「n70-02」の検索結果

機動隊の防弾盾にも使用されているLEXAN(ポリカーボネート)を素材に採用することで、軽さと耐衝撃性を両立。安全基準は欧州のCE規格と日本のSG規格の両方をクリアしています。高い衝撃性能を確保することで、転倒時の衝撃からライダーの頭を保護します。チンガードの脱着が可能で、オフロード、フルフェイス、ジェットなどスタイル変更が可能。チンガードの脱着が可能なクロスオーバーへルメット。オンロードからオフロードまで、ジャンルを問わず着用いただけます。昼・夜、明るさに応じて可動できるUV400インナーバイザー付き。雨や寒さ時に重宝する、曇り止めPINLOCKシート付き。内装は脱着洗濯可能。常に清潔な状態を維持いただくことが可能です。

機動隊の防弾盾にも使用されているLEXAN(ポリカーボネート)を素材に採用することで、軽さと耐衝撃性を両立。 安全基準は欧州のCE規格と日本のSG規格の両方をクリアしています。 高い衝撃性能を確保することで、転倒時の衝撃からライダーの頭を保護します。 チンガードの脱着が可能で、オフロード、フルフェイス、ジェットなどスタイル変更が可能。 チンガードの脱着が可能なクロスオーバーへルメット。オンロードからオフロードまで、ジャンルを問わず着用いただけます。 昼・夜、明るさに応じて可動できるUV400インナーバイザー付き 雨や寒さ時に重宝する、曇り止めPINLOCKシート付き 内装は脱着洗濯可能。常に清潔な状態を維持いただくことが可能です

機動隊の防弾盾にも使用されているLEXAN(ポリカーボネート)を素材に採用することで、軽さと耐衝撃性を両立。安全基準は欧州のCE規格と日本のSG規格の両方をクリアしています。高い衝撃性能を確保することで、転倒時の衝撃からライダーの頭を保護します。チンガードの脱着が可能で、オフロード、フルフェイス、ジェットなどスタイル変更が可能。チンガードの脱着が可能なクロスオーバーへルメット。オンロードからオフロードまで、ジャンルを問わず着用いただけます。昼・夜、明るさに応じて可動できるUV400インナーバイザー付き。雨や寒さ時に重宝する、曇り止めPINLOCKシート付き。内装は脱着洗濯可能。常に清潔な状態を維持いただくことが可能です。

機動隊の防弾盾にも使用されているLEXAN(ポリカーボネート)を素材に採用することで、軽さと耐衝撃性を両立。安全基準は欧州のCE規格と日本のSG規格の両方をクリアしています。高い衝撃性能を確保することで、転倒時の衝撃からライダーの頭を保護します。チンガードの脱着が可能で、オフロード、フルフェイス、ジェットなどスタイル変更が可能。チンガードの脱着が可能なクロスオーバーへルメット。オンロードからオフロードまで、ジャンルを問わず着用いただけます。昼・夜、明るさに応じて可動できるUV400インナーバイザー付き。雨や寒さ時に重宝する、曇り止めPINLOCKシート付き。内装は脱着洗濯可能。常に清潔な状態を維持いただくことが可能です。

オプションノズルです。

耐薬品性、耐シガレット性、 耐ゴム汚染性を付与した、あらゆる汚染に強い置敷きビニル床タイル。

モダンなアート風デザインタオル

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 115 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 200 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.3mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

住商モンブランのレディスナースワンピース。体型をカバーするすっきりとしたシルエットデザイン。また、ストレスを感じさせないネックラインや腕の上げ下げがスムーズなら立体裁断による袖設計。従来品と比べシルエットに響かないポケット仕様などロングセラー商品が美しく快適に進化しました。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 115 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-523 (SC-89)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 200 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 0.98mm。高さ = 0.78mm。Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

NタイプはISO11901(NCタイプ)と比べ、スプリング能力が30%以上強く、全長も10～15mm低いので金型内のスペースが取り易いです。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 300 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.8 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.1V。最大パワー消費 = 350 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.3mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 300 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.8 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 350 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 2.92mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 115 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-363。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 200 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.25mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 115 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-523 (SC-89)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 150 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 0.85mm。高さ = 0.8mm。NチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 115 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V。最大パワー消費 = 300 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET 60V

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 115 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-363。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 200 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.35mm。高さ = 1mm。デュアルNチャンネルMOSFET、Diodes Inc.

多彩なチップブレーカにより様々な加工で抜群の切りくず処理性能を発揮。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 115 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-323。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 200 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.35mm。高さ = 1mm。NチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 380 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V。最大パワー消費 = 420 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 3.04mm。高さ = 1.01mm。ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET 60V

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 340 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-323。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V。最大パワー消費 = 330 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.35mm。高さ = 0.9mm。ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET 60V