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Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 58 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 58 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ東芝
759税込835
1袋(5個)
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 58 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET 東芝Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET東芝
529税込582
1個ほか
翌々日出荷から7日以内出荷
チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 250 V, 30 A, 3 ピン パッケージTO-3PN 東芝Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 250 V, 30 A, 3 ピン パッケージTO-3PN東芝(1件のレビュー)
2,998税込3,298
1袋(5個)
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 30 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 250 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 0.06 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = +20 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 260 W @ 25 ℃1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 6.7 A, 3 ピン パッケージTO-220AB VISHAYVishay Pチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 6.7 A, 3 ピン パッケージTO-220ABVISHAY
199税込219
1個
欠品中
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 43 W動作温度 Max = +175 ℃PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 900 V, 9 A, 3 ピン パッケージTO-3PN TK シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 900 V, 9 A, 3 ピン パッケージTO-3PN TK シリーズ東芝(1件のレビュー)
949税込1,044
1個
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 900 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.3Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 250 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK8 / TK9シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル 小信号 MOSFET, 60 V, 200 mA, 3 ピン パッケージTO-92 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor Nチャンネル 小信号 MOSFET, 60 V, 200 mA, 3 ピン パッケージTO-92ON SEMICONDUCTOR
959税込1,055
1袋(20個)
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 200 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 Ω最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 400 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 20 pF @ 25 V強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET, 60 V, 60 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル MOSFET, 60 V, 60 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ東芝
629税込692
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 30 W標準ターンオフ遅延時間 = 36 nsMOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
Microchip Technology Nチャンネル ドライバ用 MOSFET MICROCHIPMicrochip Technology Nチャンネル ドライバ用 MOSFETMICROCHIP
1,498税込1,648
1袋(20個)ほか
