「v-08p8」の検索結果

◇洗濯物への糸屑の付着を防ぐ、ゴミ取りネットです。 ◇お使いの洗濯機に適合する、糸くずフィルターをお選びください。 ◇適合メーカー： 日立 HITACHI ◇適合型番： NET-7S2 NW-7S2-025

200万画素の映像をデュアル電源方式で5C-2Vケーブルで最長450mの長距離伝送。電源重畳(ワンケーブル)方式とDC12V電源方式の両方に対応。白飛びを防止する高性能IR投光器を搭載。WDR機能により明暗差のある環境でも撮影が可能。デイ&ナイト機能で昼夜問わず鮮明に撮影。IP66準拠の高い防塵防水性能。AHD/アナログ 出力切替付。

左右45度の角度調節が可能な卓上用のテレビスタンドです。42～75型までのディスプレイに対応しています。(ディスプレイ耐荷重50kg)VESA規格100×100、100×200、100×300、100×400、200×100、200×200、200×300、200×400、300×100、300×200、300×300、300×400、400×100、400×200、400×300、400×400、600×100、600×200、600×300、600×400mmに対応します。初期設定でディスプレイの高さを5段階に変更可能です。(365/415/465/515/565mm)台座を含めた本体が頑丈なスチール製で高耐久仕様となっています。一般的な純正スタンドと比べ、省スペースにディスプレイを設置することができます。純正スタンドが破損、紛失した際の代替用としても便利です。支柱背面にケーブルクランプを標準装備しており、綺麗に配線処理が出来ます。接地面を傷つけず、滑り止めとしても使えるゴムパッド付きです。※大型ディスプレイを設置する際には必ず大人の方3人以上で行ってください。※想定されるディスプレイサイズは一般的な目安を示しています。取り付けにおいてはディスプレイの重量と耐荷重を基準として選定してください。※写真のディスプレイ、機器類は設置イメージを説明するものであり、実際の製品には付属しません。

高耐荷重のテレビ壁掛け金具です。100kgの耐荷重で55～100インチ程度のテレビの設置が可能です。VESA規格に対応し、最大VESA1000×600まで対応します。壁面からの距離を約90～600mmの間で調整可能です。テレビの角度は上方向9度、下方向13度、左右各45度の調整が可能です。※本製品の取付けには特別な技術が必要ですので、必ず専門業者へご依頼下さい。お客様による工事は一切行わないで下さい。

主軸の干渉を回避した嵩上げ構造。刃物の長さを短くでき、加工時間短縮・刃物の省力化が可能です。ロックタイト浮上り防止機構。半球セグメントにより、可動体に斜め下方向45度の力を加えることでワークの浮上りを防止できます。口金交換式。2種類の口金を標準付属し、加工条件に最適な口金を使用できます。ワークは常にバイス中心位置でクランプでき、プログラムの手間が省けます。[主な適合機械]5軸制御MC[付属品]LT5AU75(M)-V1 ステップ口金(グリップタイプ)LT5AU75-SJG8(2個1set)：2set ステップ口金(深さ20)LT5AU75-SJ20(2枚1set)：1set 標準取付クランプセット BCS14Q1(2組1set)：2set 標準ガイドブロック LTGB14-14(2個1set)：1set 標準ハンドル LT-10HN250：1本 LT5AU100(M) ステップ口金(グリップタイプ)LT5AU100-SJG8(6個1set)：1set ステップ口金(深さ20)LT5AU100-SJ20(2枚1set)：1set 標準取付クランプセット BCS18Q1(2組1set)：2set 標準ガイドブロック LTGB18-18(2個1set)：1set 標準ハンドル LT-12HN250、LT-12HN370：各1本ワークは常にバイス中心位置でクランプでき、プログラムの手間が省けます。

