 1.7 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.8mm高さ = 1.3mmPチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-223実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 190 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 3.9 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 3.7mm高さ = 1.8mmPチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc