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  • ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 70 A, 3 ピン パッケージTO-220AB ON SEMICONDUCTOR

    ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 70 A, 3 ピン パッケージTO-220AB

    ON SEMICONDUCTOR
    559税込615
    1個
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 70 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 14 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 150 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 2250 pF @ 25 V強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。RoHS指令(10物質対応)対応
  • Vishay Pチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 6.7 A, 3 ピン パッケージTO-220AB VISHAY

    Vishay Pチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 6.7 A, 3 ピン パッケージTO-220AB

    VISHAY
    339税込373
    1個
    当日出荷
    仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 43 W動作温度 Max = +175 ℃PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
  • STマイクロ,  トライアック, 600V, 16A, 3-Pin TO-220AB STMicro

    STマイクロ, トライアック, 600V, 16A, 3-Pin TO-220AB

    STMicro
    689税込758
    1袋(2個)ほか
    当日出荷から7日以内出荷
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • ON Semiconductor NPN トランジスタ, 450 V, 5 A, 3-Pin TO-220AB ON SEMICONDUCTOR

    ON Semiconductor NPN トランジスタ, 450 V, 5 A, 3-Pin TO-220AB

    ON SEMICONDUCTOR
    389税込428
    1個
    翌々日出荷
    仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 450 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最小DC電流ゲイン = 6トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 9 V最大動作周波数 = 13 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.75 V先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 高電圧トランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
  • STマイクロ, トライアック, 600V, 25A, 3-Pin TO-220AB STMicro

    STマイクロ, トライアック, 600V, 25A, 3-Pin TO-220AB

    STMicro(1件のレビュー)
    459税込505
    1個
    当日出荷
    仕様定格平均オン電流 = 25A実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220AB最大ゲートトリガー電流 = 35mA繰返しピーク逆方向電圧 = 600Vサージ電流レーティング = 260Aピン数 = 3最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V最大保持電流 = 50mA寸法 = 10.4 x 4.6 x 9.3mm長さ = 10.4mm幅 = 4.6mm高さ = 9.3mm動作温度 Max = +125 ℃トライアック、25 → 40 A、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
  • STマイクロ,  整流ダイオード, コモンカソード, 20A, 100V スルーホール, 3-Pin TO-220AB ショットキー STMicro

    STマイクロ, 整流ダイオード, コモンカソード, 20A, 100V スルーホール, 3-Pin TO-220AB ショットキー

    STMicro
    109税込120
    1個
    7日以内出荷
    仕様●実装タイプ : スルーホール●パッケージタイプ : TO-220AB●最大連続 順方向電流 : 20A●ピーク逆繰返し電圧 : 100V●ダイオード構成 : コモンカソード●整流タイプ : ショットキー整流器●ダイオードタイプ : ショットキー●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 2●ダイオードテクノロジー : ショットキー●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 250A●STMicroelectronics ショットキーバリアダイオード 20 → 25 ARoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 36 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 36 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン

    INFINEON
    519税込571
    1袋(2個)
    翌々日出荷
    NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 36 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 27 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 92000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vトランジスタ素材 = Simm高さ = 8.77mmRoHS指令(10物質対応)対応
  • Vishay Nチャンネル パワーMOSFET, 200 V, 57 A, 3 ピン パッケージTO-220AB VISHAY

    Vishay Nチャンネル パワーMOSFET, 200 V, 57 A, 3 ピン パッケージTO-220AB

    VISHAY
    4,198税込4,618
    1袋(5個)
    7日以内出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 57 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 33 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 3.75 W動作温度 Max = +175 ℃NチャンネルMOSFET、200 → 250 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
  • ON Semiconductor Pチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 27 A, 3 ピン パッケージTO-220AB QFET シリーズ ON SEMICONDUCTOR

    ON Semiconductor Pチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 27 A, 3 ピン パッケージTO-220AB QFET シリーズ

    ON SEMICONDUCTOR(2件のレビュー)
    2,798税込3,078
    1袋(5個)
    当日出荷
    仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 27 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 70 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V, +25 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 120000 mW標準ターンオフ遅延時間 = 30 nsQFET(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFET(R)プロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。RoHS指令(10物質対応)対応
  • ON Semiconductor NPN パワートランジスタ, 400 V, 8 A, 3-Pin TO-220AB ON SEMICONDUCTOR

