「irlz44n mosfet」の検索結果

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  • IRFZ44VPBF INFINEON

    IRFZ44VPBF

    INFINEON
    209税込230
    1個
    当日出荷
  • IRLZ44NPBF INFINEON

    IRLZ44NPBF

    INFINEON
    229税込252
    1個
    欠品中
  • 一般整流ダイオード 新電元

    一般整流ダイオード

    新電元(17件のレビュー)
    289税込318
    1袋(10個)
    当日出荷
    高耐圧のPN接合型整流素子です。チップ構造についてメーカー独自の化学的物理的に安定したガラスパッシベーションを使用しており、耐湿性、耐熱性に優れた構造です。
    タイプアキシャル電圧(V)(せん頭逆電圧)600温度(℃)(接合部温度)150保存温度(℃)-55~150
  • Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 58 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ 東芝

    Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 58 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ

    東芝
    869税込956
    1袋(5個)
    当日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 58 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
  • 整流ダイオード1N4007G 1KV/1A ON SEMICONDUCTOR

    整流ダイオード1N4007G 1KV/1A

    ON SEMICONDUCTOR(1件のレビュー)
    40税込44
    1本
    当日出荷
    仕様●VRM[V]:1000V●Io[A]:1.0A●trr[sec]:-●パッケージ:DO-204AL、DO-41、アキシャル●内部回路:-●VRM[V]:1000Vアズワン品番68-2036-39
  • IRFZ34NPBF INFINEON

    IRFZ34NPBF

    INFINEON
    179税込197
    1個
    7日以内出荷
  • オンセミ, 標準回復 整流ダイオード ON SEMICONDUCTOR

    オンセミ, 標準回復 整流ダイオード

    ON SEMICONDUCTOR
    1,698税込1,868
    1袋(100個)
    当日出荷
  • ショットキーバリアダイオード 新電元

    ショットキーバリアダイオード

    新電元(5件のレビュー)
    419税込461
    1袋(10個)
    当日出荷から6日以内出荷
    用途PN接合より順方向の立ち上がり電圧が低く、スイッチング速度が極めて速く、高速低VFダイオードとして最適の整流素子です。
  • Vishay 整流ダイオード VISHAY

    Vishay 整流ダイオード

    VISHAY
    309税込340
    1袋(10個)ほか
    当日出荷から9日以内出荷
  • 整流ダイオード 1kV/1A TAIWAN SEMICONDUCTOR

    整流ダイオード 1kV/1A

    TAIWAN SEMICONDUCTOR
    109税込120
    1個
    当日出荷
    一般整流用ダイオード。ガラスパッシベーションチップジャンクション。高電流能力、低VF。高信頼性。高いサージ電流能力。低電力損失、高効率。IEC61249-2-21に準拠したハロゲンフリー
    仕様●取り付け方式:スルーホール●パッケージ/ケース:DO-41●逆電圧:1000V●順電流:1A●構成:Single●順電圧:1V●最大サージ電流:30A●逆電流:5μA●動作温度範囲:-55℃~+150℃アズワン品番67-0394-63
  • ファストリカバリーダイオード 新電元

    ファストリカバリーダイオード

    新電元(2件のレビュー)
    429税込472
    1袋(10個)
    当日出荷
    逆回復特性が向上した高耐圧のPN接合型高速整流素子です。
    用途家電分野はもとより、OA機器、FA機器分野のスイッチング電源などに最適です。スイッチング周波数は100kHz程度であり、高周波化傾向にあるスイッチング電源に対応しています。タイプアキシャル電流(A)25電圧(V)200出力電流(A)1保存温度(℃)-55~150
  • Infineon Nチャンネル パワーMOSFET INFINEON

    Infineon Nチャンネル パワーMOSFET

    INFINEON
    599税込659
    1個ほか
    翌々日出荷から9日以内出荷
  • 逆流防止ダイオード DC12V車専用 モノタロウ

    逆流防止ダイオード DC12V車専用

    モノタロウ(58件のレビュー)
    499税込549
    1袋(2個)
    当日出荷
    電流の逆流や回り込みの防止。 各種電装品のプラス ・マイナス配線の逆接続の保護にご使用頂けます。
    用途DC12V車専用適合DC12V車専用全長(mm)285最大電流(A)6適合電線径1.25sq相当販売区分業務用
  • Vishay 整流ダイオード, 1A, 1000V, 2-Pin MPG06 VISHAY

    Vishay 整流ダイオード, 1A, 1000V, 2-Pin MPG06

    VISHAY
    2,898税込3,188
    1袋(50個)
    当日出荷
    仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 1000V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = MPG06ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.1V長さ = 3.18mmピーク逆回復時間 = 600ns直径 = 2.54mm動作温度 Min = -55 ℃標準回復整流器、1 A、450 V超. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。RoHS指令(10物質対応)対応
  • 定電流ダイオード リードタイプ Eシリーズ SEMITEC

    定電流ダイオード リードタイプ Eシリーズ

    SEMITEC(1件のレビュー)
    859税込945
    1パック(10個)
    当日出荷から13日以内出荷
    定電流ダイオードCRD(Current Regulative Diode)は、小型で、安定した定電流特性を 供給する素子です。 定電流ダイオードCRD Eシリーズは、DO-35 スタイルのDHD(Double Heatsink Diode)構造です。 気密封止で高信頼性、部品材料が安価で量産性に優れている。DO35(300mW)パッケージを使用した小型素子。 これにより、定格電流20mAの高輝度LEDの輝度安定用として定格電流を超えない 一定電流を単一の部品で供給することが可能です。
    用途LED輝度安定用の定電流供給、LED蛍光灯・LED街路灯・LED電球・LEDダウンライト、ツエナーダイオードに定電流を供給する定電圧回路、近接センサ等、各種センサへの定電流供給、バッテリーの充放電回路、電解コンデンサの通電エージング装置、各種半導体の定電流での検査装置、通信回線のイーターフェース、漏電遮断機、圧電アクチュエータへの電流供給、安定化電源回路定格電力(W)0.3許容電流(A)(逆方向)0.05対応RoHS接着部の温度(℃)150相対湿度45~75%周囲温度(℃)25±3動作温度範囲(℃)-30~150
  • オンセミ, 整流ダイオード, 3A, 200V, 2-Pin DO-201AD ON SEMICONDUCTOR

    オンセミ, 整流ダイオード, 3A, 200V, 2-Pin DO-201AD

    ON SEMICONDUCTOR
    469税込516
    1袋(10個)
    当日出荷
    仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-201ADダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V高さ = 9.5mm直径 = 5.3mm動作温度 Max = +150 ℃メーカー品番がNSV-又はSUR-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、2 A → 3 A、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
  • IRLZ34NPBF INFINEON

    IRLZ34NPBF

    INFINEON
    209税込230
    1個
    7日以内出荷
  • 整流ダイオード エーモン

    整流ダイオード

    エーモン(20件のレビュー)
    599税込659
    1パック(2本)ほか
    当日出荷
    各種電装品のプラス・マイナス配線の逆接続保護
    用途電流の逆流・回り込みを防止する。適合DC12V車専用全長265mmコード長さ(mm)265入数2個
  • N channel VBRDSS 60 V VISHAY

    N channel VBRDSS 60 V

    VISHAY
    1,998税込2,198
    1袋(5個)ほか
    7日以内出荷
    仕様IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)RoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFET55 V 51 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET55 V 51 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン

    INFINEON
    879税込967
    1袋(5個)
    7日以内出荷
    インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 51 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 14 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 80 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 29 nC @ 10 V動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
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