翌々日出荷から7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 265 A, 3 ピン パッケージTO-220 PowerTrench シリーズ ON SEMICONDUCTORON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 265 A, 3 ピン パッケージTO-220 PowerTrench シリーズON SEMICONDUCTOR
769税込846
1個
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 265 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.5 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 395 W標準ターンオフ遅延時間 = 348 nsPowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、60 A超、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ステッピングモータドライバIC(TB62261FTG)評価基板 マルツエレックステッピングモータドライバIC(TB62261FTG)評価基板マルツエレック
6,698税込7,368
1個
5日以内出荷
東芝製のステッピングモータドライバIC(TB62261FTG)の評価基板 TB62261は、PWMチョッパ型2相バイポーラ駆動、PHASE制御方式のステッピングモータドライバです。BiCDプロセスを採用し、出力耐圧40V、最大定格電流1.8Aを実現しています。 本評価ボードではIC評価をするための部品を実装しており、PWM定電流駆動にて、2相、1-2相、W1-2相の各励磁駆動をすぐ試すことができます。ステッピングモータの低騒音+低振動を是非、体感してみて下さい。 低オン抵抗(上下和 = 0.8 Ω (typ.))の出力MOSFETを内蔵。 異常検出(TSD/ISD)フラグ出力機能を内蔵。 各種異常検出機能(過熱検出(TSD)、過電流検出(ISD)、パワーオンリセット(POR))を内蔵。 内部回路動作用のVCCレギュレータを内蔵。 モータのチョッピング周波数を外付け部品で調整可能。
Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET, 30 V, 200 mA, 3 ピン パッケージSOT-346 (SC-59) 2SK シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET, 30 V, 200 mA, 3 ピン パッケージSOT-346 (SC-59) 2SK シリーズ東芝
649税込714
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 200 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 200 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 70 pF @ 3 VMOSFET Nチャンネル、2SKシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET, 500 V, 15 A, 3 ピン パッケージTO-3PN TK シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル MOSFET, 500 V, 15 A, 3 ピン パッケージTO-3PN TK シリーズ東芝(1件のレビュー)
499税込549
1個
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 15 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 270 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 280 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET, 40 V, 15 A, 3 ピン パッケージDPAK+ (TO-252) U-MOSVIII-H シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル MOSFET, 40 V, 15 A, 3 ピン パッケージDPAK+ (TO-252) U-MOSVIII-H シリーズ東芝
429税込472
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 15 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 37 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = DPAK+ (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータMOSFET最大パワー消費 = 46 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET, 600 V, 31 A, 3 ピン パッケージTO-247 DTMOSIV シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル MOSFET, 600 V, 31 A, 3 ピン パッケージTO-247 DTMOSIV シリーズ東芝
1,298税込1,428
