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バイパス用途など回路の定番の積層セラミックコンデンサです。

寿命特性105℃、2000時間を保証した高安定化アルミ電解コンデンサ

Vishay の高電圧クラス 1 セラミック単層 AC / DC ディスクコンデンサは、動作電圧 20000 V dc で動作します。高電圧電源、CO2 レーザー、X 線機器、溶接機器、産業用途などで使用できます。損失係数 1 kHz で 0.2 % ねじ止め端子取り付け

Vishay の高電圧クラス 1 セラミック単層 AC / DC ディスクコンデンサは、50000 V dc の動作電圧で動作します。高電圧電源、CO2 レーザー、X 線機器、溶接機器、産業用途などで使用できます。損失係数 1 kHz で 0.2 % ねじ止め端子取り付け

Vishay 高電圧セラミックコンデンサは、ラジアルリード付き単層ディスクです。このコンデンサは、両側に銀めっきが施されたセラミックディスクで構成されています。接続リードは、直径 0.026 インチ( 0.65 mm )及び 0.032 インチ( 0.80 mm )のスズめっき銅クラッドスチールワイヤ製です。静電容量： 1000 pF 小型サイズ 低損失

Vishay 高電圧セラミックコンデンサは、ラジアルリード付き単層ディスクです。このコンデンサは、両側に銀めっきが施されたセラミックディスクで構成されています。接続リードは、直径 0.026 インチ( 0.65 mm )及び 0.032 インチ( 0.80 mm )のスズめっき銅クラッドスチールワイヤ製です。静電容量： 1000 pF 小型サイズ 低損失

ムラタGRM 1206 C0G及びU2Jシリーズ積層構造で、小さなサイズで大きな静電容量値 スズめっきが施されたニッケルバリア終端(NiSn)で優れたはんだ付け性 高信頼性、極性なし GRMシリーズ温度補償タイプは、同調回路、発振回路、高周波フィルタ回路用、そして定格電圧が200 Vを超える電源ダンパースナバーに最適

KMGシリーズの1ランク小形化。 105℃、1000時間～2000時間保証(リプル重畳)。

R76シリーズは、ポリプロピレンフィルム製で、二重メタライズドポリエステルフィルムを電極として、スズめっきワイヤのラジアルリードを備えています。ラジアルリードは、コンデンサ巻線の末端の金属層に電気溶接されています。このコンデンサは、自消性と耐溶剤性を備えた、熱硬化性樹脂素材のプラスチックケースに封入されています。電圧パラメータに応じて2種類の巻線構造が使用されています。電圧範囲:100→2，000Vdc静電容量範囲:100pF→15μFリード間隔:7.5→37.5mm容量許容差:±2.5%、±5%、±10%動作温度範囲:-55℃→+125℃過酷な環境で使用可能鉛フリー終端テープ及びリールパッケージ自己回復機能用途代表的な用途には、共振回路、高周波高電流、スナバとシリコン制御整流器(SCR及びIGBT)、SiC(例MOSFET)転流回路と、高電圧と高電流を組み合わせて周囲温度の高い用途で使用できます。

R76シリーズは、ポリプロピレンフィルム製で、二重メタライズドポリエステルフィルムを電極として、スズめっきワイヤのラジアルリードを備えています。ラジアルリードは、コンデンサ巻線の末端の金属層に電気溶接されています。このコンデンサは、自消性と耐溶剤性を備えた、熱硬化性樹脂素材のプラスチックケースに封入されています。電圧パラメータに応じて2種類の巻線構造が使用されています。電圧範囲:100→2，000Vdc静電容量範囲:100pF→15μFリード間隔:7.5→37.5mm容量許容差:±2.5%、±5%、±10%動作温度範囲:-55℃→+125℃過酷な環境で使用可能鉛フリー終端テープ及びリールパッケージ自己回復機能用途代表的な用途には、共振回路、高周波高電流、スナバとシリコン制御整流器(SCR及びIGBT)、SiC(例MOSFET)転流回路と、高電圧と高電流を組み合わせて周囲温度の高い用途で使用できます。

R76シリーズは、ポリプロピレンフィルム製で、二重メタライズドポリエステルフィルムを電極として、スズめっきワイヤのラジアルリードを備えています。ラジアルリードは、コンデンサ巻線の末端の金属層に電気溶接されています。このコンデンサは、自消性と耐溶剤性を備えた、熱硬化性樹脂素材のプラスチックケースに封入されています。電圧パラメータに応じて2種類の巻線構造が使用されています。電圧範囲:100→2，000Vdc静電容量範囲:100pF→15μFリード間隔:7.5→37.5mm容量許容差:±2.5%、±5%、±10%動作温度範囲:-55℃→+125℃過酷な環境で使用可能鉛フリー終端テープ及びリールパッケージ自己回復機能用途代表的な用途には、共振回路、高周波高電流、スナバとシリコン制御整流器(SCR及びIGBT)、SiC(例MOSFET)転流回路と、高電圧と高電流を組み合わせて周囲温度の高い用途で使用できます。

