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丸洗い洗浄が可能です。洗浄は深さ10cmの液浴槽にて、5分以内で実施してください。コイルバネ、滑動棒、切換板の組合せによる、独自の切換節度機構により、確実な切換えと軽快な操作感が得られます。PC-H、PC-V端子形は、1/2インチカードラックに適用が可能です。レバーに樹脂を採用することにより、静電耐圧20kV以上(レバー先端にて)を確保しております。レバー倒れ角度が大きい(26°)ので、倒れ方向が明確になります。スライディング・ツイン・クロスバー・コンタクト機構採用。微小電流、低電圧領域に対し安定した高い接触信頼性を保持します。端子部はエポキシシールにより、フラックス等の浸入及び端子ガタの発生を防止し、接触の安定性を一層向上しています。端子間ピッチはインチピッチを採用したプリント基板用です。

パーツ一体式クイックテント・ミスタークイック。あらゆる行事をスピーディーに演出するイベント用テント。設営撤去は二人で簡単にできます。住宅展示場・現地案内、販売促進、工事現場等の用途に最適!

金属塗装のパテやサーフェーサーの研磨に。自動車補修研磨作業に。豊富な粒度の中からお選びください。

産業機械用オイルエレメントです。

産業機械用フューエルエレメントです。

定格平均オン電流 = 12A実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220AB最大ゲートトリガー電流 = 35mA繰返しピーク逆方向電圧 = 600Vサージ電流レーティング = 100Aピン数 = 3最大ゲートトリガー電圧 = 1.5V繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V最大保持電流 = 40mA寸法 = 10.28 x 4.82 x 15.75mm長さ = 10.28mm幅 = 4.82mm高さ = 15.75mm繰返しピークオフステート電流 = 2mAトライアック、ON Semiconductor

定格平均オン電流 = 12A実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220AB最大ゲートトリガー電流 = 50mA繰返しピーク逆方向電圧 = 800Vサージ電流レーティング = 126Aピン数 = 3最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V最大保持電流 = 50mA寸法 = 10.4 x 4.6 x 15.9mm長さ = 10.4mm幅 = 4.6mm高さ = 15.9mm繰返しピークオフステート電流 = 1mATRIAC、8 → 12 A、STMicroelectronics

Infineon PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 12 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 MΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 60000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 V幅 = 4.83mm高さ = 9.4mmFairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。