    ON Semiconductor NPN パワートランジスタ, 400 V, 8 A, 3-Pin TO-220AB

    ON SEMICONDUCTOR
    1,698税込1,868
    1袋(5個)
    7日以内出荷
    仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 8 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 80 W最小DC電流ゲイン = 5トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 700 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 9 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.82mm先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 高電圧トランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
  • ON Semiconductor NPN パワートランジスタ, 70 V, 7 A, 3-Pin TO-220AB ON SEMICONDUCTOR

    ON Semiconductor NPN パワートランジスタ, 70 V, 7 A, 3-Pin TO-220AB

    ON SEMICONDUCTOR
    1,398税込1,538
    1袋(5個)
    7日以内出荷
    仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 7 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 70 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 40 W最小DC電流ゲイン = 2.3トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. NPNパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 343 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 343 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン

    INFINEON
    1,798税込1,978
    1袋(2個)
    欠品中
    モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 343 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 375000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 108 nC @ 4.5 Vmm動作温度 Min = -55 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
  • STマイクロ,  トライアック, 600V, 25A, 3-Pin TO-220AB STMicro

    STマイクロ, トライアック, 600V, 25A, 3-Pin TO-220AB

    STMicro
    869税込956
    1袋(2個)
    翌々日出荷
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 33 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 33 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン

    INFINEON
    3,998税込4,398
    1袋(20個)
    当日出荷
    NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 33 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 44 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 130 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
  • ON Semiconductor PNP パワートランジスタ, 100 V, 1 A, 3-Pin TO-220AB ON SEMICONDUCTOR

    ON Semiconductor PNP パワートランジスタ, 100 V, 1 A, 3-Pin TO-220AB

    ON SEMICONDUCTOR
    739税込813
    1袋(10個)
    翌々日出荷
    仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W最小DC電流ゲイン = 15トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.82mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用PNPトランジスタ、最大1 A、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
  • ON Semiconductor PNP パワートランジスタ, 400 V, 8 A, 3-Pin TO-220AB ON SEMICONDUCTOR

    ON Semiconductor PNP パワートランジスタ, 400 V, 8 A, 3-Pin TO-220AB

    ON SEMICONDUCTOR
    789税込868
    1個
    翌々日出荷
    仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 8 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 80 W最小DC電流ゲイン = 5トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.82mm先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 高電圧トランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 260 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 260 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン

    INFINEON
    779税込857
    1袋(2個)
    翌々日出荷
    NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 260 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.35V最低ゲートしきい値電圧 = 1.35V最大パワー消費 = 230 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 57 nC @ 4.5 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
  • ON Semiconductor NPN パワートランジスタ, 450 V, 2 A, 3-Pin TO-220AB ON SEMICONDUCTOR

    ON Semiconductor NPN パワートランジスタ, 450 V, 2 A, 3-Pin TO-220AB

    ON SEMICONDUCTOR
    489税込538
    1袋(2個)
    翌々日出荷
    仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 450 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 50000 mW最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 4 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 高電圧トランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFET75 V 80 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET75 V 80 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン

    INFINEON
    1,498税込1,648
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 80 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 75 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 140 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V幅 = 4.82mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
  • STマイクロ,  トライアック, 8A, 3-Pin TO-220AB STMicro

    STマイクロ, トライアック, 8A, 3-Pin TO-220AB

    STMicro
    1,398税込1,538
    1袋(5個)
    7日以内出荷
    仕様●定格平均オン電流: 8A●実装タイプ: スルーホール●パッケージタイプ: TO-220AB●最大ゲートトリガー電流: 50mA●ピン数: 3●最大ゲートトリガー電圧: 1.3V●繰返しピーク順方向抑止電圧: 600V●最大保持電流: 25mA●寸法: 10.4×4.6×15.9mm●長さ: 10.4mm●幅: 4.6mm●高さ: 15.9mm●動作温度 Min: -40 ℃●TRIAC、8 → 12 A、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
  • STマイクロ,  トライアック, 20A, 3-Pin TO-220AB STMicro

