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「irlz44n mosfet」の検索結果

一般整流ダイオード
新電元(17件のレビュー)¥289~税込¥318~1袋(10個)当日出荷高耐圧のPN接合型整流素子です。チップ構造についてメーカー独自の化学的物理的に安定したガラスパッシベーションを使用しており、耐湿性、耐熱性に優れた構造です。タイプアキシャル電圧(V)(せん頭逆電圧)600温度(℃)(接合部温度)150保存温度(℃)-55~150
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 58 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝¥869税込¥9561袋(5個)当日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 58 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
整流ダイオード1N4007G 1KV/1A
ON SEMICONDUCTOR(1件のレビュー)¥40税込¥441本当日出荷仕様●VRM[V]:1000V●Io[A]:1.0A●trr[sec]:-●パッケージ:DO-204AL、DO-41、アキシャル●内部回路:-●VRM[V]:1000Vアズワン品番68-2036-39
ショットキーバリアダイオード
新電元(5件のレビュー)¥419~税込¥461~1袋(10個)当日出荷から6日以内出荷用途PN接合より順方向の立ち上がり電圧が低く、スイッチング速度が極めて速く、高速低VFダイオードとして最適の整流素子です。
整流ダイオード 1kV/1A
TAIWAN SEMICONDUCTOR¥109税込¥1201個当日出荷一般整流用ダイオード。ガラスパッシベーションチップジャンクション。高電流能力、低VF。高信頼性。高いサージ電流能力。低電力損失、高効率。IEC61249-2-21に準拠したハロゲンフリー仕様●取り付け方式:スルーホール●パッケージ/ケース:DO-41●逆電圧:1000V●順電流:1A●構成:Single●順電圧:1V●最大サージ電流:30A●逆電流:5μA●動作温度範囲:-55℃~+150℃アズワン品番67-0394-63
ファストリカバリーダイオード
新電元(2件のレビュー)¥429税込¥4721袋(10個)当日出荷逆回復特性が向上した高耐圧のPN接合型高速整流素子です。用途家電分野はもとより、OA機器、FA機器分野のスイッチング電源などに最適です。スイッチング周波数は100kHz程度であり、高周波化傾向にあるスイッチング電源に対応しています。タイプアキシャル電流(A)25電圧(V)200出力電流(A)1保存温度(℃)-55~150
逆流防止ダイオード DC12V車専用
(58件のレビュー)¥499税込¥5491袋(2個)当日出荷電流の逆流や回り込みの防止。 各種電装品のプラス ・マイナス配線の逆接続の保護にご使用頂けます。用途DC12V車専用適合DC12V車専用全長(mm)285最大電流(A)6適合電線径1.25sq相当販売区分業務用
Vishay 整流ダイオード, 1A, 1000V, 2-Pin MPG06
VISHAY¥2,898税込¥3,1881袋(50個)当日出荷仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 1000V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = MPG06ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.1V長さ = 3.18mmピーク逆回復時間 = 600ns直径 = 2.54mm動作温度 Min = -55 ℃標準回復整流器、1 A、450 V超. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。RoHS指令(10物質対応)対応
定電流ダイオード リードタイプ Eシリーズ
SEMITEC(1件のレビュー)¥859~税込¥945~1パック(10個)当日出荷から13日以内出荷定電流ダイオードCRD(Current Regulative Diode)は、小型で、安定した定電流特性を 供給する素子です。 定電流ダイオードCRD Eシリーズは、DO-35 スタイルのDHD(Double Heatsink Diode)構造です。 気密封止で高信頼性、部品材料が安価で量産性に優れている。DO35(300mW)パッケージを使用した小型素子。 これにより、定格電流20mAの高輝度LEDの輝度安定用として定格電流を超えない 一定電流を単一の部品で供給することが可能です。用途LED輝度安定用の定電流供給、LED蛍光灯・LED街路灯・LED電球・LEDダウンライト、ツエナーダイオードに定電流を供給する定電圧回路、近接センサ等、各種センサへの定電流供給、バッテリーの充放電回路、電解コンデンサの通電エージング装置、各種半導体の定電流での検査装置、通信回線のイーターフェース、漏電遮断機、圧電アクチュエータへの電流供給、安定化電源回路定格電力(W)0.3許容電流(A)(逆方向)0.05対応RoHS接着部の温度(℃)150相対湿度45~75%周囲温度(℃)25±3動作温度範囲(℃)-30~150
オンセミ, 整流ダイオード, 3A, 200V, 2-Pin DO-201AD
ON SEMICONDUCTOR¥469税込¥5161袋(10個)当日出荷仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-201ADダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V高さ = 9.5mm直径 = 5.3mm動作温度 Max = +150 ℃メーカー品番がNSV-又はSUR-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、2 A → 3 A、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
整流ダイオード
エーモン(20件のレビュー)¥599~税込¥659~1パック(2本)ほか当日出荷各種電装品のプラス・マイナス配線の逆接続保護用途電流の逆流・回り込みを防止する。適合DC12V車専用全長265mmコード長さ(mm)265入数2個
Infineon Nチャンネル MOSFET55 V 51 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
INFINEON¥879税込¥9671袋(5個)7日以内出荷インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 51 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 14 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 80 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 29 nC @ 10 V動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
























