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制御機器 :「SC3N」の検索結果

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onsemi Nチャンネル MOSFET20 V 915 mA 表面実装 パッケージSOT-523 (SC-89) 3 ピン onsemionsemi Nチャンネル MOSFET20 V 915 mA 表面実装 パッケージSOT-523 (SC-89) 3 ピンonsemi
33,980税込37,378
1セット(3000個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 915 mA●最大ドレイン-ソース間電圧 : 20 V●パッケージタイプ : SOT-523 (SC-89)●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 950 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 1.1V●最低ゲートしきい値電圧 : 0.45V●最大パワー消費 : 300 mW●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : ±6 V●幅 : 0.95mm●高さ : 0.8mm●20 V 915mA 小信号 MOSFET 230 m Ω ●シングル N チャンネル SC-89 ● ESD 保護機能付き低 RDS ( on )により●システム効率が向上します 低しきい値電圧● 1.5 V 定格 ESD保護ゲート 用途: 負荷 / 電源スイッチ 電源変換回路 バッテリマネージメント 携帯電話● PDA ●デジタルカメラ●ポケットベルなどの携帯機器RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 150 mA 表面実装 パッケージSC-75 3 ピン onsemionsemi Nチャンネル MOSFET30 V 150 mA 表面実装 パッケージSC-75 3 ピンonsemi
17,980税込19,778
1セット(3000個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 150 mA●最大ドレイン-ソース間電圧 : 30 V●パッケージタイプ : SC-75●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 7.5 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 1.5V●最大パワー消費 : 300 mW●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -10 V, +10 V●幅 : 0.9mm●高さ : 0.8mm●NチャンネルMOSFET(ショットキーダイオード付)●ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET20 V 915 mA 表面実装 パッケージSC-75 3 ピン onsemionsemi Nチャンネル MOSFET20 V 915 mA 表面実装 パッケージSC-75 3 ピンonsemi
289税込318
1袋(10個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 915 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SC-75実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9.5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1.1V最大パワー消費 = 300 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -6 V, +6 V幅 = 1.6mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルパワーMOSFET、20 V、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応

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