輸入車用TRW DTEC低ダストセラミックブレーキパッド/TRW DTEC BRAKE PADSDTECブレーキパッドは、COTECシリーズの安全性に加え、リム表面のダストを最大45%低減するプレミアムセラミック配合の低ダストパッドです。・低ダスト配合により、ホイールが汚れにくい・ノイズが大幅に低減されます・安全性に妥協しない高い制動力TRWブレーキパッドは、最高水準の安全性能と広範な車種カバーを実現し、簡単なフィッティングを提供します。優れた安全性TRWブレーキパッドは、全てCOTECコーティングが施されています。COTECとは、ブレーキパッドの摩擦材に施される高度なシリケートコーティング技術であり、コーティングテクノロジー(Coating Technology)の略です。この技術により、パッドとディスクの接触が最適化され、新品ブレーキパッド交換直後でも制動距離が最大7メートル短縮されます。環境への配慮TRWは、ヨーロッパで初めて環境に配慮した乗用車用ブレーキパッド・プログラムを導入しました。鉛、水銀、カドミウム、アンチモン、真鍮、モリブデンなどの有害物質を一切使用していません。最先端の製造技術すべて自社で設計、製造、テストを行っており、品質、信頼性、安全性において独自の厳格基準を満たしています。・パウダーコーティングにより、バックプレートの錆を防止します・独自設計により、ブレーキパッドの耐熱性と高いせん断強度を実現します・摩擦材は入念に研究された原材料コンパウンドを配合し、あらゆる条件下で最も安全なブレーキ性能を発揮します・独自の焼き入れ技術により、ブレーキパッドを600～700℃に加熱し、馴染み時間と初期フェージングを低減しますTRWは100年以上にわたり、世界のトップ自動車メーカー向けにOEディスクブレーキシステムを設計、製造してきました。ZF Aftermarketの一員として、独自開発のディスクとパッド用高性能コーティング、テスト用ハード・ソフトウェアを自社開発した唯一のアフターマーケットブランドです。欧州の安全規格に適合しているだけでなく、厳格な国際規格にも準拠しています。さらに、極めて厳しい自社基準を満たすために、極限までテストを行っており、安全性を確保しています。ECE R90認証、ISO/TS 16949自動車品質マネジメント認証、ISO14001環境マネジメント認証をすべて取得しています。

輸入車用TRW COTECブレーキパッド/TRW COTEC BRAKE PADSCOTECブレーキパッドは、TRWが開発した新しい摩擦材コーティングにより、ブレーキパッド交換後の安全性を大幅に向上させたスタンダードシリーズの製品です。<優れた安全性>COTECブレーキパッドは、極めて高い摩擦係数を持つ独自の革新的なシリケート・コーティングによって、通常のブレーキパッドに比べて、最初の5～10回のブレーキ操作で車両の停止距離が大幅に短縮されます。・ブレーキパッドの慣らしに必要な時間を減らす・最初のブレーキ動作から95%の制動力を達成・交換後の制動距離を最大47%短縮・業界基準を上回る高い性能を実現<最先端の製造技術>すべて自社で設計、製造、テストを行っており、品質、信頼性および安全性において独自の厳格基準を満たしています。・パウダーコーティングにより、バックプレートの錆を防止します・専門設計により、ブレーキパッドの耐熱性と高いせん断強度を実現します・摩擦材は、ゴムからグラファイトに至るまで、あらゆる条件下で最も安全な材料を配合しています・独自焼き入れ技術により、ブレーキパッドを600～700℃に加熱し、馴染み時間と初期フェージングを低減しますTRWは、ZF Aftermarketの一員として、100年にわたる先駆的な製品開発と品質へのこだわりを誇ります。TRWブレーキシステム、ステアリングおよびサスペンション部品は、その卓越したエンジニアリング品質と革新的な設計で広く知られています。

