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「パワーmosfet」の検索結果
onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 115 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンonsemi￥17,980税込￥19,778
1セット(3000個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 115 mA●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 60 V●パッケージタイプ ： SOT-23●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 7.5 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 2.5V●最大パワー消費 ： 300 mW●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●トランジスタ素材 ： Simm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET 60VRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 2.4 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンonsemi￥2,398税込￥2,638
1袋(100個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 2.4 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 30 V●パッケージタイプ ： SOT-23●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 110 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 1.4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 0.6V●最大パワー消費 ： 480 mW●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： ±12 V●動作温度 Max ： +150 ℃mm●高さ ： 1.01mm●NチャンネルパワーMOSFET●30 V●ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Pチャンネル MOSFET60 V 2.6 A 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピンonsemi￥72,980税込￥80,278
1セット(1000個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： P●最大連続ドレイン電流 ： 2.6 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 60 V●パッケージタイプ ： SOT-223●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 185 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最大パワー消費 ： 2.3 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●動作温度 Max ： +175 ℃mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●ON Semiconductor P チャンネルパワー MOSFET●30 → 500 VRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 2.2 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンonsemi￥759税込￥835
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 2.2 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 60 V●パッケージタイプ ： SOT-23●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 155 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 2.5V●最大パワー消費 ： 900 mW●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●高さ ： 1.01mm●ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET 60VRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 170 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンonsemi￥21,980税込￥24,178
1セット(3000個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 170 mA●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 100 V●パッケージタイプ ： SOT-23●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 6 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 2.8V●最大パワー消費 ： 225 mW●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●幅 ： 1.3mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●NチャンネルパワーMOSFET●100 V → 1700 V●ON Semiconductor
onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 1.9 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンonsemi￥339税込￥373
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： P●最大連続ドレイン電流 ： 1.9 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 30 V●パッケージタイプ ： SOT-23●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 350 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 1.25 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●ON Semiconductor P チャンネルパワー MOSFET●30 → 500 VRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 2.9 A 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピンonsemi￥229,800税込￥252,780
1セット(4000個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： P●最大連続ドレイン電流 ： 2.9 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 30 V●パッケージタイプ ： SOT-223●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 150 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 3.13 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●幅 ： 3.7mm●高さ ： 1.65mm●ON Semiconductor P チャンネルパワー MOSFET●30 → 500 VRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 23 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi￥1,998税込￥2,198
