1軸アクチュエータ SE4510A(E9) カバー付・ピン用穴有

1軸アクチュエータ SE4510A(E9) カバー付・ピン用穴有 - 黒田精工

ボールねじと直線案内機器を一体化し、複雑な精度調整が不要、取付工数の大幅な削減が可能。
直線運動部は、ボールねじ溝と同様にゴシックアーチを採用し、高精度の位置決め精度が可能。
U字形状のガイドレールの採用でコンパクトで高剛性を実現。
U字形状のガイドレールの中にスライドブロックを配置し、低断面構造とし省スペース化を実現。
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内容量1台
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15121164SE4510A-640W-E9CN-NN-PS標準仕様(黒染め)SE45640E9なしA(ロングブロック1個付)標準グリースW(繰返し位置決め精度:±10μm)上面カバー付10
275,000
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15121182SE4510A-640W-E9CN-NS-PS標準仕様(黒染め)SE45640E9なしA(ロングブロック1個付)低発塵グリース(クロダSグリース)W(繰返し位置決め精度:±10μm)上面カバー付10
276,500
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15121207SE4510A-640W-E9CN-LN-PS防錆黒色被膜処理SE45640E9なしA(ロングブロック1個付)標準グリースW(繰返し位置決め精度:±10μm)上面カバー付10
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15121225SE4510A-640W-E9CN-LS-PS防錆黒色被膜処理SE45640E9なしA(ロングブロック1個付)低発塵グリース(クロダSグリース)W(繰返し位置決め精度:±10μm)上面カバー付10
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15121243SE4510A-640W-E9CM-NN-PS標準仕様(黒染め)SE45640E9M(フォトマイクロセンサ)A(ロングブロック1個付)標準グリースW(繰返し位置決め精度:±10μm)上面カバー付10
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15121268SE4510A-640W-E9CM-NS-PS標準仕様(黒染め)SE45640E9M(フォトマイクロセンサ)A(ロングブロック1個付)低発塵グリース(クロダSグリース)W(繰返し位置決め精度:±10μm)上面カバー付10
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15121286SE4510A-640W-E9CM-LN-PS防錆黒色被膜処理SE45640E9M(フォトマイクロセンサ)A(ロングブロック1個付)標準グリースW(繰返し位置決め精度:±10μm)上面カバー付10
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15137167SE4510A-740W-E9CN-NN-PS標準仕様(黒染め)SE45740E9なしA(ロングブロック1個付)標準グリースW(繰返し位置決め精度:±10μm)上面カバー付10
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15137185SE4510A-740W-E9CN-NS-PS標準仕様(黒染め)SE45740E9なしA(ロングブロック1個付)低発塵グリース(クロダSグリース)W(繰返し位置決め精度:±10μm)上面カバー付10
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15137203SE4510A-740W-E9CN-LN-PS防錆黒色被膜処理SE45740E9なしA(ロングブロック1個付)標準グリースW(繰返し位置決め精度:±10μm)上面カバー付10
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15137228SE4510A-740W-E9CN-LS-PS防錆黒色被膜処理SE45740E9なしA(ロングブロック1個付)低発塵グリース(クロダSグリース)W(繰返し位置決め精度:±10μm)上面カバー付10
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15137246SE4510A-740W-E9CM-NN-PS標準仕様(黒染め)SE45740E9M(フォトマイクロセンサ)A(ロングブロック1個付)標準グリースW(繰返し位置決め精度:±10μm)上面カバー付10
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15137264SE4510A-740W-E9CM-NS-PS標準仕様(黒染め)SE45740E9M(フォトマイクロセンサ)A(ロングブロック1個付)低発塵グリース(クロダSグリース)W(繰返し位置決め精度:±10μm)上面カバー付10
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15137282SE4510A-740W-E9CM-LN-PS防錆黒色被膜処理SE45740E9M(フォトマイクロセンサ)A(ロングブロック1個付)標準グリースW(繰返し位置決め精度:±10μm)上面カバー付10
333,000
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15137325SE4510A-740W-E9CY-NN-PS標準仕様(黒染め)SE45740E9Y(フォトマイクロセンサ)A(ロングブロック1個付)標準グリースW(繰返し位置決め精度:±10μm)上面カバー付10
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15137343SE4510A-740W-E9CY-NS-PS標準仕様(黒染め)SE45740E9Y(フォトマイクロセンサ)A(ロングブロック1個付)低発塵グリース(クロダSグリース)W(繰返し位置決め精度:±10μm)上面カバー付10
305,500
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15137368SE4510A-740W-E9CY-LN-PS防錆黒色被膜処理SE45740E9Y(フォトマイクロセンサ)A(ロングブロック1個付)標準グリースW(繰返し位置決め精度:±10μm)上面カバー付10