1袋(2個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 31 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 88 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 230 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET, 600 V, 7 A, 3 ピン パッケージDPAK (TO-252) U-MOSVIII-H シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル MOSFET, 600 V, 7 A, 3 ピン パッケージDPAK (TO-252) U-MOSVIII-H シリーズ東芝
489税込538
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 600 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 60 W標準ターンオフ遅延時間 = 55 nsMOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET, 30 V, 100 mA, 3 ピン パッケージSOT-346 (SC-59) SSM3 シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET, 30 V, 100 mA, 3 ピン パッケージSOT-346 (SC-59) SSM3 シリーズ東芝
219税込241
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 200 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 7.8 pF @ 3 VMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル 小信号 MOSFET, 60 V, 280 mA, 3 ピン パッケージSOT-23 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor Nチャンネル 小信号 MOSFET, 60 V, 280 mA, 3 ピン パッケージSOT-23ON SEMICONDUCTOR
279税込307
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 280 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2Ω最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 300 mW寸法 = 2.92 x 1.3 x 0.93mm強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET, 20 V, 500 mA, 3 ピン パッケージUFM SSM3 シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル MOSFET, 20 V, 500 mA, 3 ピン パッケージUFM SSM3 シリーズ東芝
369税込406
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 500 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.52 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V, +10 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 500 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 46 pF @ 10 VMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET, 60 V, 60 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS U-MOSVIII-H シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル MOSFET, 60 V, 60 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS U-MOSVIII-H シリーズ東芝
959税込1,055
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 30 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
IXYS Nチャンネル パワーMOSFET IXYSIXYS Nチャンネル パワーMOSFETIXYS
769税込846特価
1個ほか
当日出荷から7日以内出荷
Wolfspeed デュアル Nチャンネル パワーMOSFET WOLFSPEEDWolfspeed デュアル Nチャンネル パワーMOSFETWOLFSPEED
93,980税込103,378
1個
7日以内出荷
仕様WolfspeedシリコンカーバイドパワーMOSFETモジュール. Cree Inc.の電源部門であるWolfspeedのシリコンカーバイドパワーMOSFETモジュールです。このSiC MOSFETモジュールは、業界標準のパッケージに収納され、ハーフブリッジ(2 MOSFET)及び3相(6 MOSFET)形式で利用可能で、SiC逆回復ダイオードが付属します。 誘導加熱、太陽光及び風力インバータ、DC-DCコンバータ、3相PFC、ライン回生ドライブ、UPS及びSMPS、モータドライブ及びバッテリ充電器などが主な用途です。. ; MOSFETターンオフテール電流及びダイオード逆回復電流は効率的にゼロになります。 ; 超低損失高周波動作 ; SiC特性により、並列が容易 ; 通常オフ、フェイルセーフ動作 ; 銅製ベースプレートと窒化アルミ絶縁物によって熱要件を軽減ピン数(ピン)7RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプパネルマウントチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最小ゲートしきい値電圧(V)1.8最大ゲート-ソース間電圧(V)-10、+25カテゴリーパワーMOSFET
