「ismma」の検索結果

抵抗 = 3kΩテクノロジー = 薄膜パッケージ/ケース = MELF 0204 ( MELF 0204 )許容差 = ±0.1%定格電力 = 0.25W温度係数 = ±15ppm/℃シリーズ = MMA0204動作温度 Min = -55℃動作温度 Max = +175℃EN140401-803. MMA 0204精密MELF 0.1 %抵抗. アドバンスド薄膜テクノロジ 高い安定性: クラス0.05 幅広い精密範囲: 43 Ω → 220 kΩ 圧入スチールキャップ、すずめっきニッケルバリヤ ニッケルバリヤ層の純Sn終端処理 リード(Pb)フリー及びリード含有はんだプロセスに対応

抵抗 = 10MΩテクノロジー = 薄膜パッケージ/ケース = MELF 0204 ( MELF 0204 )許容差 = ±1%定格電力 = 0.25W温度係数 = ±50ppm/℃シリーズ = MMA0204動作温度 Min = -55℃動作温度 Max = +125℃EN140401-803. MMA 0204 - 業務用. アドバンスド薄膜テクノロジ クラス0.25を超える高い総合安定性 圧入スチールキャップ、すずめっきニッケルバリヤ ニッケルバリヤ層の純Sn終端処理 リード(Pb)フリー及びリード含有はんだプロセスに対応

”RF100mm F2.8 L MACRO IS USM”は、描写性能や操作性、堅牢(けんろう)性などで最高水準を追求したプロフォトグラファーやハイアマチュアユーザー向けの「L (Luxury)」レンズです。 最大撮影倍率1.4倍のマクロ(近接)撮影と、ボケ描写を自由に変えられる「SAコントロールリング」により多彩な表現が可能です。 RFレンズとして等倍以上のマクロ機能を初めて搭載した本格的なマクロレンズをラインアップに加えることで、「EOS Rシステム」の撮影領域を拡大し、ユーザーの幅広い表現を可能にします。 「RFマウント」の特長のひとつであるショートバックフォーカスを生かし、13群17枚のレンズ構成におけるフォーカスレンズ群とフローティングレンズ群の可動域を最大化し、最大撮影倍率1.4倍、最短撮影距離0.26mのマクロ撮影を実現しています。 等倍を超える撮影倍率により被写体にせまる迫力のある描写や、身の回りの小物や花などの肉眼では捉えることが難しい細部や質感の表現ができます。 球面収差を変化させることができる「SAコントロールリング」を採用しています。 リングを回転するだけで、ユーザーの好みに合わせて、フォーカス位置の輪郭を柔らかくしたり、フォーカス位置の前後のボケを変化させることができるため、多彩な写真表現を手軽に楽しめます。 最前面に凹面レンズを採用することで、至近撮影時の球面収差を抑制しています。これを含む13群17枚の新規光学設計により、画質劣化の原因となる諸収差を低減し、画面全域で高画質な描写を実現しています。また、「EOS R5」(2020年7月発売)装着時は、ボディー内の手ブレ補正機構と協調制御することで、静止画撮影時に8.0段の手ブレ補正効果を実現し、動画撮影時も高い手ブレ補正効果を発揮します。

抵抗 = 62Ωテクノロジー = 薄膜パッケージ/ケース = MELF 0204 ( MELF 0204 )許容差 = ±0.1%定格電力 = 0.07W温度係数 = ±15ppm/K自動車規格 = AEC-Q200シリーズ = MMA動作温度 Min = -10℃動作温度 Max = +85℃EN140401-803. MMA 0204精密MELF 0.1 %抵抗. アドバンスド薄膜テクノロジ 高い安定性: クラス0.05 幅広い精密範囲: 43 Ω → 220 kΩ 圧入スチールキャップ、すずめっきニッケルバリヤ ニッケルバリヤ層の純Sn終端処理 リード(Pb)フリー及びリード含有はんだプロセスに対応

抵抗 = 22Ωテクノロジー = 薄膜パッケージ/ケース = MELF 0204 ( MELF 0204 )許容差 = ±1%定格電力 = 0.25W温度係数 = ±50ppm/K自動車規格 = AEC-Q200シリーズ = MMA動作温度 Min = -55℃動作温度 Max = +125℃EN140401-803. MMA 0204 - 業務用. アドバンスド薄膜テクノロジ クラス0.25を超える高い総合安定性 圧入スチールキャップ、すずめっきニッケルバリヤ ニッケルバリヤ層の純Sn終端処理 リード(Pb)フリー及びリード含有はんだプロセスに対応