    STマイクロ, トライアック, 20A, 3-Pin TO-220AB

    STMicro
    2,698税込2,968
    1袋(5個)
    7日以内出荷
    仕様●定格平均オン電流 : 20A●実装タイプ : スルーホール●パッケージタイプ : TO-220AB●サージ電流レーティング : 210A●ピン数 : 3●繰返しピーク順方向抑止電圧 : 700V●最大保持電流 : 75mA●寸法 : 10.4×4.6×15.9mm●長さ : 10.4mm●幅 : 4.6mm●高さ : 15.9mm●動作温度 Max : +125 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
  • STマイクロ,  トライアック, 25A, 3-Pin TO-220AB STMicro

    STマイクロ, トライアック, 25A, 3-Pin TO-220AB

    STMicro
    21,980税込24,178
    1セット(50個)
    7日以内出荷
    仕様●定格平均オン電流 : 25A●実装タイプ : スルーホール●パッケージタイプ : TO-220AB●最大ゲートトリガー電流 : 50mA●サージ電流レーティング : 260A●ピン数 : 3●繰返しピーク順方向抑止電圧 : 800V●最大保持電流 : 50mA●寸法 : 10.4×4.6×15.9mm●長さ : 10.4mm●幅 : 4.6mm●高さ : 15.9mm●動作温度 Max : +125 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
  • STマイクロ,  トライアック, 800V, 4A, 3-Pin TO-220AB STMicro

    STマイクロ, トライアック, 800V, 4A, 3-Pin TO-220AB

    STMicro
    899税込989
    1袋(5個)
    7日以内出荷
    仕様●定格平均オン電流: 4A●実装タイプ: スルーホール●パッケージタイプ: TO-220AB●最大ゲートトリガー電流: 35mA●繰返しピーク逆方向電圧: 800V●サージ電流レーティング: 31A●ピン数: 3●最大ゲートトリガー電圧: 1.3V●繰返しピーク順方向抑止電圧: 800V●最大保持電流: 35mA●寸法: 10.4×4.6×9.15mm●長さ: 10.4mm●幅: 4.6mm●高さ: 9.15mm●動作温度 Max: +125 ℃mA●トライアック、最大6 A、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
  • STマイクロ,  トライアック, 600V, 30A, 3-Pin TO-220AB STMicro

    STマイクロ, トライアック, 600V, 30A, 3-Pin TO-220AB

    STMicro
    2,898税込3,188
    1袋(5個)
    7日以内出荷
    仕様●定格平均オン電流: 30A●実装タイプ: スルーホール●パッケージタイプ: TO-220AB●最大ゲートトリガー電流: 35mA●繰返しピーク逆方向電圧: 600V●サージ電流レーティング: 284A●ピン数: 3●最大ゲートトリガー電圧: 1V●繰返しピーク順方向抑止電圧: 600V●最大保持電流: 60mA●寸法: 10.4×4.6×15.9mm●長さ: 10.4mm●幅: 4.6mm●高さ: 15.9mm●ピークオンステージ電圧: 1.55V●STMicroelectronics 25 → 40 A トライアックRoHS指令(10物質対応)対応
  • STマイクロ,  トライアック, 600V, 10A, 3-Pin TO-220AB STMicro

    STマイクロ, トライアック, 600V, 10A, 3-Pin TO-220AB

    STMicro
    5,798税込6,378
    1セット(50個)
    7日以内出荷
    仕様●定格平均オン電流: 10A●実装タイプ: スルーホール●パッケージタイプ: TO-220AB●最大ゲートトリガー電流: 50mA●繰返しピーク逆方向電圧: 600V●サージ電流レーティング: 105A●ピン数: 3●最大ゲートトリガー電圧: 1.3V●繰返しピーク順方向抑止電圧: 600V●最大保持電流: 50mA●寸法: 10.4×4.6×9.15mm●長さ: 10.4mm●幅: 4.6mm●高さ: 9.15mm●繰返しピークオフステート電流: 0.005mA●TRIAC、8 → 12 A、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
  • STマイクロ,  トライアック, 800V, 8A, 3-Pin TO-220AB STMicro