輸入車用TRW ブラックペイント・ブレーキ・ディスク/TRW BLACK PAINTED BRAKE DISCSTRWは、年間1，200万枚以上のブレーキディスクを生産する、世界的に認められたブレーキエキスパートです。TRWディスクローターは特別に調合された黒色塗装仕上げが腐食から保護します。VCI(気化性防錆剤)ペーパーに包装してお届けします。防錆油が塗布されていないため、箱を開けてすぐに装着できます。<優れた性能>・特別に調合された黒色塗料で仕上げられており、生成された独特の塗装が腐食保護層の役割を果たします・OEおよびそれ以上の基準に基づく、ブレーキの安全性とパフォーマンスを保証します<迅速かつ正確な取り付け>・厳しい製造精度により、取り付けが容易・欧州市場で圧倒的なカバー率・ホイールベアリング付き製品も揃っています<先進の製造技術>・最高品質のEN-GJL-200またはEN-GJL-150鋳鉄を使用した精密鋳造・ディスク厚偏差(DTV)が10μm以下・ランアウトが 30μm以下・セントラルホールはH8基準に準拠<高度な基準に基づく試験>・OEM認定のテスト用ハードとソフトウェアを自社で開発・アルペンテスト、高性能試験、ヒルホールドなどの公道試験を実施TRWは、ZF Aftermarketの一員として、100年にわたる先駆的な製品開発と品質へのこだわりを誇ります。TRWブレーキシステム、ステアリングおよびサスペンション部品は、その卓越したエンジニアリング品質と革新的な設計で広く知られています。

水洗いのできる電気カミソリ用ジェルタイプのクリーニング液100mL入(週1回のご使用で約100回使用可能)水洗い時に使用することで刃を消臭・除菌します爽やかな香りが残ります

シェーバー洗浄充電器専用洗浄剤

VSシリーズ/VAシリーズ/130シリーズ/140シリーズ用のバネです。

【ポート数】P.S.E.搭載10/100/1000Base-T(X) RJ45 オート MDI/MDIX ×8ポート【イーサネット規格】IEEE 802.3 for 10Base-T、IEEE 802.3u for 100Base-TX、IEEE 802.3ab for 1000Base-T、IEEE 802.3x for Flow control、IEEE 802.3at PoE specification【電源】デュアル電源入力対応 12～36V DC入力(6ピン端子台)【消費電力】7.8W(平均)【使用温度範囲】-40～70℃(結露なきこと)【重量】452 g【寸法】41(W)x94.9(D)x144.3(H)mm【取り付け方法】 DINレール、ウォールマウント取付け対応【認証】EMI，EMS，Shock，Free Fall，Vibration，Safety，MTBF

薄型・省スペース基板型コントローラコンパクトな基板型コントローラ薄型・省スペース設計で、限られたスペースでも設置可能です。プログラム操作が簡単・使いやすい20種の命令を選択しながら進めるだけで、マニュアルレスで簡単にプログラミングができます。組み込み用途に最適安価でありながら、各種インターフェースを標準装備しています。いろいろな機器への組み込みに最適です。機能拡張が可能入出力I/O基板、アナログ入力基板など、追加ボードを使用することで、さまざまな用途に対応可能です。

抗菌・防臭HEPAフィルターにより、0.3μm以上の粒子を99.97%以上カットしたクリーンなエアーでブース内を清浄な環境に保ちます。フィルターの交換目安をお知らせするランプを搭載し、クリーンな環境下での作業をサポートします。庫内にはハンガーパイプとフックが付いています。

メーカー名：プロトメーカー品番：PGR0104用途に合わせストレートとT型に変形する2スタイルグリップ。先端はビットと3/8ソケット両方に対応します。色[カラー]：ブラックサイズ：3・8ソケット&1/4ビット材質[素材]：スチール + P V C使用箇所：汎用内容量[数量]：1個特記事項：用途に合わせストレートとT型に変形する2スタイルグリップ。先端はビットと3/8ソケット両方に対応します。関連商品：品番：PGR0011，PGR0026，PGR0018，PGR0092，PGR0094，PGR0095，PGR0103，PGR0104

MH Connectors RJ45 カプラMH Connectors MH3101 シリーズ Cat5 RJ45 カプラコネクタは、シールドなしのソケットアダプタです。このアダプタは、 1 ポートで 8P8C ピン構成となっています。コンタクトは、ニッケルめっきに金めっきが施されたりん青銅製です。特長と利点誘電電圧は 500 V ac です 絶縁抵抗： 1000 M Ω 動作温度範囲： -55 → 85 ° C パネル取り付け認定ANSI/ESD S20.20 ： 2014 です BS EN61340-5-1 ： 2007

MH Connectors RJ45 カプラMH Connectors MH3101 シリーズ Cat6 RJ45 カプラコネクタは、シールドなしのソケットアダプタです。このアダプタは、 1 ポートで 8P8C ピン構成となっています。コンタクトは、ニッケルめっきに金めっきが施されたりん青銅製です。特長と利点誘電電圧は 1000 V ac です 絶縁抵抗： 500 M Ω 動作温度範囲： -10 → 60 ° C パネル取り付け 接触抵抗は 20 mhm です認定ANSI/ESD S20.20 ： 2014 です BS EN61340-5-1 ： 2007 UL94V-0

MHRJ458P8CR RJ45 モジュラプラグ. MH Connectors MHRJ458P8CR RJ45 モジュラプラグは、 MHRJ シリーズのモジュラコネクタから派生したものです。これらの高品質 RJ45 コネクタは、標準で 50 金めっきコンタクトを備えており、信頼性の高い接続を実現します。それらは本当のナイフ刃、絶縁の穿孔の接触である。コネクタハウジングは、 UL94V-0 ポリカーボネート製のプラスチック製です。MHRJ458P8CR は丸型ケーブル用です。 MHRJ458P8CR は、 8P8C コネクタです。8P8C は、 ポジション コンタクトを表します。これは、通信およびコンピュータネットワーキングで使用される標準コネクタです。. 透明なポリカーボネート シールドなし 金めっきコンタクト 丸型ケーブルエントリ 真のナイフブレード. MHRJ シリーズには、 RJ45 RJ22 RJ11 RJ12 、および RJ48 コネクタもあります。 ストレインリリーフブーツをお探しですか? MH Connectors は、アンチスナグ機能またはクイックリリース機能を備えた、さまざまな色のストレインリリーフブーツを提供します。たとえば、白 ( 135-4165 135-4165 )またはグレー ( 135-4155 135-4155 )です。

PチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 2.6 A、3.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 160 mΩ， 530 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 1.4 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V幅 = 1.6mm動作温度 Min = -55 ℃mmPowerTrenchRデュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが実現します。 高度なテクノロジーを使用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になるか、電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。

チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 1.9 A、2.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 130 mΩ， 270 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 960 mWトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V幅 = 1.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmPowerTrenchRデュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが実現します。 高度なテクノロジーを使用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になるか、電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 8 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 35 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 960 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V幅 = 1.4mm高さ = 1.02mmPチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 41 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 5 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4mm動作温度 Min = -55 ℃mmデュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 35 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = PowerPAK 1212-8実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9.8 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 52 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V幅 = 3.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 165 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 1.8 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 12 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 19 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 1.7 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V長さ = 3.04mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = TSOP-6実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 60 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 3.3 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V長さ = 3.1mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 12 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 12 Vシリーズ = TrenchFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 71 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 19 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V幅 = 1.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、TrenchFET Gen III、Vishay Semiconductors

チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 7.2 A、8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 20 mΩ， 28 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大パワー消費 = 3.1 W、3.2 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V、-16 V、+16 V、+20 V長さ = 5mm高さ = 1.55mmデュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 1.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 115 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 72 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 1.6 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V幅 = 1.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmPowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 2.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 52 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V長さ = 2.92mm高さ = 0.94mmPowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 13.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 2500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V長さ = 5mm動作温度 Min = -55 ℃mm自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 24 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 2500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V長さ = 5mm動作温度 Min = -55 ℃mmPowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 12 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 82 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 2.4 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V幅 = 2mm動作温度 Min = -55 ℃mmPowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。