1セット(10個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 23 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 100 V●パッケージタイプ ： DPAK (TO-252)●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 56 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 83 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●高さ ： 2.38mm●NチャンネルパワーMOSFET●100 V → 1700 V●ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ローム Nチャンネル MOSFET20 V 100 mA 表面実装 パッケージSC-75 3 ピンROHM￥1,898税込￥2,088
1袋(150個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 100 mA●最大ドレイン-ソース間電圧： 20 V●シリーズ： RE1C001UN●実装タイプ： 表面実装●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 18 Ω●チャンネルモード： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 1V●最低ゲートしきい値電圧： 0.3V●最大パワー消費： 150 mW●最大ゲート-ソース間電圧： -8 V， +8 V●幅： 0.96mm●高さ： 0.8mm●ローム Nチャンネル MOSFET トランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
ローム Pチャンネル MOSFET20 V 6 A 表面実装 パッケージSOT-346 3 ピンROHM￥1,998税込￥2,198
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ： P●最大連続ドレイン電流： 6 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 20 V●シリーズ： RQ5C060BC●実装タイプ： 表面実装●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 51 mΩ●チャンネルモード： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 1.2V●最低ゲートしきい値電圧： 0.5V●最大パワー消費： 1 W●トランジスタ構成： シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -8 V， +8 V●幅： 1.8mm●高さ： 0.95mm●ローム Pチャンネル MOSFET トランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
ローム Nチャンネル MOSFET60 V 2 A 表面実装 パッケージSOT-89 3 ピンROHM￥2,298税込￥2,528
1袋(20個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 2 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 60 V●パッケージタイプ： SOT-89●実装タイプ： 表面実装●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 340 mΩ●チャンネルモード： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 2.5V●最低ゲートしきい値電圧： 1V●最大パワー消費： 500 mW●トランジスタ構成： シングル●最大ゲート-ソース間電圧： ±20 V●幅： 2.7mm●高さ： 1.6mm●パワーMOSFETは、幅広い用途に有効なマイクロプロセッシング技術により、低オン抵抗のデバイスとなっています。小型タイプ、高性能タイプ、複合タイプなど、幅広いラインアップにより、市場のさまざまなニーズに対応しています。4 V駆動タイプ NchミドルパワーMOSFET 高速スイッチング速度 小型表面実装パッケージ 鉛フリー 用途: 携帯型データ端末 貨幣計数機 デジタルマルチメータ: 携帯型 モータ制御: ブラシレスDC PLC (プログラマブルロジックコントローラ) ACサーボ ネットワーク接続ストレージ DVR / DVS モータ制御: ステッピングモータ モータ制御: ブラシ付きDC POS (販売時点情報管理システム) 電動自転車 埋め込みPC スマートメータ 監視カメラ セキュリティ用X線検査機 ネットワーク型監視カメラ ドアホン / ベビーモニタ 産業用マシンビジョンカメラ 指紋認証機器 GFCI (漏電ブレーカ) デジタルマルチメータ: 据置型 EMS 用ディスプレイ 太陽光発電インバータRoHS指令(10物質対応)対応
ローム Pチャンネル MOSFET100 V 13 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンROHM￥2,698税込￥2,968
1袋(10個)
7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
ローム Nチャンネル MOSFET20 V 200 mA 表面実装 パッケージSOT-723 3 ピンROHM￥839税込￥923
1袋(100個)
翌々日出荷
仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 200 mA●最大ドレイン-ソース間電圧： 20 V●シリーズ： RUM002N02●実装タイプ： 表面実装●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 4.8 Ω●チャンネルモード： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 1V●最低ゲートしきい値電圧： 0.3V●最大パワー消費： 150 mW●最大ゲート-ソース間電圧： -8 V， +8 V●長さ： 1.3mm●高さ： 0.45mm●ローム Nチャンネル MOSFET トランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
ローム Pチャンネル MOSFET20 V 200 mA 表面実装 パッケージSOT-323 3 ピンROHM￥969税込￥1,066
1袋(100個)
翌々日出荷
仕様●チャンネルタイプ： P●最大連続ドレイン電流： 200 mA●最大ドレイン-ソース間電圧： 20 V●シリーズ： RU1C002ZP●実装タイプ： 表面実装●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 9.6 Ω●チャンネルモード： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 1V●最低ゲートしきい値電圧： 0.3V●最大パワー消費： 150 mW●最大ゲート-ソース間電圧： -10 V， +10 V●幅： 1.35mm●高さ： 1mm●ローム Pチャンネル MOSFET トランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
ローム Nチャンネル MOSFET20 V 200 mA 表面実装 パッケージSC-75 3 ピンROHM￥1,298税込￥1,428
1袋(150個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 200 mA●最大ドレイン-ソース間電圧： 20 V●シリーズ： RE1C002UN●実装タイプ： 表面実装●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 4.8 Ω●チャンネルモード： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 1V●最低ゲートしきい値電圧： 0.3V●最大パワー消費： 150 mW●最大ゲート-ソース間電圧： -8 V， +8 V●幅： 0.96mm●動作温度 Min： -55 ℃mm●ローム Nチャンネル MOSFET トランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
