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シンプルなメラミンカップです。どの用途にも使えます。

口開きが大きく大径ナットや継手を回せます。水栓・トラップ管などの化粧ナット類、混合栓の作業に最適です。

装飾用大型ナットに最適。

プッシュウォーム機構で、ガタが殆どありません。

※寸法・容量・重量・形様・強度・仕上り等は多少の変化がある場合があります。

OSRAM Opto Semiconductors OSLON R UV シリーズの UVC LED は、消毒、精製、処理、検知などの紫外線照射が必要な用途に合わせた柔軟な設計を実現しています。ガラスカバーを内蔵したセラミックパッケージが付属しています AlGaN ベースのフリップチップ

高容量、高耐圧、密封構造で小型パワー・タイプ。耐電圧はコイル-接点間でAC3000V(耐衝撃電圧6kV)の高絶縁性。自動化ラインへの対応を考え、スティック包装も品揃え。標準形でUL508、CSA規格取得。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 200 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SC-75。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 280 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -6 V， +6 V。幅 = 0.86mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、8 → 25 V、Vishay Semiconductor

シリーズ = NTHS。温度係数のタイプ = NTC。熱係数 = -3.84%/K。熱時定数 = 13s。抵抗@ 25℃ = 10kΩ。許容差 = ±5%。パッケージ/ケース = 1206 (3216M)。最大定格電力 = 280mW。長さ = 3.2mm。奥行き = 1.6mm。高さ = 1.8mm。動作温度 Min = -40℃。NTCサーミスタ、SMD 0402 / 0603 / 0805 / 1206チップ特長 標準サイズで利用可能な抵抗値を拡張 100 % Snによるラップアラウンドニッケルバリア終端 ハイブリッド回路との併用に備えた設計の柔軟性を実現 用途 バッテリ充電器 電力供給業者 オフィス機器

。UL認定、CSA。スルーホールタイプについては代表品番 ； 113-8825 113-8825 を参照。TQ2シリーズ、ラッチ。これらの低プロファイル基板表面実装リレーは、高さわずか6 mmでありながら、2 Aの容量と高い感度を備えています。平たくコンパクトな本体と、低プロファイル表面実装型の端子 高周波特性 SMD自動挿入に対応 低熱EMF(約2 μV) 公称動作電力: 280 mW / 1コイルラッチング型: 200 mW 通信分野への応用、測定、QA装置などに最適

UL認定、CSA。スルーホールタイプについては代表品番 ； 113-8825 113-8825 を参照。TQ2シリーズ、ラッチ。これらの低プロファイル基板表面実装リレーは、高さわずか6 mmでありながら、2 Aの容量と高い感度を備えています。平たくコンパクトな本体と、低プロファイル表面実装型の端子 高周波特性 SMD自動挿入に対応 低熱EMF(約2 μV) 公称動作電力: 280 mW / 1コイルラッチング型: 200 mW 通信分野への応用、測定、QA装置などに最適

UL認定、CSA。スルーホールタイプについては代表品番 ； 113-8825 113-8825 を参照。TQ2シリーズ、ラッチ。これらの低プロファイル基板表面実装リレーは、高さわずか6 mmでありながら、2 Aの容量と高い感度を備えています。平たくコンパクトな本体と、低プロファイル表面実装型の端子 高周波特性 SMD自動挿入に対応 低熱EMF(約2 μV) 公称動作電力: 280 mW / 1コイルラッチング型: 200 mW 通信分野への応用、測定、QA装置などに最適

UL認定、CSA。スルーホールタイプについては代表品番 ； 113-8825 113-8825 を参照。TQ2シリーズ、ラッチ。これらの低プロファイル基板表面実装リレーは、高さわずか6 mmでありながら、2 Aの容量と高い感度を備えています。平たくコンパクトな本体と、低プロファイル表面実装型の端子 高周波特性 SMD自動挿入に対応 低熱EMF(約2 μV) 公称動作電力: 280 mW / 1コイルラッチング型: 200 mW 通信分野への応用、測定、QA装置などに最適

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。シリーズ = QFET。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 280 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 6.1mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。QFETR NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。

メタン検知用ガスセンサ 低消費電力・メタンに対して高感度 ・長寿命で低コスト・簡単な電気回路で使用可能