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onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, スルーホール, FDA59N30onsemi¥12,980税込¥14,278
1セット(30個)
7日以内出荷
パッケージタイプ = TO-3P<br />実装タイプ = スルーホール<br />最大パワー消費 = 500 W<br />ピン数 = 3<br />1チップ当たりのエレメント数 = 1<br />寸法 = 16.2 x 5 x 18.9mm<br />UniFETTM MOSFET は、プレーナストライプと DMOS テクノロジーをベースにした高電圧 MOSFET ファミリです。この MOSFET は、オン状態の抵抗を低減し、スイッチング性能及びアバランシェエネルギー強度を高めるように調整されています。このデバイスファミリは、力率補正( PFC )、フラットパネルディスプレイ( FPD ) TV 電源、 ATX 、電子ランプバラストなどのスイッチング電源コンバータ用途に適しています。RDS ( ON ) = 56 m Ω (最大) @ VGS = 10 V 、 ID = 29.5 A 低ゲート電荷量(標準) 77 nC ) 低 CRSs (標準) 80 pF ) 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, スルーホール, FDA38N30onsemi5日以内出荷
パッケージタイプ = TO-3P<br />実装タイプ = スルーホール<br />最大パワー消費 = 312 W<br />ピン数 = 3<br />1チップ当たりのエレメント数 = 1<br />寸法 = 16.2 x 5 x 18.9mm<br />UniFETTM MOSFET は、プレーナストライプと DMOS テクノロジーをベースにした高電圧 MOSFET ファミリです。この MOSFET は、オン状態の抵抗を低減し、スイッチング性能及びアバランシェエネルギー強度を高めるように調整されています。このデバイスファミリは、力率補正( PFC )、フラットパネルディスプレイ( FPD ) TV 電源、 ATX 、電子ランプバラストなどのスイッチング電源コンバータ用途に適しています。RDS ( ON ) = 70 m Ω (標準) @ VGS = 10 V 、 ID = 19 A 低ゲート電荷量(標準) 60 nC ) 低 CRSs (標準) 60PF ) ESD改善機能 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, スルーホール, FDP18N50onsemi5日以内出荷
パッケージタイプ = TO-220<br />実装タイプ = スルーホール<br />最大パワー消費 = 235 W<br />ピン数 = 3<br />1チップ当たりのエレメント数 = 1<br />動作温度 Max = +150 ℃mm<br />UniFETTM MOSFET は、プレーナストライプと DMOS テクノロジーをベースにした高電圧 MOSFET ファミリです。この MOSFET は、オン状態の抵抗を低減し、スイッチング性能及びアバランシェエネルギー強度を高めるように調整されています。このデバイスファミリは、力率補正( PFC )、フラットパネルディスプレイ( FPD ) TV 電源、 ATX 、電子ランプバラストなどのスイッチング電源コンバータ用途に適しています。RDS ( on ) = 265 m Ω (最大) @ VGS = 10 V 、 ID = 9 A 低ゲート電荷量(標準) 45 nC ) 低 CRSs (標準) 25 pF ) 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。 LCD / LED / PDP TV 照明 無停電電源
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