アレグロ, ホール効果スイッチ IC Allegro Microsystemsアレグロ, ホール効果スイッチ ICAllegro Microsystems
499税込549
1袋(5個)ほか
7日以内出荷
ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 50 A, 3 ピン パッケージTO-220AB MegaFET シリーズ ON SEMICONDUCTORON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 50 A, 3 ピン パッケージTO-220AB MegaFET シリーズON SEMICONDUCTOR
299税込329
1個
3日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 50 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 22 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 131 Wトランジスタ素材 = SiMegaFET MOSFET、Fairchild Semiconductor. LSI集積回路に近づく特性サイズを採用したMegaFETプロセスでは、シリコンの利用率を最適化しているので、優れた性能を発揮します。RoHS指令(10物質対応)対応
高性能充電器 CXシリーズ COTEK(コーテック)高性能充電器 CXシリーズCOTEK(コーテック)
29,980税込32,978
1台
当日出荷から9日以内出荷
ディップスイッチにより充電電圧の設定が可能 同タイプで容量の違うバッテリーを複数同時に充電可能 バッテリー劣化防止機能
種類バッテリー:鉛蓄/ニッケル/AGM/リチウムイオン(別途設定必要)周波数範囲(Hz)47~63絶縁方式それぞれの出力ターミナルにパワーMOSFETを使用力率0.92以上 (最大負荷時)温度係数±0.03% (0~50℃)使用電圧範囲(V)90~264/AC振動10~500Hz、 2G 10分間、1サイクルを 60分間 それぞれX、 Y、 Z 軸方向に沿って振動動作湿度(%)20~90(非結露状態)動作温度範囲(℃)-20~50(出力負荷軽減曲線)入力電圧(V)AC100機能CR-1でのリモートON/OFFRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, スルーホール, FDP18N50 onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, スルーホール, FDP18N50onsemi
2,398税込2,638
1袋(5個)
5日以内出荷
パッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 235 Wピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmUniFETTM MOSFET は、プレーナストライプと DMOS テクノロジーをベースにした高電圧 MOSFET ファミリです。この MOSFET は、オン状態の抵抗を低減し、スイッチング性能及びアバランシェエネルギー強度を高めるように調整されています。このデバイスファミリは、力率補正( PFC )、フラットパネルディスプレイ( FPD ) TV 電源、 ATX 、電子ランプバラストなどのスイッチング電源コンバータ用途に適しています。RDS ( on ) = 265 m Ω (最大) @ VGS = 10 V 、 ID = 9 A 低ゲート電荷量(標準) 45 nC ) 低 CRSs (標準) 25 pF ) 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。 LCD / LED / PDP TV 照明 無停電電源
RoHS指令(10物質対応)対応
ステッピングモータドライバIC(TB67S213FTAG)評価基板 マルツエレックステッピングモータドライバIC(TB67S213FTAG)評価基板マルツエレック
8,798税込9,678
1個
5日以内出荷
東芝製のステッピングモータドライバIC(TB67S213FTAG)の評価基板 MTO-EV010FTAG(TB67S213FTAG)は、東芝製のフェーズ入力方式バイポーラステッピングモータドライバICを搭載したモータ制御の評価ボードです。TB67S213FTAGは、PWMチョッパ型2相バイポーラ駆動、PHASE制御方式のステッピングモータドライバです。BiCDプロセスを採用し、出力耐圧40V、最大電流2.5Aを実現しています。本評価ボードを使用すると、PWM定電流駆動/2相、1-2相、W1-2相の各励磁駆動を簡単に試すことができます。 低オン抵抗(上下和=0.53Ω)の出力MOSFETを内蔵 パワーオンリセット(POR)を内蔵 内部回路動作用のVCCレギュレータを内蔵 モータのチョッピング周波数を外付け部品で調整可能
ステッピングモータドライバIC(TB62262FTAG)評価基板 マルツエレックステッピングモータドライバIC(TB62262FTAG)評価基板マルツエレック
8,798税込9,678
1個
5日以内出荷