ローム Pチャンネル MOSFET12 V 1.3 A 表面実装 パッケージSOT-323 3 ピンROHM￥1,198税込￥1,318
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ： P●最大連続ドレイン電流： 1.3 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 12 V●シリーズ： RZF013P01●実装タイプ： 表面実装●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 1.06 Ω●チャンネルモード： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 1V●最低ゲートしきい値電圧： 0.3V●最大パワー消費： 800 mW●最大ゲート-ソース間電圧： -10 V， +10 V●幅： 1.8mm●順方向ダイオード電圧： 1.2V●ローム Pチャンネル MOSFET トランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics 電圧監視スイッチ SOIC 8-Pin 表面実装STMicro￥489,800税込￥538,780
1セット(2500個)
7日以内出荷
仕様●ピン数 ： 8●パッケージタイプ ： SOIC●実装タイプ ： 表面実装●STMicroelectronics OMNIFETシリーズ 完全自動保護パワーMOSFET. OMNIFETシリーズの完全自動保護ローサイドドライバは、その堅牢さと向上した信頼性で評価されています。このソリッドステートパワースイッチは、特に車載環境における誘導負荷及び抵抗負荷用に設計されています。. リニア電流制限 過熱保護 短絡保護 ESD 保護 クランプ内蔵RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 20 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピンSTMicro￥18,980税込￥20,878
1セット(30個)
7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 10 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピンSTMicro￥629税込￥692
1個
7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET650 V 33 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピンSTMicro￥1,498,000税込￥1,647,800
1セット(1000個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 33 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 650 V●シリーズ ： MDmesh M5●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 79 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 190 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -25 V， +25 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●高さ ： 4.6mm●STMicroelectronics N チャンネル MDmesh(TM) M5 シリーズ. MDmesh M5 パワー MOSFET は、高電力 PFC と PWM トポロジ向けに最適化されています。主な機能には、シリコンエリア当たりの低オン状態損失と低ゲート電荷の組み合わせなどがあります。太陽電池コンバータ、コンシューマ製品向け電源、電子照明制御など、省エネ指向のコンパクトで信頼性の高いハードスイッチング用途向けに設計されています。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET550 V 13 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro￥409税込￥450
1個
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 13 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 550 V●シリーズ ： MDmesh M5●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 240 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 90 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -25 V， +25 V●幅 ： 4.6mm●高さ ： 15.75mm●STMicroelectronics N チャンネル MDmesh(TM)M5 シリーズ. MDmesh M5 パワー MOSFET は、高電力 PFC と PWM トポロジ向けに最適化されています。主な機能には、シリコンエリア当たりの低オン状態損失と低ゲート電荷の組み合わせなどがあります。太陽電池コンバータ、コンシューマ製品向け電源、電子照明制御など、省エネ指向のコンパクトで信頼性の高いハードスイッチング用途向けに設計されています。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET650 V 8.5A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピンSTMicro￥259税込￥285
1個
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 8.5A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 650 V●シリーズ ： MDmesh M5●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 430 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 25 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： +25 V●トランジスタ素材 ： Simm●高さ ： 16.4mm●STMicroelectronics N チャンネル MDmesh(TM) M5 シリーズ. MDmesh M5 パワー MOSFET は、高電力 PFC と PWM トポロジ向けに最適化されています。主な機能には、シリコンエリア当たりの低オン状態損失と低ゲート電荷の組み合わせなどがあります。太陽電池コンバータ、コンシューマ製品向け電源、電子照明制御など、省エネ指向のコンパクトで信頼性の高いハードスイッチング用途向けに設計されています。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET650 V 33 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピンSTMicro￥33,980税込￥37,378
