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「mosfet p」の検索結果
Vishay Pチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 6.7 A， 3 ピン パッケージTO-220AB
VISHAY￥339税込￥3731個当日出荷仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 43 W動作温度 Max = +175 ℃PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル パワーMOSFET， 400 V， 1.8 A， 3 ピン パッケージIPAK (TO-251)
VISHAY￥419税込￥4611個当日出荷仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 1.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7Ω最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = IPAK (TO-251)実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 50 W標準ターンオフ遅延時間 = 25 nsPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
MOSFET P-Channel
VISHAY￥15,980税込￥17,5781セット(50個)7日以内出荷仕様PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Pチャンネル MOSFET， 40 V， 15 A， 3 ピン パッケージDPAK
東芝￥1,398税込￥1,5381袋(10個)翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 15 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 48 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2V最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = ±20 Vパッケージタイプ = DPAK実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 29 W1チップ当たりのエレメント数 = 1
MOSFET P-Channel
ON SEMICONDUCTOR￥69,980税込￥76,9781リール(3000個)7日以内出荷仕様強化モードPチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Pチャンネル パワーMOSFET
東芝￥1,498税込￥1,6481袋(5個)翌々日出荷仕様MOSFET Pチャンネル、TPCシリーズ、東芝実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(W)1.9チャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧(V)2カテゴリーパワーMOSFET
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 600 V， 11.5 A， 3 ピン パッケージTO-3P TK シリーズ
東芝￥519税込￥5711個翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-3P実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 110 W動作温度 Max = +150 ℃MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
MOSFET P-Ch
INFINEON￥42,980税込￥47,2781リール(1000個)7日以内出荷仕様Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応RoHS指令(10物質対応)対応
ROHM Pチャンネル パワーMOSFET， 20 V， 250 mA， 3 ピン パッケージTSMT
ROHM￥859税込￥9451袋(10個)翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 250 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.5Ω最大ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 Vパッケージタイプ = TSMT実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 200 mW長さ = 2.9mmPチャンネルMOSFETトランジスタ、ROHMRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Pチャンネル MOSFET
INFINEON￥3,798税込￥4,1781袋(20個)7日以内出荷仕様チャンネルタイプ：P●最大連続ドレイン電流：2.9 A●最大ドレイン-ソース間電圧：60 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：130 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：4V●最低ゲートしきい値電圧：2.1V●最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V●パッケージタイプ：SOT-223●実装タイプ：表面実装●ピン数：3+Tab●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大パワー消費：10.8 W●1チップ当たりのエレメント数：1●Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応RoHS指令(10物質対応)対応
PチャンネルパワーMOSFET(40V/50A)
インフィニオン￥289税込￥3181個3日以内出荷OptiMOS-P2シリーズ PチャンネルパワーMOSFETその他【資格】AEC-Q101消費電力(W)58抵抗(Ω)【ドレイン-ソース間オン】0.0082ピン数(ピン)3ピン動作温度(℃)175RoHS指令(10物質対応)対応パッケージTO-252 (DPAK)実装タイプ表面実装チャンネルタイプPチャンネル耐テスト電圧(V)【Rds(on)】10最大連続ドレイン電流(A)50最大ドレイン-ソース間電圧(V)40最大ゲート-ソース間電圧(V)1.7
Taiwan Semiconductor Pチャンネル MOSFET
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥3,698～税込￥4,068～1袋(25個)ほか7日以内出荷RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay デュアル Pチャンネル パワーMOSFET
VISHAY￥1,498税込￥1,6481袋(20個)7日以内出荷仕様デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor実装タイプ表面実装チャンネルタイプPチャンネルモードエンハンスメント型カテゴリーパワーMOSFET
Vishay Siliconix Pチャンネル パワーMOSFET
VISHAY SILICONIX￥1,998～税込￥2,198～1袋(25個)ほか7日以内出荷実装タイプ表面実装チャンネルタイプPチャンネルモードエンハンスメント型カテゴリーパワーMOSFET
Vishay N+Pチャンネル パワーMOSFET
VISHAY￥2,398税込￥2,6381袋(5個)7日以内出荷仕様デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor実装タイプ表面実装チャンネルタイプN， Pチャンネルモードエンハンスメント型カテゴリーパワーMOSFET
Toshiba Pチャンネル MOSFET， 30 V， 2 A， 6 ピン パッケージUF
東芝￥819税込￥9011袋(10個)翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 225 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.6V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = UF実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 500 mW標準ターンオフ遅延時間 = 35 nsデュアルMOSFET Pチャンネル、SSM6Pxx、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