東芝製のステッピングモータドライバIC(TB62262FTAG)の評価基板 MTO-EV010FTAG(TB62262FTAG)は、東芝製のクロック入力方式バイポーラステッピングモータドライバICを搭載したモータ制御の評価ボードです。TB62262FTAGは、PWMチョッパ型2相バイポーラ駆動、クロック入力制御方式のステッピングモータドライバです。BiCDプロセスを採用し、出力耐圧40V、最大電流1.5Aを実現しています。本評価ボードを使用すると、PWM定電流駆動/2相、1-2相、W1-2相の各励磁駆動を簡単に試すことができます。 低オン抵抗(上下和=0.8Ω)の出力MOSFETを内蔵 高効率定電流制御機能を採用 異常検出(TSD/ISD)フラグ出力機能を内蔵 過熱検出機能(TSD) 過電流検出機能(ISD) パワーオンリセット(POR)を内蔵 内部回路動作用のVCCレギュレータを内蔵 モータのチョッピング周波数を外付け部品で調整可能
ブラシDCモータドライバIC(TB67H410NG)評価基板 マルツエレックブラシDCモータドライバIC(TB67H410NG)評価基板マルツエレック
8,398税込9,238
1個
5日以内出荷
東芝製のブラシDCモータドライバIC(TB67H410NG)の評価基板 TB67H410は、定電流PWM制御方式、ダイレクトPWM制御方式の両方に対応した、2chのブラシDCモータドライバで、2つのブラシDCモータを独立制御可能です。 BiCDプロセスを採用し、出力耐圧50V、最大定格電流2.5A/chを実現しています。 Largeモードを使用した場合は、最大定格電流5.0Aの1chのブラシDCモータドライバとしても使用できます。 本評価ボードではIC評価をするための部品を実装しており、定電流PWM駆動、ダイレクトPWM駆動にて、ブラシDCモータを制御することが可能です。 BiCDプロセスによるモノリシックIC 最大2つのDCブラシモータを1チップで駆動可能。 PWM定電流駆動,ダイレクトPWM駆動に対応。 正転/逆転/ブレーキ/STOP(OFF)の4モードに対応。 低オン抵抗(上下和=0.8Ω(typ.))の出力MOSFETを内蔵。 高耐圧+大電流 を実現。 各種異常検出機能(過熱検出(TSD)、過電流検出(ISD)、パワーオンリセット(POR))を内蔵。 内部回路動作用のVCCレギュレータを内蔵。 モータのチョッピング周波数を外付け部品で調整可能。
関連資料(0.83MB)
ステッピングモータドライバIC(TB67S215FTAG)評価基板 マルツエレックステッピングモータドライバIC(TB67S215FTAG)評価基板マルツエレック
8,798税込9,678
1個
5日以内出荷
東芝製のステッピングモータドライバIC(TB67S215FTAG)の評価基板 MTO-EV010FTAG(TB67S215FTAG)は、東芝製のクロック入力方式バイポーラステッピングモータドライバICを搭載したモータ制御の評価ボードです。TB67S215FTAGは、PWMチョッパ型2相バイポーラ駆動、クロック入力制御方式のステッピングモータドライバです。BiCDプロセスを採用し、出力耐圧40V、最大電流2.5Aを実現しています。本評価ボードを使用すると、PWM定電流駆動/2相、1-2相、W1-2相の各励磁駆動を簡単に試すことができます。 低オン抵抗(上下和=0.53Ω)の出力MOSFETを内蔵 高効率定電流制御機能を採用 過熱検出機能(TSD) 過電流検出機能(ISD) パワーオンリセット(POR)を内蔵 内部回路動作用のVCCレギュレータを内蔵 モータのチョッピング周波数を外付け部品で調整可能
2A出力ハーフ・ブリッジ・パワーボード マルツエレック2A出力ハーフ・ブリッジ・パワーボードマルツエレック
2,798税込3,078
1セット
5日以内出荷
MPM4800-PMは、日清紡マイクロデバイス製のハーフ・ブリッジ・ドライバIC NJW4800のほか、出力電流検出回路やLCフィルタを搭載した、コンパクトな汎用スイッチング・ボードです。 メイン素子のNJW4800は、NチャネルMOSFETによるハーフ・ブリッジ回路やゲート・ドライバ、デッド・タイム生成、保護回路などをワンチップにまとめたICで、マイコン等からPWM信号を加えるだけで駆動できる便利なICです。 パワーボード MPM4800-PMからは、LCフィルタで平滑したDC出力のほか、スピーカ駆動用のオーディオ出力、フィルタを通さない生のPWM出力を取り出せます。DC-DCコンバータやD級アンプなど、いろいろなアプリケーションへの応用が可能です。 DC出力は+23V/2A(+24V動作時、ピーク出力)、オーディオ出力は9W(4Ω)まで取り出せます。 ジャンパを切り替えることで、LCフィルタで平滑したDC出力やスピーカ駆動用のオーディオ出力、フィルタを通さない生のPWM出力などを取り出せます。 出力電流検出回路を搭載しています.0~1.5Aの電流を検出して、0~3Vの電圧信号を出力します。 スイッチング周波数は300kHzから最大1.2MHzまで対応します。 入出力コネクタは一般的な2.54mmピッチのピン・ソケットになっています.自作基板やユニバーサル基板への搭載も容易です。
ブラシDCモータドライバIC(TB67H400ANG)評価基板 マルツエレックブラシDCモータドライバIC(TB67H400ANG)評価基板マルツエレック
8,998税込9,898
1個
5日以内出荷
東芝製のブラシDCモータドライバIC(TB67H400ANG)の評価基板 TB67H400Aは、定電流PWM制御方式、ダイレクトPWM制御方式の両方に対応した、2chのブラシDCモータドライバで、2つのブラシDCモータを独立制御可能です。 BiCDプロセスを採用し、出力耐圧50V、最大定格電流4.0A/chを実現しています。 Largeモードを使用した場合は、最大定格電流8.0Aの1chのブラシDCモータドライバとしても使用できます。 本評価ボードではIC評価をするための部品を実装しており、定電流PWM駆動、ダイレクトPWM駆動にて、ブラシDCモータを制御することが可能です。 最大2 つのDC ブラシモータを1 チップで駆動可能。 正転/逆転/ブレーキ/STOP (OFF)の4 モードに対応。 低オン抵抗 (上下和=0.49 Ω (typ.))の出力MOSFET を内蔵。 高耐圧+大電流 (絶対最大定格、動作範囲を参照)を実現。 各種異常検出機能(過熱検出 (TSD)、過電流検出 (ISD)、パワーオンリセット (POR))を内蔵。 内部回路動作用のVCC レギュレータを内蔵。 モータのチョッピング周波数を外付け部品で調整可能。
