「パワーmosfet」の検索結果
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 58 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel， TK4， TK5 Series， Toshiba
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥759
税込￥835
当日出荷
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 30 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 250 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 0.06 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = +20 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 260 W @ 25 ℃1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥2,998
税込￥3,298
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 900 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.3Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 250 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK8 / TK9シリーズ、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥949
税込￥1,044
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 43 W動作温度 Max = +175 ℃PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥199
税込￥219
当日出荷
仕様WolfspeedシリコンカーバイドパワーMOSFETモジュール. Cree Inc.の電源部門であるWolfspeedのシリコンカーバイドパワーMOSFETモジュールです。このSiC MOSFETモジュールは、業界標準のパッケージに収納され、ハーフブリッジ(2 MOSFET)及び3相(6 MOSFET)形式で利用可能で、SiC逆回復ダイオードが付属します。 誘導加熱、太陽光及び風力インバータ、DC-DCコンバータ、3相PFC、ライン回生ドライブ、UPS及びSMPS、モータドライブ及びバッテリ充電器などが主な用途です。. ； MOSFETターンオフテール電流及びダイオード逆回復電流は効率的にゼロになります。 ； 超低損失高周波動作 ； SiC特性により、並列が容易 ； 通常オフ、フェイルセーフ動作 ； 銅製ベースプレートと窒化アルミ絶縁物によって熱要件を軽減
ピン数(ピン)7
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプパネルマウント
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最小ゲートしきい値電圧(V)1.8
最大ゲート-ソース間電圧(V)-10、+25
カテゴリーパワーMOSFET
ON SEMICONDUCTORON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 265 A， 3 ピン パッケージTO-220 PowerTrench シリーズ
RoHS
RoHS
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 265 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.5 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 395 W標準ターンオフ遅延時間 = 348 nsPowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、60 A超、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥769
税込￥846
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 50 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 22 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 131 Wトランジスタ素材 = SiMegaFET MOSFET、Fairchild Semiconductor. LSI集積回路に近づく特性サイズを採用したMegaFETプロセスでは、シリコンの利用率を最適化しているので、優れた性能を発揮します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥299
税込￥329
3日以内出荷
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
カテゴリーパワーMOSFET
仕様MOSFET Pチャンネル、TPCシリーズ、東芝
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
最大パワー消費(W)1.9
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧(V)2
カテゴリーパワーMOSFET
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様デュアルMOSFET Nチャンネル、TPCシリーズ、東芝
ピン数(ピン)8
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージSOP
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)1.5
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)5.1
最大ドレイン-ソース間電圧(V)40
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)40
最大ゲートしきい値電圧(V)2.3
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
カテゴリーパワーMOSFET
チャンネルタイプP
実装タイプ表面実装
チャンネルモードエンハンスメント型
カテゴリーパワーMOSFET
1個
￥779
税込￥857
3日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥569
税込￥626
3日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
RoHS指令(10物質対応)対応
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥289
税込￥318
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RoHS指令(10物質対応)対応
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
カテゴリーパワーMOSFET
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