「2.92mm」の検索結果

40GHZまで対応可能な低価格の高性能ケーブルです。 2.92mm(k)コネクタはSMA形や3.5mmコネクタとの篏合互換性があります。

鋼に比べ抜群の耐磨耗性に優れ経年変化に強い材質です。サビ、腐食の心配がなく使用後の保守、管理が容易です。非磁性体のため磁気を帯びることがないです。キズ、打痕による塑性変化が少なく、カエリ、フクラミがないです。プラスチックケース付です。

・最もポピュラーなタイプの鋼製のピンゲージです。 ・プラスチックケース付です。 ・ピンゲージに呼び寸法が印字してあります。 ・サブゼロ処理済です。

耐摩耗性に優れ機械、機械部品の摩耗部分の仕様に適します。

耐摩耗性に優れ機械、機械部品の摩耗部分の仕様に適します。

耐摩耗性に優れ機械、機械部品の摩耗部分の仕様に適します。

耐摩耗性に優れ機械、機械部品の摩耗部分の仕様に適します。

-200～700℃までの温度範囲で使用され、試験用、実験用の温度測定が主ですが、最近では燃料電池業界などでも使用され、活躍の場を広げています。データロガー用温度センサーとしても広く使用されています。構造が単純なので保護管タイプと比べると安価でスペースも取りません。ただ、その分強度は劣ります。

MIL-STD-348A準拠。SMKコネクタ(40GHz)。2.92mm構造でミリ波(DC to 40GHz)対応コネクタ SMA、3.5mmコネクタと互換性あり ネットワークアナライザの精密測定に最適。ケーブルは、セミフレキタイプを使用

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2mV。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 4.57mm。幅 = 2.92mm。高さ = 2.05mm。寸法 = 4.57 x 2.92 x 2.05mm。メーカー品番の先頭はNSVまたはSURの製品は、AEC-Q101自動車規格に適合しています。. ON Semiconductor 整流ダイオード 2 → 3 A

JMAS規格に準じた径精度±1μmのスタンダードなピンゲージです 0.99mmまではプラスチックケースに呼び寸法を表示しています 1.00mm以上にはピンゲージにも呼び寸法をレーザー刻印しています 最小呼び寸法0.2mmからはじまる0.01トビのピンゲージです(7.00から0.1トビ) 全品サブゼロ処理済みです

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 4.57mm。幅 = 2.92mm。高さ = 2mm。寸法 = 4.57 x 2.92 x 2mm。メーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、1 A → 1.5 A、ON Semiconductor

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 24.4V。最小ブレークダウン電圧 = 16.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大逆スタンドオフ電圧 = 15V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 400W。最大ピークパルス電流 = 16.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 2.92mm。過渡電圧サプレッサ、SMT双方向400 W、SMAJシリーズ、Diodes Inc

もっとも広い用途で使用される汎用ドリルです。

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 3.5V。最小ブレークダウン電圧 = 53.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大逆スタンドオフ電圧 = 48V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 400W。最大ピークパルス電流 = 35A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.57 x 2.92 x 2.42mm。幅 = 2.92mm。SMBJシリーズ400 W TVSダイオード、単方向. 単方向過渡電圧抑制ダイオードは、ピークパルス容量が400 Wで、コンパクトなDO214AB (SMB)表面実装パッケージに収められています。

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 38.9V。最小ブレークダウン電圧 = 26.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大逆スタンドオフ電圧 = 24V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 400W。最大ピークパルス電流 = 35A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 2.92mm。SMBJシリーズ400 W TVSダイオード、単方向. 単方向過渡電圧抑制ダイオードは、ピークパルス容量が400 Wで、コンパクトなDO214AB (SMB)表面実装パッケージに収められています。

ダイオード構成 = シングル。最小ブレークダウン電圧 = 33.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大逆スタンドオフ電圧 = 30V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 400W。最大ピークパルス電流 = 35A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 2.92mm。SMBJシリーズ400 W TVSダイオード、双方向. 双方向過渡電圧抑制ダイオードは、ピークパルス容量が400 Wで、コンパクトなDO214AB (SMB)表面実装パッケージに収容されています。

ピンゲージバラになります。セット品の補充、必要なサイズのみ必要な場合は手軽に測定できます。

ステンレス鋼、軟鋼、アルミ合金、銅合金などに最適な、レギュラ溝長シリーズです。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 220 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.6V。最大パワー消費 = 350 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V。長さ = 2.92mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 1.7 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 230 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 2.92mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 2.2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1V。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。長さ = 2.92mm。高さ = 0.94mm。Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。