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チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 12 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 12 Vシリーズ = TrenchFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 71 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 19 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V幅 = 1.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、TrenchFET Gen III、Vishay Semiconductors

間口の狭い場所への搬入やエレベータに入らないなど、搬入経路に制約がある場所にご使用いただけます。 フレーム部分を前後・左右に分割できる構造です。 フレームの組み立ては1コーナー3点のねじ止めのみで、簡単に組み立てができます。

指関節のマチ部分と伸縮ジャージで手にフィットします。手の平の縫い目がなく破れにくいです。