1セット(30個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 33 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 650 V●シリーズ ： MDmesh M5●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 79 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 190 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -25 V， +25 V●長さ ： 15.75mm●高さ ： 20.15mm●STMicroelectronics N チャンネル MDmesh(TM) M5 シリーズ. MDmesh M5 パワー MOSFET は、高電力 PFC と PWM トポロジ向けに最適化されています。主な機能には、シリコンエリア当たりの低オン状態損失と低ゲート電荷の組み合わせなどがあります。太陽電池コンバータ、コンシューマ製品向け電源、電子照明制御など、省エネ指向のコンパクトで信頼性の高いハードスイッチング用途向けに設計されています。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET40 V 5 A 表面実装 パッケージPowerSO 10 ピンSTMicro￥3,500税込￥3,850
1個
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 40 V●パッケージタイプ ： PowerSO●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 10●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 73 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●標準パワーゲイン ： 14 dBmm●STMicroelectronics RF MOSFET トランジスタ. この高周波トランジスタは、Lバンド衛星アップリンクに適したLDMOSと、1 MHz→2 GHzのアプリケーションに対応したDMOSパワートランジスタです。RoHS指令(10物質対応)対応
Power Integrations コンバータ， 80mA， 265 V ac， スルーホール LNK302PNPOWER INTEGRATIONS￥5,198税込￥5,718
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●出力電流 Max： 80mA●出力電圧 Max： 700 V●レギュレータ機能： ブースト， バック， フライバック●出力電圧 Min： -0.3 V●入力電圧 Min： 85 V ac●入力電圧 Max： 265 V ac●出力タイプ： 固定●実装タイプ： スルーホール●出力数： 1●ピン数： 7●パッケージタイプ： DIPB●高さ： 3.68mm●LinkSwitch-TN、Power Integrations. LinkSwitch-TNファミリは、超ローパワーのAC-DC / 非絶縁パッシブ電源交換を提供します。. 700 V内部MOSFET定格 セルフパワー型 オン / オフ制御 ヒステリシスサーマルシャットダウン 電力制限 周波数ジッターによるEMIの削減 EcoSmartロースタンバイ / 無負荷消費電力RoHS指令(10物質対応)対応
Power Integrations AC/DCコンバータ， 12 V dc出力， 6-Pin eSIP-7CPOWER INTEGRATIONS￥1,298税込￥1,428
1袋(5個)
7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
Power Integrations AC/DCコンバータ， 12 V dc出力， 11-Pin eDIP-12BPOWER INTEGRATIONS￥629税込￥692
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●入力電圧 Max： 265 V ac●出力電圧 Max： 12 V dc●実装タイプ： スルーホール●ピン数： 11●出力電流 Max： 2.5A●パッケージタイプ： eDIP-12B●入力電圧範囲： 85 → 265 V ac●限界電流： 0.82A●入力電圧 Min： 85 V ac●動作温度 Max： +150 ℃●長さ： 10.16mm●幅： 8.89mm●高さ： 2.34mm●動作温度 Min： -40 ℃●出力電流範囲： 最大値2.5 A●LinkSwitch-HPシリーズオフラインAC-DCコンバータ. Power IntegrationsのLinkSwitch-HPファミリのフライバック電源ICは、一次側整流コントローラと高電圧パワーMOSFETを単一のパッケージに集積しています。 これらのデバイスは、±5 %のCV精度、選択可能な電流制限、プログラム可能なラッチング又はヒステリシス過電圧 / 電圧低下 / 過熱保護、高速ACリセット、及びプログラム可能なシャットダウン遅延時間を備えています。 パッケージオプション: eSIP-7Cパッケージ: 最小の基板フットプリントサイズ と、クリップ又は粘着パッドを使用したシンプルなヒートシンクを備えた縦向き用パッケージ eSOP-12Bパッケージ: むき出しのパッドとソースピンで基板に熱を逃がす低プロファイル表面実装超薄型設計用パッケージ。ウェーブはんだ付けと赤外線リフローはんだ付けの両方に対応 eDIP-12Bパッケージ: むき出しのパッド又はオプションの金属製ヒートシンクで基板に熱を逃がす低プロファイルスルーホール実装超薄型設計用パッケージ. 全負荷レンジで効率を最大化するマルチモード制御 無負荷時の消費電力: 30 mW 未満@ 230 V ac1 W @ 230 V acの入力で ＞75 %の効率0.1 W @ 230 V acの入力で ＞50 %の効率 電源設計を劇的に単純化 オプトカプラ及びすべての二次制御回路を省略 出力電圧許容差: ±5 %以上 トランスと電源の小型化に寄与する132 kHz動作 過負荷電力を制限する補償オーバーライン EMIフィルタコストを軽減する周波数ジッタリング スタートアップストレスを最小化する完全統合ソフトスタート 過負荷障害時に電力供給を3 %に制限する自動再起動RoHS指令(10物質対応)対応
Power Integrations コンバータ， 280mA， 265 V ac， スルーホール LNK305PNPOWER INTEGRATIONS￥5,898税込￥6,488
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●出力電流 Max： 280mA●出力電圧 Max： 700 V●レギュレータ機能： ブースト， バック， フライバック●出力電圧 Min： -0.3 V●入力電圧 Min： 85 V ac●入力電圧 Max： 265 V ac●出力タイプ： 固定●実装タイプ： スルーホール●出力数： 1●ピン数： 7●パッケージタイプ： DIPB●動作温度 Max： +150 ℃mm●LinkSwitch-TN、Power Integrations. LinkSwitch-TNファミリは、超ローパワーのAC-DC / 非絶縁パッシブ電源交換を提供します。. 700 V内部MOSFET定格 セルフパワー型 オン / オフ制御 ヒステリシスサーマルシャットダウン 電力制限 周波数ジッターによるEMIの削減 EcoSmartロースタンバイ / 無負荷消費電力RoHS指令(10物質対応)対応
Power Integrations コンバータ， 360mA， 265 V ac， スルーホール LNK306PNPOWER INTEGRATIONS￥7,998税込￥8,798
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●出力電流 Max： 360mA●出力電圧 Max： 700 V●レギュレータ機能： ブースト， バック， フライバック●出力電圧 Min： -0.3 V●入力電圧 Min： 85 V ac●入力電圧 Max： 265 V ac●出力タイプ： 固定●実装タイプ： スルーホール●出力数： 1●最大スイッチング周波数： 70 kHz●パッケージタイプ： DIPB●高さ： 3.68mm●LinkSwitch-TN、Power Integrations. LinkSwitch-TNファミリは、超ローパワーのAC-DC / 非絶縁パッシブ電源交換を提供します。. 700 V内部MOSFET定格 セルフパワー型 オン / オフ制御 ヒステリシスサーマルシャットダウン 電力制限 周波数ジッターによるEMIの削減 EcoSmartロースタンバイ / 無負荷消費電力RoHS指令(10物質対応)対応
Power Integrations AC/DCコンバータ， 7A， 5 V dc出力， 11-Pin eDIP-12POWER INTEGRATIONS￥1,298～税込￥1,428～
1袋(5個)
7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
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