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15137386SE4510A-740W-E9CY-LS-PS防錆黒色被膜処理SE45740E9Y(フォトマイクロセンサ)A(ロングブロック1個付)低発塵グリース(クロダSグリース)W(繰返し位置決め精度:±10μm)上面カバー付10
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15137404SE4510A-740W-E9CC-NN-PS標準仕様(黒染め)SE45740E9C(フォトマイクロセンサ)A(ロングブロック1個付)標準グリースW(繰返し位置決め精度:±10μm)上面カバー付10
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15137447SE4510A-740W-E9CC-LN-PS防錆黒色被膜処理SE45740E9C(フォトマイクロセンサ)A(ロングブロック1個付)標準グリースW(繰返し位置決め精度:±10μm)上面カバー付10
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15137483SE4510A-740W-E9CP-NN-PS標準仕様(黒染め)SE45740E9P(フォトマイクロセンサ)A(ロングブロック1個付)標準グリースW(繰返し位置決め精度:±10μm)上面カバー付10
304,000
239,800
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15137508SE4510A-740W-E9CP-NS-PS標準仕様(黒染め)SE45740E9P(フォトマイクロセンサ)A(ロングブロック1個付)低発塵グリース(クロダSグリース)W(繰返し位置決め精度:±10μm)上面カバー付10
305,500
239,800
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15137526SE4510A-740W-E9CP-LN-PS防錆黒色被膜処理SE45740E9P(フォトマイクロセンサ)A(ロングブロック1個付)標準グリースW(繰返し位置決め精度:±10μm)上面カバー付10
333,000
259,800
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15137544SE4510A-740W-E9CP-LS-PS防錆黒色被膜処理SE45740E9P(フォトマイクロセンサ)A(ロングブロック1個付)低発塵グリース(クロダSグリース)W(繰返し位置決め精度:±10μm)上面カバー付10
334,500
269,800
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15153163SE4510A-840W-E9CN-NN-PS標準仕様(黒染め)SE45840E9なしA(ロングブロック1個付)標準グリースW(繰返し位置決め精度:±10μm)上面カバー付10
342,000
269,800
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15153188SE4510A-840W-E9CN-NS-PS標準仕様(黒染め)SE45840E9なしA(ロングブロック1個付)低発塵グリース(クロダSグリース)W(繰返し位置決め精度:±10μm)上面カバー付10
343,500
269,800
296,780(税込)
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15153206SE4510A-840W-E9CN-LN-PS防錆黒色被膜処理SE45840E9なしA(ロングブロック1個付)標準グリースW(繰返し位置決め精度:±10μm)上面カバー付10
373,000
299,800
329,780(税込)
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15153224SE4510A-840W-E9CN-LS-PS防錆黒色被膜処理SE45840E9なしA(ロングブロック1個付)低発塵グリース(クロダSグリース)W(繰返し位置決め精度:±10μm)上面カバー付10
374,500
299,800
329,780(税込)
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15153242SE4510A-840W-E9CM-NN-PS標準仕様(黒染め)SE45840E9M(フォトマイクロセンサ)A(ロングブロック1個付)標準グリースW(繰返し位置決め精度:±10μm)上面カバー付10
355,000
279,800
307,780(税込)
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15153267SE4510A-840W-E9CM-NS-PS標準仕様(黒染め)SE45840E9M(フォトマイクロセンサ)A(ロングブロック1個付)低発塵グリース(クロダSグリース)W(繰返し位置決め精度:±10μm)上面カバー付10
356,500
279,800
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15153285SE4510A-840W-E9CM-LN-PS防錆黒色被膜処理SE45840E9M(フォトマイクロセンサ)A(ロングブロック1個付)標準グリースW(繰返し位置決め精度:±10μm)上面カバー付10
386,000
299,800
329,780(税込)
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15153303SE4510A-840W-E9CM-LS-PS防錆黒色被膜処理SE45840E9M(フォトマイクロセンサ)A(ロングブロック1個付)低発塵グリース(クロダSグリース)W(繰返し位置決め精度:±10μm)上面カバー付10
387,500
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355,000
279,800
307,780(税込)
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15153346SE4510A-840W-E9CY-NS-PS標準仕様(黒染め)SE45840E9Y(フォトマイクロセンサ)A(ロングブロック1個付)低発塵グリース(クロダSグリース)W(繰返し位置決め精度:±10μm)上面カバー付10
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