DiodesZetex Pチャンネル MOSFET20 V 4.2 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンDiodesZetex¥28,980税込¥31,878
1セット(3000個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 113 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 0.9V最大パワー消費 = 1.4 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 V長さ = 3mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、12 V → 25 V、Diodes Inc
DiodesZetex Nチャンネル MOSFET20 V 630 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンDiodesZetex5日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 630 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 900 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 350 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 V長さ = 3mm高さ = 1.1mmNチャンネルMOSFET、12 V → 28 V、Diodes Inc
DiodesZetex Nチャンネル MOSFET30 V 4.6 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンDiodesZetex¥77,980税込¥85,778
1セット(3000個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 4.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 1.4 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V幅 = 1.4mm高さ = 1.12mmNチャンネルMOSFET、30 V、Diodes Inc
DiodesZetex Pチャンネル MOSFET30 V 3.8 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンDiodesZetex¥42,980税込¥47,278
1セット(3000個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 120 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.1V最大パワー消費 = 1.08 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、30 V、Diodes Inc
DiodesZetex Pチャンネル MOSFET60 V 1.1 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンDiodesZetex¥81,980税込¥90,178
1セット(3000個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 1.1 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 400 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 806 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V長さ = 3.05mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc
DiodesZetex Pチャンネル MOSFET100 V 1.6 A 表面実装 パッケージSOT-23 6 ピンDiodesZetex¥189,800税込¥208,780
1セット(3000個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 1.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 450 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大パワー消費 = 1.7 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V幅 = 1.8mm高さ = 1.3mmPチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc
DiodesZetex Nチャンネル MOSFET30 V 5.8 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンDiodesZetex¥29,980税込¥32,978
1セット(3000個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 42 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 720 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、30 V、Diodes Inc
DiodesZetex Nチャンネル MOSFET60 V 1.2 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンDiodesZetex¥68,980税込¥75,878
1セット(3000個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 1.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 450 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 806 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V長さ = 3.05mm高さ = 1mmNチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc
DiodesZetex Nチャンネル MOSFET20 V 6.5 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンDiodesZetex¥39,980税込¥43,978
1セット(3000個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 36 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 0.9V最大パワー消費 = 1.3 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V, +12 V長さ = 3mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、12 V → 28 V、Diodes Inc
DiodesZetex Pチャンネル MOSFET60 V 3 A 表面実装 パッケージSOT-23 6 ピンDiodesZetex¥129,800税込¥142,780
1セット(3000個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 1.7 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V長さ = 3.1mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc
デュアル 降圧 DC-DCコンバータ WDFNDiodesZetex¥229,800税込¥252,780
1リール(3000個)
7日以内出荷
仕様出力電圧 Max:1.8 V、3.3 V 、 入力電圧 Min:2.5 V 、 入力電圧 Max:5.5 V 、 出力電流 Max:1A 、 コンバータタイプ:ステップダウン 、 出力数:2 、 出力タイプ:固定 、 実装タイプ:表面実装 、 パッケージタイプ:WDFN 、 ピン数:12 、 動作温度 Max:+85 ℃ 、 動作温度 Min:-40 ℃ 、 寸法:3.05 x 3.05 x 0.75mmRoHS指令(10物質対応)対応
『制御機器/はんだ・静電気対策用品』には他にこんなカテゴリがあります
センサー切替神保電器税込¥3,738¥3,398
食洗器用神保電器税込¥934¥849
CPUユニットomron(オムロン)税込¥373,780¥339,800