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シンプルなメラミンカップです。どの用途にも使えます。

口開きが大きく大径ナットや継手を回せます。水栓・トラップ管などの化粧ナット類、混合栓の作業に最適です。

装飾用大型ナットに最適。

プッシュウォーム機構で、ガタが殆どありません。

※寸法・容量・重量・形様・強度・仕上り等は多少の変化がある場合があります。

高容量、高耐圧、密封構造で小型パワー・タイプ耐電圧はコイル-接点間でAC3000V(耐衝撃電圧6kV)の高絶縁性。自動化ラインへの対応を考え、スティック包装も品揃え。標準形でUL508、CSA規格取得。

OSRAM Opto Semiconductors OSLON R UV シリーズの UVC LED は、消毒、精製、処理、検知などの紫外線照射が必要な用途に合わせた柔軟な設計を実現しています。ガラスカバーを内蔵したセラミックパッケージが付属しています AlGaN ベースのフリップチップ

メタン検知用ガスセンサ 低消費電力・メタンに対して高感度 ・長寿命で低コスト・簡単な電気回路で使用可能

RS Pro リレー信号RS Pro 280 mW リレー信号は、 極、 4PDT コンタクト構成と Coil 抵抗 89 を備えています。Coil 電圧は 7.5 、長さは 20.32 mm 、奥行きは 15.24 mm です。このリレーモジュールには極性付き信号リレーが取り付けられています。極性セレクタスイッチを使用すると、以前は廃止された非極性リレーを使用していたあらゆるリレー回路に簡単に統合できます。特長と利点最大スイッチング電圧 AC 250V です 最大スイッチング電圧 DC 220V です 最大スイッチング電力 AC 62.5 VA です 実装タイプは基板実装です

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 200 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SC-75実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 280 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -6 V， +6 V幅 = 0.86mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、8 → 25 V、Vishay Semiconductor

UL認定、CSAスルーホールタイプについては代表品番 ； 113-8825 113-8825 を参照TQ2シリーズ、ラッチこれらの低プロファイル基板表面実装リレーは、高さわずか6 mmでありながら、2 Aの容量と高い感度を備えています。平たくコンパクトな本体と、低プロファイル表面実装型の端子 高周波特性 SMD自動挿入に対応 低熱EMF(約2 μV) 公称動作電力: 280 mW / 1コイルラッチング型: 200 mW 通信分野への応用、測定、QA装置などに最適

UL認定、CSAスルーホールタイプについては代表品番 ； 113-8825 113-8825 を参照TQ2シリーズ、ラッチこれらの低プロファイル基板表面実装リレーは、高さわずか6 mmでありながら、2 Aの容量と高い感度を備えています。平たくコンパクトな本体と、低プロファイル表面実装型の端子 高周波特性 SMD自動挿入に対応 低熱EMF(約2 μV) 公称動作電力: 280 mW / 1コイルラッチング型: 200 mW 通信分野への応用、測定、QA装置などに最適

UL認定、CSAスルーホールタイプについては代表品番 ； 113-8825 113-8825 を参照TQ2シリーズ、ラッチこれらの低プロファイル基板表面実装リレーは、高さわずか6 mmでありながら、2 Aの容量と高い感度を備えています。平たくコンパクトな本体と、低プロファイル表面実装型の端子 高周波特性 SMD自動挿入に対応 低熱EMF(約2 μV) 公称動作電力: 280 mW / 1コイルラッチング型: 200 mW 通信分野への応用、測定、QA装置などに最適

UL認定、CSAスルーホールタイプについては代表品番 ； 113-8825 113-8825 を参照TQ2シリーズ、ラッチこれらの低プロファイル基板表面実装リレーは、高さわずか6 mmでありながら、2 Aの容量と高い感度を備えています。平たくコンパクトな本体と、低プロファイル表面実装型の端子 高周波特性 SMD自動挿入に対応 低熱EMF(約2 μV) 公称動作電力: 280 mW / 1コイルラッチング型: 200 mW 通信分野への応用、測定、QA装置などに最適

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vシリーズ = QFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 280 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 6.1mm動作温度 Min = -55 ℃mmQFETR NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。

レガシーは続くチタニウム・シャドウカラーになり、より多機能になったポータブル・ハイレゾDAC/ヘッドフォン・アンプ、hip-dac3の登場。チタニウム・シャドウカラー。最先端を行くイノベーション。暗めなチタンカラーの色調に包まれ、時代を超越したエレガンスかつ現代的な雰囲気を醸し出しますバッテリー駆動のポータブル・ハイレゾDAC/ヘッドフォン・アンプ。その違いは外観にとどまりません。hip-dac3の洗練されたアルミニウム筐体の中には、オーディオ体験を向上させる新機能が搭載されています。2つのUSB-Cポートは、オーディオ用と充電用のケーブル管理を簡素化しています。底面のスイッチにより、iFiのiEMatchテクノロジーが機能し、高感度なヘッドフォンやイヤフォンに最適化され、特にインイヤーモニター(IEM)に有効です。内部には、より優れた周波数特性を実現する新しいメタル・フィルム・コンデンサーなど、回路の強化が施されています。さらに、iFiのGMT回路をアップデートし、新しい水晶発振器との組み合わせによって、位相ノイズをさらに低減し、よりピュアなサウンドをお届けします。

BTR7から大幅に機能が向上したフラッグシップBluetoothレシーバー。デュアル「ES9069Q」DAC構成と「THX AAA 78+」アンプを搭載。最新のQualcomm「QCC5181」プラットフォームによりLDAC/aptX Losslessに対応し、デスクトップモード時にバランス出力で最大650mWの高出力を実現。コンパクトなボディに凝縮された高度な音響技術により、新しいワイヤレスリスニング体験をお届けします。

特徴的なデニム生地の安全スニーカーです。 ストリートを意識したデザインのセーフティーシューズ「ファントムストリート」シリーズ。 樹脂先芯入りの安全タイプ。 靴底が曲がりやすくしゃがむ姿勢でも足に負担がかかりにくい。 クッション性と通気性を兼ね備えたインソール入りで履き心地も◎。履き口に切れ目があり脱ぎ履きしやすい形状。