    STマイクロ, トライアック, 800V, 8A, 3-Pin TO-220AB

    STMicro
    1,298税込1,428
    1袋(5個)
    7日以内出荷
    定格平均オン電流 = 8A。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AB。最大ゲートトリガー電流 = 10mA。繰返しピーク逆方向電圧 = 800V。サージ電流レーティング = 84A。ピン数 = 3。最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V。最大保持電流 = 15mA。寸法 = 10.4 x 4.6 x 15.9mm。長さ = 10.4mm。幅 = 4.6mm。高さ = 15.9mm。動作温度 Max = +150 ℃V。TRIAC、8 → 12 A、STMicroelectronics
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • STマイクロ,  トライアック, 600V, 4A, 3-Pin TO-220AB STMicro

    STマイクロ, トライアック, 600V, 4A, 3-Pin TO-220AB

    STMicro
    5,198税込5,718
    1セット(50個)
    7日以内出荷
    定格平均オン電流 = 4A。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AB。最大ゲートトリガー電流 = 25mA。繰返しピーク逆方向電圧 = 600V。サージ電流レーティング = 38A。ピン数 = 3。最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V。最大保持電流 = 15mA。寸法 = 10.4 x 4.6 x 9.15mm。長さ = 10.4mm。幅 = 4.6mm。高さ = 9.15mm。動作温度 Max = +125 ℃V。トライアック、最大6 A、STMicroelectronics
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • STマイクロ,  トライアック, 800V, 16A, 3-Pin TO-220AB STMicro

    STマイクロ, トライアック, 800V, 16A, 3-Pin TO-220AB

    STMicro
    1,498税込1,648
    1袋(5個)
    7日以内出荷
    定格平均オン電流 = 16A。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AB。最大ゲートトリガー電流 = 10mA。繰返しピーク逆方向電圧 = 800V。サージ電流レーティング = 168A。ピン数 = 3。最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V。最大保持電流 = 15mA。寸法 = 10.4 x 4.6 x 15.9mm。長さ = 10.4mm。幅 = 4.6mm。高さ = 15.9mm。動作温度 Max = +125 ℃V。TRIAC、16 → 20 A、STMicroelectronics
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • Fagor Electronica トライアック 800V 25A 3-Pin TO-220AB Fagor Electronica

    Fagor Electronica トライアック 800V 25A 3-Pin TO-220AB

    Fagor Electronica
    2,398税込2,638
    1袋(10個)ほか
    7日以内出荷
    仕様高整流トライアック、Fagor. Fagorの高整流3象限トライアック製品です。 高い整流レートに遭遇するモータ負荷や誘導性負荷に適しています。 この製品により、多くの分野でスナバ回路が不要になります。長さ(mm)10.24幅(mm)4.62寸法(mm)10.24×4.62×15.68高さ(mm)15.68電圧(V)【繰返しピーク逆方向】800、【最大ゲートトリガー】1.3定格電流(A)【平均オン】25ピン数(ピン)3保持電流(A)【最大】75m動作温度(℃)-40RoHS指令(10物質対応)対応実装方法スルーホールパッケージTO-220AB最大電流(mA)【ゲートトリガー】50
  • Littelfuse トライアック, 600V, 12A, 3-Pin TO-220AB LITTELFUSE

    Littelfuse トライアック, 600V, 12A, 3-Pin TO-220AB

    LITTELFUSE
    13,980税込15,378
    1セット(50個)
    7日以内出荷
    定格平均オン電流 = 12A。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AB。最大ゲートトリガー電流 = 35mA。繰返しピーク逆方向電圧 = 600V。サージ電流レーティング = 100A。ピン数 = 3。最大ゲートトリガー電圧 = 1.5V。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V。最大保持電流 = 40mA。寸法 = 10.28 x 4.82 x 15.75mm。長さ = 10.28mm。幅 = 4.82mm。高さ = 15.75mm。繰返しピークオフステート電流 = 2mA。トライアック、ON Semiconductor
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • STマイクロ,  トライアック, 800V, 16A, 3-Pin TO-220AB STMicro

    STマイクロ, トライアック, 800V, 16A, 3-Pin TO-220AB

    STMicro
    5,798税込6,378
    1セット(50個)
    7日以内出荷
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • STマイクロ,  トライアック, 800V, 12A, 3-Pin TO-220AB STMicro