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ステッピングモータドライバIC(TB67S103AFTG)評価基板 マルツエレックステッピングモータドライバIC(TB67S103AFTG)評価基板マルツエレック
5,498税込6,048
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東芝製のステッピングモータドライバIC(TB67S103AFTG)の評価基板 MTO-EV005FTG(TB67S103AFTG)は、東芝製のシリアル入力方式バイポーラステッピングモータドライバICを搭載したモータ制御の評価ボードです。TB67S103AFTGは、PWMチョッパ型2相バイポーラ駆動、3線シリアルインターフェース方式とクロック入力制御方式を併用したステッピングモータドライバです。3線シリアルインターフェースでTB67S103Aの動作設定を、クロック入力制御でモータの回転制御を行います。また、ID設定を行うことで、同一シリアルバスで最大4個のTB67S103Aに対し個別の動作設定を行うことができます。本評価ボードを使用すると、PWM定電流駆動/2相、1-2相、W1-2相、2W1-2相、4W1-2相、8W1-2相の各励磁駆動を簡単に試すことができます。 ID(2ビット)の設定が可能 低オン抵抗(上下和=0.49Ω)の出力MOSFETを内蔵 高効率定電流制御機能を採用 異常検出(TSD/ISD)フラグ出力機能を内蔵 過熱検出機能(TSD) 過電流検出機能(ISD) パワーオンリセット(POR)を内蔵 内部回路動作用のVCCレギュレータを内蔵 モータのチョッピング周波数を外付け部品で調整可能
DiodesZetex Nチャンネル MOSFET70 V 1.3 A 表面実装 パッケージSOT-23F 3 ピン DiodesZetexDiodesZetex Nチャンネル MOSFET70 V 1.3 A 表面実装 パッケージSOT-23F 3 ピンDiodesZetex
929税込1,022
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チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 1.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 70 Vシリーズ = IntelliFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 600 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大パワー消費 = 1.5 Wトランジスタ構成 = シングル幅 = 1.7mm動作温度 Min = -40 ℃mmIntelliFET自己保護式MOSFET、Diodes Inc. IntelliFETは自己保護式MOSFETで、完全な保護回路アレイを内蔵しているため、ESD(静電気に敏感なデバイス)、過電流、過電圧、過熱状態から保護されます。. 短絡保護、自動リスタート機能付き 過電圧保護(アクティブクランプ) 過電流保護 入力保護(ESD) 高連続定格電流 ロードダンプ保護 ロジックレベル入力
RoHS指令(10物質対応)対応
ステッピングモータドライバIC(TB67S101AFNG)評価基板 マルツエレックステッピングモータドライバIC(TB67S101AFNG)評価基板マルツエレック
9,398税込10,338
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東芝製のステッピングモータドライバIC(TB67S101AFNG)の評価基板 MTO-EV009FNG(TB67S101AFNG)は、東芝製のフェーズ入力方式バイポーラステッピングモータドライバICを搭載したモータ制御の評価ボードです。TB67S101AFNGは、PWMチョッパ型2相バイポーラ駆動、PHASE制御方式のステッピングモータドライバです。BiCDプロセスを採用し、出力耐圧50V、最大電流4.0Aを実現しています。本評価ボードを使用すると、PWM定電流駆動/2相、1-2相、W1-2相の各励磁駆動を簡単に試すことができます。 低オン抵抗(上下和=0.49Ω)の出力MOSFETを内蔵 高効率定電流制御機能を採用 過熱検出機能(TSD) 過電流検出機能(ISD) パワーオンリセット(POR)を内蔵 内部回路動作用のVCCレギュレータを内蔵 モータのチョッピング周波数を外付け部品で調整可能
ステッピングモータドライバIC(TB67S269FTG)評価基板 マルツエレックステッピングモータドライバIC(TB67S269FTG)評価基板マルツエレック
5,598税込6,158
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東芝製のステッピングモータドライバIC(TB67S269FTG)の評価基板 MTO-EV005FTG(TB67S269FTG)は、東芝製のクロック入力方式バイポーラステッピングモータドライバICを搭載したモータ制御の評価ボードです。TB67S269FTGは、PWMチョッパ型2相バイポーラ駆動、クロック入力制御方式のステッピングモータドライバです。本評価ボードを使用すると、PWM定電流駆動/2相、1-2相、W1-2相、2W1-2相、4W1-2相、8W1-2相の各励磁駆動を簡単に試すことができます。 低オン抵抗(上下和=0.8Ω)の出力MOSFETを内蔵 高効率定電流制御機能を採用 異常検出(TSD/ISD)フラグ出力機能を内蔵 過熱検出機能(TSD) 過電流検出機能(ISD) パワーオンリセット(POR)を内蔵 内部回路動作用のVCCレギュレータを内蔵 モータのチョッピング周波数を外付け部品で調整可能
