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600V/33Ax3芯電力ケーブル(40m)エスコ￥31,800税込￥34,980
1個
翌日出荷
用途一般電力用仕様3心(白・黒・赤)材質内被:架橋ポリエチレン 外被:ビニールシース長さ(mm)40m定格容量33A600V(3.5mm2×3心)
真円防音戸車 V型33mm NV33N-VACE(エース)￥499税込￥549
1箱(2個)
4日以内出荷
タイプV型車輪径(Φmm)33仕様高耐久性：15万mの走行試験にて、磨耗・破損なし、静寂性：戸車の「真円加工」により従来品よりも静かな走行音を実現材質SUS304フレーム寸法H(mm)6耐荷重(kg)15/個寸法D(mm)67寸法W(mm)9
KEMET タンタルコンデンサ，10V，33μF，±10%KEMET￥5,298税込￥5,828
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様テクノロジー = 二酸化マンガン静電容量 = 33μF電圧 = 10V dc取り付けタイプ = スルーホール等価直列抵抗 = 2.1Ωリードピッチ = 5.08mm許容差 = ±10%高さ = 11.2mm寸法 = 6 (Dia.) x 11.2mmシリーズ = T356電解質の種類 = ソリッド直径 = 6mmT356シリーズ. Kemet T356タンタル溶融ラジアルコンデンサは、フィルタリング、バイパス、カップリング、ブロッキング、RCタイミング回路向けに、低漏洩及び低DFの性能特性を備えています。T356シリーズは、ソリッドタンタルコンデンサに特有の広く認識されている利点を備えたKEMET「UltraDip II」シリーズコンデンサに属しています。. 低漏洩電流 低DF性能 極性付きリードRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay タンタルコンデンサ，16V，33μF，±10%VISHAY￥769税込￥846
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様テクノロジー = 二酸化マンガン静電容量 = 33μF電圧 = 16V dc取り付けタイプ = 表面実装パッケージ/ケース = 6032-28等価直列抵抗 = 300mΩ許容差 = ±10%長さ = 6mm奥行き = 3.2mm高さ = 2.5mm寸法 = 6 x 3.2 x 2.5mmシリーズ = 593D電解質の種類 = ソリッド誘電正接 = 6%593Dシリーズ. Vishay 593Dソリッドタンタルコンデンサは、低プロファイルのTantamount表面実装チップで、コンフォーマルコーティングが施されています。 593Dシリーズは、幅広い静電容量と電圧等級を用意しているので、低ESR及び最大CVが実現します。この製品は幅広い用途に適しています。 タンタルコンデンサは体積効率、安定した電気特性、高い信頼性、長寿命が重要視される用途に最適です。. 表面実装 高温定格RoHS指令(10物質対応)対応
真円防音戸車(ベアリング入)V型33mm NV33B-VcACE(エース)￥719税込￥791
1箱(2個)
3日以内出荷
タイプV型車輪径(Φmm)33仕様高耐久性：15万mの走行試験にて、磨耗・破損なし、静寂性：戸車の「真円加工」により従来品よりも静かな走行音を実現、安全性：人体に悪影響のあるカドミウムを排除した事で安心して使用出来ます(国際環境基準値クリアRc・Vcモデルのみ)材質ベアリング入り、カドミレス黄銅、SUS304フレーム寸法H(mm)8耐荷重(kg)20/個寸法D(mm)67寸法W(mm)9
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 33 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON￥2,798税込￥3,078
1袋(20個)
当日出荷
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 33 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 44 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 130 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
AVX タンタルコンデンサ 6.3V 33μF ±10%AVX￥479税込￥527
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様テクノロジー = 二酸化マンガン静電容量 = 33μF電圧 = 6.3V dc取り付けタイプ = 表面実装パッケージ/ケース = 3528-21等価直列抵抗 = 600mΩ許容差 = ±10%長さ = 3.5mm奥行き = 2.8mm高さ = 1.9mm寸法 = 3.5 x 2.8 x 1.9mmシリーズ = TPS電解質の種類 = ソリッド端子タイプ = 表面実装RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET150 V 33 A 基板実装 パッケージD-PAKINFINEON￥1,098税込￥1,208
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 33 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 Vパッケージタイプ = D-PAK実装タイプ = 基板実装RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル MOSFET30 V 33 A 表面実装 パッケージPowerPAK SO-8VISHAY￥1,998税込￥2,198
1袋(25個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 33 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = PowerPAK SO-8実装タイプ = 表面実装
RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET150 V 33 A スルーホール パッケージIPAK 3 ピンINFINEON￥1,998税込￥2,198
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 33 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 Vパッケージタイプ = IPAK実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型トランジスタ素材 = シリコンRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET650 V 33 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピンSTMicro￥33,980税込￥37,378
1セット(30個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 33 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 650 V●シリーズ ： MDmesh M5●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 79 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 190 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -25 V， +25 V●長さ ： 15.75mm●高さ ： 20.15mm●STMicroelectronics N チャンネル MDmesh(TM) M5 シリーズ. MDmesh M5 パワー MOSFET は、高電力 PFC と PWM トポロジ向けに最適化されています。主な機能には、シリコンエリア当たりの低オン状態損失と低ゲート電荷の組み合わせなどがあります。太陽電池コンバータ、コンシューマ製品向け電源、電子照明制御など、省エネ指向のコンパクトで信頼性の高いハードスイッチング用途向けに設計されています。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics 電圧レギュレータ 低ドロップアウト電圧 3.3 V， 3-Pin， LD1117V33CSTMicro￥659税込￥725
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様●出力電流 Max ： 1.3A●出力数 ： 1●ラインレギュレーション ： 30 mV●ロードレギュレーション ： 30 mV%●実装タイプ ： スルーホール●静止電流 ： 5mA●ピン数 ： 3●出力タイプ ： 固定●寸法 ： 10.4×4.6×9.15mm●動作温度 Min ： -40 ℃mm●長さ ： 10.4mm●リニア電圧レギュレータ、800 mA、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 33 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピンINFINEON￥5,298税込￥5,828
1セット(25個)
7日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 33 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 52 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 140 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm高さ = 20.3mmRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 33 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンonsemi￥2,398税込￥2,638
1袋(10個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 33 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = UltraFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 38 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 85 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V， +16 V幅 = 4.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmUltraFETR MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFETR Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、スイッチングレギュレータ、モータドライバ、低電圧バススイッチ、及び電源管理
RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET650 V 33 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピンSTMicro￥1,498,000税込￥1,647,800
1セット(1000個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 33 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 650 V●シリーズ ： MDmesh M5●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 79 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 190 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -25 V， +25 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●高さ ： 4.6mm●STMicroelectronics N チャンネル MDmesh(TM) M5 シリーズ. MDmesh M5 パワー MOSFET は、高電力 PFC と PWM トポロジ向けに最適化されています。主な機能には、シリコンエリア当たりの低オン状態損失と低ゲート電荷の組み合わせなどがあります。太陽電池コンバータ、コンシューマ製品向け電源、電子照明制御など、省エネ指向のコンパクトで信頼性の高いハードスイッチング用途向けに設計されています。RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 33 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピンINFINEON￥1,798税込￥1,978
1袋(10個)
7日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 33 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 44 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 130 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vトランジスタ素材 = Simm高さ = 4.83mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 33 A スルーホール パッケージI2PAK (TO-262) 3 ピンINFINEON￥11,980税込￥13,178
1セット(50個)
7日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 33 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 44 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 130 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.83mm高さ = 9.65mmRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics 電圧レギュレータ 低ドロップアウト電圧 3.3 V， 3-Pin， LD1117V33STMicro￥2,898税込￥3,188
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●出力電流 Max ： 1.3A●出力電圧 ： 3.3 V●ラインレギュレーション ： 6 mV●精度 ： ±1%●実装タイプ ： スルーホール●パッケージタイプ ： TO-220mA●ピン数 ： 3●出力タイプ ： 固定●寸法 ： 10.4×4.6×9.15mm●動作温度 Min ： 0 ℃mm●長さ ： 10.4mm●リニア電圧レギュレータ、800 mA、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
Littelfuse バリスタ バリスタ電圧:38 → 49V 最大直流定格電圧:33V， 500pF， V33MLA1206NHLITTELFUSE￥159,800税込￥175,780
1セット(2500個)
7日以内出荷
仕様●バリスタ電圧： 38 → 49V●最大AC定格電圧： 26V●最大直流定格電圧： 33V●制限電圧： 75V●クランプ電流： 1A●材料： 金属J●シリーズ： ML●最大サージ電流： 180A●静電容量： 500pF●長さ： 3.2mm●奥行き： 1.6mm●厚さ： 1.8mm●寸法： 3.2×1.6×1.8mm●SMTトランジェントサプレッサ - MLシリーズ. 積層半導体セラミック構造により、双方向電圧クランプが可能。 誘導スイッチングの抑制又はその他の電気的ファストトランジェントにより、これらのデバイスで最終製品の電磁適合性を達成可能. ICやトランジスタのオンボードトランジェント電圧保護に最適 多くの用途で、より大型の表面実装TVSツェナーの代替として使用可能RoHS指令(10物質対応)対応
マックスターウェッジベルト三ツ星ベルト(79件のレビュー)￥1,298～税込￥1,428～特価
1本
当日出荷から16日以内出荷
断面構造を独特の幅狭形状にすることにより、プーリへのグリップ力が大きくなるように設計されています。
拡張力も高く、柔軟で変形の少ない、高伝動能力をもったV形ベルトです。
