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旧ナショナルセミコンダクタ(現TIに吸収)が開発したJ-FET入力型OPアンプです。 データーシートの冒頭にあるようにJ-FET入力型の最初期から存在し使い続けられてきた製品です。 古い製品ですがあまり精度の必要でない直流と20kHz以下のオーディオ帯域程度を扱うには十分で、低入力電流、高入力抵抗、高スルーレートというJ-FET入力型の特徴から現在でも使いやすい標準品として親しまれています。なお、本品は1回路入りなのでご注意ください。

|yfs|が大きい (|yfs|=4mS[標準]) RDS(ON)が小さい (RDS(ON)=220Ω[標準]) 2SJ498は、小形樹脂封止形のPチャネル接合形電界効果トランジスタで、低周波電圧増幅、アナログスイッチ用として設計製造されております。とくに| yfs| 特性、RDS(ON)特性が優れており、オーディオ、ビデオ機器をはじめとする電子機器に最適です。 また、2SK2880(Nチャネル)とコンプリメンタリ特性となっています。

TIの開発した4回路入りJ-FET入力型OPアンプです。 2回路入りTL072の4回路版です。入力インピーダンスが高くバイアス電流がほとんど流れない特性はバイポーラ入力型よりもOPアンプの理想に近く特性のバランスが取れた使いやすい製品として使われ続けています。 電源電圧は±15Vが標準で+5V以下の単電源など低電圧での使用には向きません。

チャンネルタイプ = N。IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 20mA。最大ゲート-ソース間電圧 = -35 V。最大ドレイン-ゲート間電圧 = 35V。トランジスタ構成 = シングル。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 30 Ω。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-92。ピン数 = 3。ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 28pF。ソースゲート オンキャパシタンス = 28pF。寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm。幅 = 4.19mm。NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 5mA。最大ゲート-ソース間電圧 = -35 V。最大ドレイン-ゲート間電圧 = 35V。トランジスタ構成 = シングル。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 Ω。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-92。ピン数 = 3。ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 28pF。ソースゲート オンキャパシタンス = 28pF。寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm。高さ = 5.33mm。NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 5mA。最大ゲート-ソース間電圧 = -35 V。最大ドレイン-ゲート間電圧 = 35V。トランジスタ構成 = シングル。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 Ω。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 3。ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 28pF。ソースゲート オンキャパシタンス = 28pF。寸法 = 2.92 x 1.3 x 0.93mm。幅 = 1.3mm。NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 2mA。最大ゲート-ソース間電圧 = -35 V。最大ドレイン-ゲート間電圧 = 35V。トランジスタ構成 = シングル。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 Ω。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-92。ピン数 = 3。ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 28pF。ソースゲート オンキャパシタンス = 28pF。寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm。幅 = 4.19mm。NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 40mA。最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V。最大ドレイン-ゲート間電圧 = 25V。トランジスタ構成 = シングル。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 12 Ω。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-92。ピン数 = 3。ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 85pF。ソースゲート オンキャパシタンス = 85pF。寸法 = 4.58 x 3.86 x 4.58mm。幅 = 3.86mm。NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = P。IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = -2 to -15mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 15 V。最大ゲート-ソース間電圧 = +30 V。最大ドレイン-ゲート間電圧 = -30V。トランジスタ構成 = シングル。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 3。寸法 = 2.9 x 1.3 x 1.04mm。幅 = 1.3mm。PチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = 1.2 to 3mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。最大ドレイン-ゲート間電圧 = -30V。トランジスタ構成 = シングル。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-883。ピン数 = 3。ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 4pF。ソースゲート オンキャパシタンス = 4pF。寸法 = 1.08 x 0.68 x 0.41mm。高さ = 0.41mm。NチャンネルJFET、ON Semiconductor

チャンネルタイプ = N。IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 8mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 0.2 V。最大ゲート-ソース間電圧 = -40 V。最大ドレイン-ゲート間電圧 = 40V。回路構成 = シングル。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 80 Ω。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 3。寸法 = 2.92 x 1.3 x 0.93mm。高さ = 0.93mm。NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = 8 to 80mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 0.4 V。最大ゲート-ソース間電圧 = -40 V。最大ドレイン-ゲート間電圧 = 40V。トランジスタ構成 = シングル。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 3。寸法 = 2.9 x 1.3 x 0.97mm。幅 = 1.3mm。NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = P。IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = -2 to -25mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 15 V。最大ゲート-ソース間電圧 = +30 V。最大ドレイン-ゲート間電圧 = -30V。トランジスタ構成 = シングル。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 250 Ω。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 3。寸法 = 2.92 x 1.3 x 0.93mm。幅 = 1.3mm。PチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor