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高品質の単結晶GaN基板
仕様●直径:100 ± 0.2mm●厚さ:4.5 ± 0.5μm●GaN面方位:A軸に対して、C面(0001) 0.2±0.1°オフ●GaN面オリフラ:(1-100) 0±0.2°。長さ 30± 1mm●タイプ:N型(ノンドープ)"●抵抗率(300K):< 0.5Ω・cm●キャリア濃度:≦2×10~17 cm‐3●移動度:>300cm2/V-s●基板構造:サファイア上にGaN( ~4.5μm uGaN/ ~25 nm uGaN buffer / 650 ±25μm sapphire)●転移密度:5×10~8cm-2以下●研磨: SSP(前面エピ研磨)●使用可能面積: >90% (エッジ及びマクロ欠陥を除く)●梱包形態:クリーンルームで包装。シングルケースに1枚毎に梱包 アズワン品番68-4088-80
1枚
129,800 税込142,780
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