R76シリーズは、ポリプロピレンフィルム製で、二重メタライズドポリエステルフィルムを電極として、スズめっきワイヤのラジアルリードを備えています。ラジアルリードは、コンデンサ巻線の末端の金属層に電気溶接されています。このコンデンサは、自消性と耐溶剤性を備えた、熱硬化性樹脂素材のプラスチックケースに封入されています。電圧パラメータに応じて2種類の巻線構造が使用されています。電圧範囲:100→2，000Vdc静電容量範囲:100pF→15μFリード間隔:7.5→37.5mm容量許容差:±2.5%、±5%、±10%動作温度範囲:-55℃→+125℃過酷な環境で使用可能鉛フリー終端テープ及びリールパッケージ自己回復機能用途代表的な用途には、共振回路、高周波高電流、スナバとシリコン制御整流器(SCR及びIGBT)、SiC(例MOSFET)転流回路と、高電圧と高電流を組み合わせて周囲温度の高い用途で使用できます。

通信ネットワークに侵入する雷サージから、接続されている機器を保護。 エレメント部をはずしても信号は途切れません。JIS対応

測温抵抗体および測温抵抗体変換器の雷サージ保護用。 計測信号に関係なくサージだけを吸収。 エレメント部をはずしても信号は途切れません。

R76シリーズは、ポリプロピレンフィルム製で、二重メタライズドポリエステルフィルムを電極として、スズめっきワイヤのラジアルリードを備えています。ラジアルリードは、コンデンサ巻線の末端の金属層に電気溶接されています。このコンデンサは、自消性と耐溶剤性を備えた、熱硬化性樹脂素材のプラスチックケースに封入されています。電圧パラメータに応じて2種類の巻線構造が使用されています。電圧範囲:100→2，000Vdc静電容量範囲:100pF→15μFリード間隔:7.5→37.5mm容量許容差:±2.5%、±5%、±10%動作温度範囲:-55℃→+125℃過酷な環境で使用可能鉛フリー終端テープ及びリールパッケージ自己回復機能用途代表的な用途には、共振回路、高周波高電流、スナバとシリコン制御整流器(SCR及びIGBT)、SiC(例MOSFET)転流回路と、高電圧と高電流を組み合わせて周囲温度の高い用途で使用できます。

R76シリーズは、ポリプロピレンフィルム製で、二重メタライズドポリエステルフィルムを電極として、スズめっきワイヤのラジアルリードを備えています。ラジアルリードは、コンデンサ巻線の末端の金属層に電気溶接されています。このコンデンサは、自消性と耐溶剤性を備えた、熱硬化性樹脂素材のプラスチックケースに封入されています。電圧パラメータに応じて2種類の巻線構造が使用されています。電圧範囲:100→2，000Vdc静電容量範囲:100pF→15μFリード間隔:7.5→37.5mm容量許容差:±2.5%、±5%、±10%動作温度範囲:-55℃→+125℃過酷な環境で使用可能鉛フリー終端テープ及びリールパッケージ自己回復機能用途代表的な用途には、共振回路、高周波高電流、スナバとシリコン制御整流器(SCR及びIGBT)、SiC(例MOSFET)転流回路と、高電圧と高電流を組み合わせて周囲温度の高い用途で使用できます。

R76シリーズは、ポリプロピレンフィルム製で、二重メタライズドポリエステルフィルムを電極として、スズめっきワイヤのラジアルリードを備えています。ラジアルリードは、コンデンサ巻線の末端の金属層に電気溶接されています。このコンデンサは、自消性と耐溶剤性を備えた、熱硬化性樹脂素材のプラスチックケースに封入されています。電圧パラメータに応じて2種類の巻線構造が使用されています。電圧範囲:100→2，000Vdc静電容量範囲:100pF→15μFリード間隔:7.5→37.5mm容量許容差:±2.5%、±5%、±10%動作温度範囲:-55℃→+125℃過酷な環境で使用可能鉛フリー終端テープ及びリールパッケージ自己回復機能用途代表的な用途には、共振回路、高周波高電流、スナバとシリコン制御整流器(SCR及びIGBT)、SiC(例MOSFET)転流回路と、高電圧と高電流を組み合わせて周囲温度の高い用途で使用できます。

TDKCタイプ1808高電圧シリーズ