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 9.2V最小ブレークダウン電圧 = 6.4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大逆スタンドオフ電圧 = 5Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 400W最大ピークパルス電流 = 43.5A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 2.79mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 24.4V最小ブレークダウン電圧 = 16.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大逆スタンドオフ電圧 = 15Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 400W最大ピークパルス電流 = 16.4A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 2.79mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 11.2V最小ブレークダウン電圧 = 7.22V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大逆スタンドオフ電圧 = 6.5Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 400W最大ピークパルス電流 = 35.7A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm高さ = 2.087mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 48.4V最小ブレークダウン電圧 = 33.3V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大逆スタンドオフ電圧 = 30Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 400W最大ピークパルス電流 = 8.3A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 2.79mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

抵抗 = 33kΩテクノロジー = 薄膜パッケージ/ケース = MELF 0204 ( MELF 0204 )許容差 = ±0.1%定格電力 = 0.07W温度係数 = ±15ppm/K自動車規格 = AEC-Q200シリーズ = MMA動作温度 Min = -10℃動作温度 Max = +85℃EN140401-803. MMA 0204精密MELF 0.1 %抵抗. アドバンスド薄膜テクノロジ 高い安定性: クラス0.05 幅広い精密範囲: 43 Ω → 220 kΩ 圧入スチールキャップ、すずめっきニッケルバリヤ ニッケルバリヤ層の純Sn終端処理 リード(Pb)フリー及びリード含有はんだプロセスに対応

抵抗 = 220Ωテクノロジー = 薄膜パッケージ/ケース = MELF 0204 ( MELF 0204 )許容差 = ±1%定格電力 = 0.25W温度係数 = ±50ppm/K自動車規格 = AEC-Q200シリーズ = MMA動作温度 Min = -55℃動作温度 Max = +125℃EN140401-803. MMA 0204 - 業務用. アドバンスド薄膜テクノロジ クラス0.25を超える高い総合安定性 圧入スチールキャップ、すずめっきニッケルバリヤ ニッケルバリヤ層の純Sn終端処理 リード(Pb)フリー及びリード含有はんだプロセスに対応

抵抗 = 10kΩテクノロジー = 薄膜パッケージ/ケース = MELF 0204 ( MELF 0204 )許容差 = ±0.1%定格電力 = 0.07W温度係数 = ±15ppm/K自動車規格 = AEC-Q200シリーズ = MMA動作温度 Min = -55℃動作温度 Max = +125℃EN140401-803. MMA 0204精密MELF 0.1 %抵抗. アドバンスド薄膜テクノロジ 高い安定性: クラス0.05 幅広い精密範囲: 43 Ω → 220 kΩ 圧入スチールキャップ、すずめっきニッケルバリヤ ニッケルバリヤ層の純Sn終端処理 リード(Pb)フリー及びリード含有はんだプロセスに対応

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 53.3V最小ブレークダウン電圧 = 36.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大逆スタンドオフ電圧 = 33Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 400W最大ピークパルス電流 = 7.5A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 2.79mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 9.2V最小ブレークダウン電圧 = 6.4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大逆スタンドオフ電圧 = 5Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 400W最大ピークパルス電流 = 43.5A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 2.79mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 93.6V最小ブレークダウン電圧 = 64.4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大逆スタンドオフ電圧 = 58Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 400W最大ピークパルス電流 = 4.3A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 4.5 x 2.79 x 2.09mm高さ = 2.09mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 19.9V最小ブレークダウン電圧 = 13.3V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大逆スタンドオフ電圧 = 12Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 400W最大ピークパルス電流 = 20.1A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 2.79mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 53.3V最小ブレークダウン電圧 = 36.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大逆スタンドオフ電圧 = 33Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 400W最大ピークパルス電流 = 7.5A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 2.79mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 24.4V最小ブレークダウン電圧 = 16.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大逆スタンドオフ電圧 = 15Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 400W最大ピークパルス電流 = 16.4A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 2.79mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor