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安心と信頼のYUASAバッテリー TAIWAN-YUASA(台湾ユアサ)12V高品質シールド・オートバイ用バッテリー。 優れたコストパフォーマンス。 バイク王国の台湾では、多くの一流メーカーに純正採用された、信頼性と品質の高いブランドです。 こちらの商品は電解液注入済みタイプになっております。 電解液注入済みタイプは液別タイプの2輪用バッテリーにあらかじめ液入れを行った状態で出荷しております。そのため面倒な毒物及び劇物取締法に基づく「譲受書」の回収は必要ありません。(液入り充電済みの為、商品到着後、すぐに車両への取付が可能です。)

圧力によって抵抗値が変わるセンサ 従来モデルのALPHA-MF01-N-221-A04の後継製品で、測定誤差が±5%から±2%へと小さくなっています。さらに動作温度の範囲が広くなり、製品寿命も長くなっています。 このセンサは、圧力がかかっていないときは抵抗値が20MΩ以上ありますが、圧力が増えるにしたがって抵抗値が下がっていきます。測定範囲は、約10～1000g(0.1～9.8N)で、1000gのときの抵抗値は約800Ωです。センサ部分は円形で、感圧エリアの直径は約1cmです。動作温度範囲は、従来品が-20℃～+70℃でしたが、-30℃～+85℃に改善されています。

SS300。独自の隔壁構造により、心地よいサウンドと静粛性、また高速域を犠牲にせず扱いやすい中低速トルクという相反する条件を見事に両立いたしました。取り付けには追加工を一切必要とせず、スタンダード感覚の利便性と耐久性を徹底的に追及することにより、気軽にカスタムをお楽しみいただけます。また、装着済みのスタンダードバッフルのほかオプションのセミレーシングバッフルに交換するだけで音量や出力特性も3段階で調整が可能となっております。新基準採用。スチールウールには耐熱800℃を誇るリバーライトを採用。さらにグラスウールには新世代消音材ADテックスを採用。結果、従来品に比べ耐久性が飛躍的に向上しました。

一般整流用ダイオード。ガラスパッシベーションチップジャンクション。高電流能力、低VF。高信頼性。高いサージ電流能力。低電力損失、高効率。IEC61249-2-21に準拠したハロゲンフリー

「ぺんてる」「ZEBRA」など筆記メーカー各社のインポート品やオリジナルカラーの商品です。海外ならではのカラーと質感が特徴のTradioやKERRY、SMASH、GRAPH1000のメーカー限定カラーのぺんてる製品を中心に人気メーカーのボールペン、シャープペン、万年筆を厳選しました。台湾のぺんてる『飛竜文具』より逆輸入したポールペン。 パーカータイプの替芯が対応します。

R-EVO。スタイリッシュかつクールなデザインに、レーシングノウハウを凝縮。静粛性と性能を兼ね備えたマフラー…それがR-EVO。BEAMSサウンドはそのままに、次世代の呼び声高き、NEWサウンドチューンのNEWモデルです。

R-EVO。スタイリッシュかつクールなデザインに、レーシングノウハウを凝縮。静粛性と性能を兼ね備えたマフラー…それがR-EVO。BEAMSサウンドはそのままに、次世代の呼び声高き、NEWサウンドチューンのNEWモデルです。

ダイオード構成 = シングルV。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 1000 mW。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5.5mA。最大ツェナーインピーダンス = 80Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 5.2 x 2.7 x 2.7mm。動作温度 Max = +200 ℃。ツェナーダイオード1 W、1N47xxAシリーズ、Taiwan Semiconductor

。対応SIMサイズ：3-in-1 (標準、Micro、nano サイズ切替え可能)。パッケージ内容：SIM カード/SIMピン/多言語マニュアル(日本語・英語)。充実サポート：製造販売からサポートまで一貫してメーカー提供、日本語/英語/中国語で直接サポート。商品選定や購入後の設定方法など、お気軽にお問合せください。安心のメーカーサポート：メール・LINEで日本語サポート、SIM無効の際に、無料eSIM発行交換可能。対応端末：iPhone/iPad/Androidスマホ/LTE対応パソコンに対応。注)SIMフリー端末をご使用下さい。対応周波数帯：4G/LTE: B1(2.1GHz) / B3(1.8GHz) / B7 (2.6GHz) / B8 (900MHz) 。設定方法：アクティベーション申請完了後、本SIMカードのIC部分を取り外し、端末に挿入後、モバイルデータおよびデータローミングをオンにするだけです。

過渡電圧サプレッサ、SMT双方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0

過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 87.1V。最小ブレークダウン電圧 = 60V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 54V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 6.9A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.75 x 3.95 x 2.45mm。幅 = 3.95mm。過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 96.8V。最小ブレークダウン電圧 = 66.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 60V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 15.5A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。高さ = 2.75mm。過渡電圧サプレッサSMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 23.2V。最小ブレークダウン電圧 = 15.6V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 14V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 64.7A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.25mm。過渡電圧サプレッサ、SMT双方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 18.2V。最小ブレークダウン電圧 = 12.2V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 11V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 82.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.25mm。過渡電圧サプレッサSMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 18.2V。最小ブレークダウン電圧 = 12.2V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 11V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 33A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.95mm。過渡電圧サプレッサSMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 27.6V。最小ブレークダウン電圧 = 18.9V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 17V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 21.7A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。高さ = 2.45mm。過渡電圧サプレッサSMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 72.7V。最小ブレークダウン電圧 = 50V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 45V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 8.3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.75 x 3.95 x 2.45mm。幅 = 3.95mm。過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 121V。最小ブレークダウン電圧 = 92.1V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 75V。ピン数 = 2。最大ピークパルス電流 = 12.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.25mm。過渡電圧サプレッサ、SMT双方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0