    STマイクロ, トライアック, 800V, 12A, 3-Pin TO-220AB

    STMicro
    1,498税込1,648
    1袋(5個)
    7日以内出荷
    定格平均オン電流 = 12A。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AB。最大ゲートトリガー電流 = 50mA。繰返しピーク逆方向電圧 = 800V。サージ電流レーティング = 126A。ピン数 = 3。最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V。最大保持電流 = 50mA。寸法 = 10.4 x 4.6 x 15.9mm。長さ = 10.4mm。幅 = 4.6mm。高さ = 15.9mm。繰返しピークオフステート電流 = 1mA。TRIAC、8 → 12 A、STMicroelectronics
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • STマイクロ,  トライアック, 800V, 6A, 3-Pin TO-220AB STMicro

    STマイクロ, トライアック, 800V, 6A, 3-Pin TO-220AB

    STMicro
    1,198税込1,318
    1袋(10個)
    7日以内出荷
    仕様●定格平均オン電流: 6A●実装タイプ: スルーホール●パッケージタイプ: TO-220AB●最大ゲートトリガー電流: 50mA●繰返しピーク逆方向電圧: 800V●サージ電流レーティング: 63A●ピン数: 3●最大ゲートトリガー電圧: 1.3V●繰返しピーク順方向抑止電圧: 600V●最大保持電流: 50mA●寸法: 10.4×4.6×15.9mm●長さ: 10.4mm●幅: 4.6mm●高さ: 15.9mm●動作温度 Max: +125 ℃mA●トライアック、最大6 A、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
  • STマイクロ,  トライアック, 600V, 4A, 3-Pin TO-220AB STMicro

    STマイクロ, トライアック, 600V, 4A, 3-Pin TO-220AB

    STMicro
    5,698税込6,268
    1セット(50個)
    7日以内出荷
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • STマイクロ, トライアック, 600V, 12A, 3-Pin TO-220AB STMicro

    STマイクロ, トライアック, 600V, 12A, 3-Pin TO-220AB

    STMicro
    1,698税込1,868
    1袋(5個)
    7日以内出荷
    仕様定格平均オン電流 = 12A実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220AB最大ゲートトリガー電流 = 50mA繰返しピーク逆方向電圧 = 600Vサージ電流レーティング = 126Aピン数 = 3最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V最大保持電流 = 25mA寸法 = 10.4 x 4.6 x 9.3mm長さ = 10.4mm幅 = 4.6mm高さ = 9.3mm動作温度 Max = +125 ℃TRIAC、8 → 12 A、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
  • onsemi PNP ダーリントントランジスタ, 100 V, 8 A, 3-Pin TO-220AB onsemi

    onsemi PNP ダーリントントランジスタ, 100 V, 8 A, 3-Pin TO-220AB

    onsemi
    299税込329
    1個
    7日以内出荷
    仕様●トランジスタタイプ : PNP●最大連続コレクタ電流 : 8 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 100 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V●パッケージタイプ : TO-220AB●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●トランジスタ構成 : シングル●1チップ当たりのエレメント数 : 1●最小DC電流ゲイン : 200●最大コレクタ-ベース間電圧 : 100 V●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 : 2.5 V●最大コレクタカットオフ電流 : 0.05mA●動作温度 Max : +150 ℃mm●先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPダーリントントランジスタ●ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFET75 V 180 A スルーホール パッケージTO-220AB INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET75 V 180 A スルーホール パッケージTO-220AB

    INFINEON
    29,980税込32,978
    1セット(100個)
    7日以内出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 180 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 75 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールRoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 25 A スルーホール パッケージTO-220AB INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 25 A スルーホール パッケージTO-220AB

    INFINEON
    10,980税込12,078
    1セット(50個)
    7日以内出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 25 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールRoHS指令(10物質対応)対応
  • ON Semiconductor NPN パワートランジスタ, 80 V, 15 A, 3-Pin TO-220AB ON SEMICONDUCTOR

    ON Semiconductor NPN パワートランジスタ, 80 V, 15 A, 3-Pin TO-220AB

    ON SEMICONDUCTOR
    1,198税込1,318
    1袋(5個)
    7日以内出荷
    仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 83 W最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V最大動作周波数 = 20 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.2 V先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. NPNパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
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