用途大型ポンプ・コンプレッサ・鍛圧プレス・鋳造機・製紙機械・クラッシャ・ハンマーミル発電機・帯鋸盤・大型工作機械・振動ローラ・グラインダ・冷凍庫材質(ベルト)ゴム種類ウエッジベルト最大速度(m/sec)40角度(°)40
パワーエースバンドー化学(40件のレビュー)￥1,298～税込￥1,428～
1本
当日出荷から3日以内出荷
パワーエースは従来のVベルトの断面形状を変えることにより、伝動力、寿命などを大幅に向上した高動力伝動用Vベルトです。
各種伝動装置のコンパクト化、あらゆる分野の省力化、コスト低減に有効です。
1本当たりの伝道力が高いため、ベルト本数が著しく減少できますので、装置のスペースが従来のVベルトの約1/3に縮小できます。
特殊配合ゴムの使用により、耐油性、耐熱性、難燃性、耐老化性、耐候性など数々の優れた性能を持っています。また、静電防止性能はRMA規格に合格しています。
研究を重ねた材料と製造方法により、寸法安定性に優れています。完全なマッチドセットと相まって、均一な動力伝道を行うことができます。また、保管中の寸法変化もほとんど起こりません。
材質ゴムRoHS指令(10物質対応)対応
S Series(SS5Y5-10S6V33)SMC￥99,980～税込￥109,978～
1個
9日以内出荷
型式(10) 横配管形SIユニット(V) CC-Link対応、(3) SIユニット プラスコモンエンドプレート7/8インチコネクタ電源ユニット数(3) 3連配線方式(S) 配列指定
Littelfuse 酸化金属バリスタ バリスタ電圧:36.5V 最大直流定格電圧:26V， 1.62nF， V33ZA1PLITTELFUSE￥29,980税込￥32,978
1袋(1500個)
7日以内出荷
仕様●バリスタ電圧： 36.5V●最大AC定格電圧： 20V●最大直流定格電圧： 26V●制限電圧： 65V●クランプ電流： 2.5A●材料： 金属J●シリーズ： ZA●直径： 9mm●最大サージ電流： 250A●静電容量： 1.62nF●長さ： 32mm●厚さ： 5mm●寸法： 9 (Dia.) x 5mm●リード間隔： 6mm●Littelfuse金属酸化物バリスタ - LA / MA / ZAシリーズ. Littelfuse金属酸化物バリスタは小型で汎用性が高く、幅広い用途で使用できます。 LAシリーズのMOVはAC電源ラインを通じて連続動作するよう設計されたラジアルリード線付きバリスタです。 MAシリーズのMOVは幅広い基板レベルの産業用及び商用電子機器用に設計されたアキシャルリード線付きバリスタです。低エネルギー過度現象から各種コンポーネントや信号 / データラインを保護します。 ZAシリーズのMOVは低 / 中電圧回路及びシステムの保護に使用するよう設計されたラジアルリード線付きバリスタです。 代表的用途はモータ制御、電子通信、自動車、ソレノイド及び電源基板コンポーネントなどで、データの整合性を維持します。RoHS指令(10物質対応)対応
S Series(SS5Y7-10S6V33)SMC￥98,980税込￥108,878
1個
9日以内出荷
仕様銘板プレートなし (連数印字なし)型式(10) 横配管形取付け方法(D) DINレール取付配線方式(S) 配列指定バルブ連数7SIユニット(V) CC-Link対応エンドプレート7/8インチコネクタ電源DINレール(12) 12連用ポート管接続口径【A・B】(C10) Φ10ワンタッチ管継手SIユニット出力極性(3) SIユニット プラスコモンユニット数(3) 3連
細幅Vベルト 3 V シリーズDONGIL RUBBER BELT(22件のレビュー)￥979税込￥1,077
1本
当日出荷から6日以内出荷
一般ベルトに比べて上幅が狭く、高さが高い特殊な断面形をしています。
原材料、製造方法によりベルト走行時に抗張体に均一な応力を与え、伝動効率を高めるベルトです。
種別3V材質(ベルト)ゴム種類Vベルト使用温度範囲(℃)-30～90角度(°)40材質(ベルト)ゴム最小プーリ径(mm)67関連資料(0.77MB)ベルト形3V
Littelfuse 酸化金属バリスタ バリスタ電圧:29.5 → 36.5V 最大直流定格電圧:27V， 13nF， V33ZA70PLITTELFUSE￥579税込￥637
1袋(5個)
7日以内出荷
Littelfuse金属酸化物バリスタ - LA / MA / ZAシリーズ. Littelfuse金属酸化物バリスタは小型で汎用性が高く、幅広い用途で使用できます。 LAシリーズのMOVはAC電源ラインを通じて連続動作するよう設計されたラジアルリード線付きバリスタです。 MAシリーズのMOVは幅広い基板レベルの産業用及び商用電子機器用に設計されたアキシャルリード線付きバリスタです。低エネルギー過度現象から各種コンポーネントや信号 / データラインを保護します。 ZAシリーズのMOVは低 / 中電圧回路及びシステムの保護に使用するよう設計されたラジアルリード線付きバリスタです。 代表的用途はモータ制御、電子通信、自動車、ソレノイド及び電源基板コンポーネントなどで、データの整合性を維持します。
仕様バリスタ電圧 = 29.5 → 36.5V最大AC定格電圧 = 21V最大直流定格電圧 = 27V制限電圧 = 58Vクランプ電流 = 20A材料 = 金属Jシリーズ = ZA直径 = 23mm最大サージ電流 = 2000A静電容量 = 13nF長さ = 46.5mm厚さ = 5mm寸法 = 23 (Dia.) x 5mmリード間隔 = 8.5mm
グラファイト替えゴムSHIFT(59件のレビュー)￥3,198税込￥3,518
1箱(10本)
当日出荷から14日以内出荷
国内最多の約620アイテムを金型から設計し、国内生産している唯一の専業メーカーです。
用途ワイパーゴムの交換に
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