「ab-8n」の検索結果

ビス止めのため、確実・強固な固定が可能。

低圧仕様に対応。コンパクト、軽量。豊富な口径ラインアップ。工場にてクラッキング圧力をセットし出荷。

ショルダーベルト付きで立ったまま7～8インチまでのタブレットPCを操作できるケースです。ケース全面に衝撃吸収素材を使用し、外部からの衝撃からタブレットを守ります。防滴・防塵タイプで水周りやホコリの立ちやすい屋外での使用に最適です。カメラ窓付きで、ケースに入れたままカメラ機能を使用できます。(機種によっては対応できない場合もあります)。ベルトを付け替えることで、縦・横どちらでもタブレットPCを操作できます。背面にはハンドベルト付きで片手で操作可能です。機器の管理に便利な、名刺ポケット付きです。角落ちにも強い角補強パーツ付きです。ペンホルダー付きです。

・ベースレス構造の低背形カセットタイプ。 ・ボディ幅7.5mm(SJ2000)、10mm(SJ3000)による省スペースタイプ。 ・SJ2000、SJ3000の混載が可能。 ・コネクタ接続により連数の増減、バルブの交換が容易。 ・ワンサイドソレノイド。 ・4位置デュアル3ポート弁仕様あり。 ・マニホールド型式：SS5J2， SS5J3

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 310000 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.83mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 900 V。シリーズ = QFET。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.4 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 205000 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。QFETR NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。チャンネルモード = エンハンスメント型。1チップ当たりのエレメント数 = 1

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 V。シリーズ = QFET。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.55 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 178000 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。QFETR NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 850 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大パワー消費 = 125 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。幅 = 4.7mm。高さ = 9.01mm。NチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 850 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 125 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。幅 = 4.7mm。高さ = 9.01mm。NチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

サーモスタットとは自動車の冷却回路の中にある部品です。 エンジンの温度を適温に保つため、水温を感知し、冷却水を流したり止めたりするバルブです。 また、サーモスタットは、電気が無くても自分で温度を感知し、自分でバルブを開閉させるセンサー&アクチュエータ機能を1つにパッケージした大変優れた部品です。

ベーシック-除じんフィルター(CU) 除じんフィルターは、流入する空気から粒子を分離します。流入する空気からの粒子状物質の基本的な分離。マンフィルターでは、フィルターの性能に誇りを持っており、有害な粒子を最大95%抽出するため、車内の清潔で健康的な空気を楽しむことができます。また、空調システム内の汚れの蓄積を防ぎ、寿命を延ばします。

高い省エネ性能により、従来蛍光灯器具からリニューアルすることで、電気代削減に繋がります。(グリーン購入法適合品)

高い省エネ性能により、従来蛍光灯器具からリニューアルすることで、電気代削減に繋がります。(グリーン購入法適合品)

Wi-Fi 6/6E対応のオールインワン・ハンドヘルド・ネットワークアナライザー Wi-Fi 6/6E測量( AirMapper Site Surveyを使用)、トラブルシューティング、および分析のための業界初のハンドヘルドアナライザー。マルチテクノロジーのオールインワンハンドヘルドネットワークアナライザー。これにより、エンジニアと技術者は、変化し続けるWi-Fi、Bluetooth/BLE、イーサネットアクセスネットワークの展開から保守、文書化まで、より迅速に作業を行うことができます。

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