ステッピングモータドライバIC(TB67S109AFNG)評価基板 マルツエレックステッピングモータドライバIC(TB67S109AFNG)評価基板マルツエレック
9,398税込10,338
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東芝製のステッピングモータドライバIC(TB67S109AFNG)の評価基板 MTO-EV009FNG(TB67S109AFNG)は、東芝製のクロック入力方式バイポーラステッピングモータドライバICを搭載したモータ制御の評価ボードです。TB67S109AFNGは、PWMチョッパ型2相バイポーラ駆動、クロック入力制御方式のステッピングモータドライバです。BiCDプロセスを採用し、出力耐圧50V、最大電流4.0Aを実現しています。本評価ボードを使用すると、PWM定電流駆動/2相、1-2相、W1-2相、2W1-2相、4W1-2相、8W1-2相の各励磁駆動を簡単に試すことができます。 低オン抵抗(上下和=0.49Ω)の出力MOSFETを内蔵 高効率定電流制御機能を採用 異常検出(TSD/ISD)フラグ出力機能を内蔵 過熱検出機能(TSD) 過電流検出機能(ISD) パワーオンリセット(POR)を内蔵 内部回路動作用のVCCレギュレータを内蔵 モータのチョッピング周波数を外付け部品で調整可能
onsemi Nチャンネル MOSFET250 V 44 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン onsemionsemi Nチャンネル MOSFET250 V 44 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピンonsemi
149,800税込164,780
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チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 44 A最大ドレイン-ソース間電圧 250 Vパッケージタイプ D2PAK (TO-263)実装タイプ 表面実装ピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 69 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 3V最大パワー消費 307 Wトランジスタ構成 シングル長さ 10.67mm動作温度 Min -55 ℃mmUniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。
RoHS指令(10物質対応)対応
ブラシ付きモータドライバIC(TB67H400AFNG)評価基板 マルツエレックブラシ付きモータドライバIC(TB67H400AFNG)評価基板マルツエレック
9,298税込10,228
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東芝製のブラシ付きモータドライバIC(TB67H400AHG)の評価基板 MTO-EV009FNG(TB67H400AFNG)は、東芝製のPWMチョッパ方式ブラシ付きモータドライバICを搭載したモータ制御の評価ボードです。TB67H400AFNGは、定電流PWM制御方式、ダイレクトPWM制御方式の両方に対応した2chのブラシ付きモータドライバで、2個のブラシ付きモータを独立に制御できます。出力耐圧50V、最大定格電流4.0A/chを実現し、出力部の並列制御機能(Largeモード)を使用して、最大定格電流8.0A/1chのブラシ付きモータドライバとしても使用できます。 PWM定電流駆動、ダイレクトPWM駆動に対応 正転/逆転/ブレーキ/STOP(OFF)の4モードに対応 低オン抵抗(上下和=0.49Ω)の出力MOSFETを内蔵 過熱検出機能(TSD) 過電流検出機能(ISD) パワーオンリセット(POR)を内蔵 内部回路動作用のVCC レギュレータを内蔵 モータのチョッピング周波数を外付け部品で調整可能
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ステッピングモータドライバIC(TB67S261FTG)評価基板 マルツエレックステッピングモータドライバIC(TB67S261FTG)評価基板マルツエレック
5,698税込6,268
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東芝製のステッピングモータドライバIC(TB67S261FTG)の評価基板 MTO-EV005FTG(TB67S261FTG)は、東芝製のフェーズ入力方式バイポーラステッピングモータドライバICを搭載したモータ制御の評価ボードです。TB67S261は、PWMチョッパ型2相バイポーラ駆動、PHASE制御方式のステッピングモータドライバです。本評価ボードを使用すると、PWM定電流駆動/2相、1-2相、W1-2相の各励磁駆動を簡単に試すことができます。 低オン抵抗(上下和=0.8Ω)の出力MOSFETを内蔵 高効率定電流制御機能を採用 異常検出(TSD/ISD)フラグ出力機能を内蔵 過熱検出機能(TSD) 過電流検出機能(ISD) パワーオンリセット(POR)を内蔵 内部回路動作用のVCCレギュレータを内蔵 モータのチョッピング周波数を外付け部品で調整可能
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