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ナフロンPFAーHGチューブは、溶ふっ素イオンの少ないNEW PFA化された原料を用い、かつPFA高次構造(球晶の微小化)をコントロールすることにより、チューブ内面の平滑化を可能にしたPFAチューブです

ナフロンPFA-HGチューブは、溶出ふっ素イオンの少ないNEW PFA化された原料を用い、かつPFAの高次構造(球晶の微小化)をコントロールすることにより、チューブ内面の平滑化を可能にしたPFAチューブです。ウルトラクリーン化を要求される半導体・液晶産業分野での用途に最適です。パーティクルや薬液の滞留低減、クリーンアップ(洗浄時間)の低減、チューブ内の表面積減少による薬液浸透量の低減、透明性・絶縁耐力の向上に最適です。また、溶出ふっ素イオンの低減により、例えば硫酸過水、発煙硫酸などの応力環境下での耐ストレスクラック性向上に適しています。

ナフロンPFA-HGチューブは、溶出ふっ素イオンの少ないNEW PFA化された原料を用い、かつPFAの高次構造(球晶の微小化)をコントロールすることにより、チューブ内面の平滑化を可能にしたPFAチューブです。ウルトラクリーン化を要求される半導体・液晶産業分野での用途に最適です。パーティクルや薬液の滞留低減、クリーンアップ(洗浄時間)の低減、チューブ内の表面積減少による薬液浸透量の低減、透明性・絶縁耐力の向上に最適です。また、溶出ふっ素イオンの低減により、例えば硫酸過水、発煙硫酸などの応力環境下での耐ストレスクラック性向上に適しています。

溶出フッ素イオンを低減しています。 チューブ内表面を平滑化(Rt=0.2μm)しています。 パーティクルや薬液の滞留を低減しています。 クリーンアップ(洗浄時間)を低減しています。 透明性、絶縁耐力に優れています。 チューブ内の表面積減少による薬液浸透量を低減しています。 応力環境下での耐ストレスクラック性を向上しています(例：硫酸過水、発煙硫酸)。

半導体・液晶産業分野での用途に適します! 溶出フッ素イオンを低減しています。 チューブ内表面を平滑化(Rt=0.2μm)しています。 パーティクルや薬液の滞留を低減しています。 クリーンアップ(洗浄時間)を低減しています。 透明性、絶縁耐力に優れています。 チューブ内の表面積減少による薬液浸透量を低減しています。 応力環境下での耐ストレスクラック性を向上しています(例：硫酸過水、発煙硫酸)。

PFA-HGチューブの内・外層にストライプ状導電性PFAを備えたチューブ。有機溶媒、燃料、冷媒、粉体、蒸気等の移送によるチューブの絶縁破壊を防止でき、かつ内部流体が見えるチューブです。

導電性PFA部(外表面)の遮蔽効果により、着火危険に結びつくような火花放電及び電気絶縁雰囲気中からの放電によるチューブ絶縁破壊を防止します。接液部は、PFA-HG素材を使用している為、液体中のフッ素イオンの溶出が少ないです。導電性部はストライプ状の為、内部の流体状況が確認できます。

導電性PFA部(外表面)の遮蔽効果により、着火危険に結びつくような火花放電および電気絶縁雰囲気中からの放電によるチューブ絶縁破壊を防止します。接液部は、PFA-HG素材を使用している為、液体中のフッ素イオンの溶出が少ないです。導電性部はストライプ状の為、内部の流体状況が確認できます。

ナフロン PFA-NEチューブは、メーカーPFAチューブの外表面部にストライプ状導電性PFA部を備えたチューブです。導電性PFA部の遮蔽効果により、可燃性ガス雰囲気中からチューブ外表面への火花放電による火災事故防止に最適です。導電性PFA部の遮蔽効果により、着火危険に結び付くような火花放電を防止する。絶縁雰囲気中からの放電による、チューブ絶縁破壊を防止する。接液部はPFA-HGチューブであるため、ふっ素イオンの溶出が少ない。薬液の透過、滞留が少ない。PFAと同じ耐薬品性・耐熱性・強度を備える。PFAチューブを遮蔽導体で被覆して帯電防止する場合と比較して、金属線、金属メッシュと比較して、腐食の心配がない。作業コスト・バラツキの解消。