1軸アクチュエータ SE4510C(E3)

1軸アクチュエータ SE4510C(E3) - 黒田精工

ボールねじと直線案内機器を一体化し、複雑な精度調整が不要、取付工数の大幅な削減が可能。
直線運動部は、ボールねじ溝と同様にゴシックアーチを採用し、高精度の位置決め精度が可能。
U字形状のガイドレールの採用でコンパクトで高剛性を実現。
U字形状のガイドレールの中にスライドブロックを配置し、低断面構造とし省スペース化を実現。
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内容量1台
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注文コード
品番
スライドブロック
型式
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モータ取付部形状
アクチュエータの種類
センサー
グリス種類
カバー
表面処理
ボールねじリード(mm)
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15343152SE4510C-640W-E3NN-NNC(ショートブロック1個付)SE45640E3W(繰返し位置決め精度:±10μm)なし標準グリースなし標準仕様(黒染め)10
259,000
199,800
219,780(税込)
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15343177SE4510C-640W-E3NN-NSC(ショートブロック1個付)SE45640E3W(繰返し位置決め精度:±10μm)なし低発塵グリース(クロダSグリース)なし標準仕様(黒染め)10
260,500
199,800
219,780(税込)
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15343195SE4510C-640W-E3NN-LNC(ショートブロック1個付)SE45640E3W(繰返し位置決め精度:±10μm)なし標準グリースなし防錆黒色被膜処理10
285,000
229,800
252,780(税込)
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15343213SE4510C-640W-E3NN-LSC(ショートブロック1個付)SE45640E3W(繰返し位置決め精度:±10μm)なし低発塵グリース(クロダSグリース)なし防錆黒色被膜処理10
286,500
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15343238SE4510C-640W-E3NM-NNC(ショートブロック1個付)SE45640E3W(繰返し位置決め精度:±10μm)M(フォトマイクロセンサ)標準グリースなし標準仕様(黒染め)10
271,000
209,800
230,780(税込)
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15343256SE4510C-640W-E3NM-NSC(ショートブロック1個付)SE45640E3W(繰返し位置決め精度:±10μm)M(フォトマイクロセンサ)低発塵グリース(クロダSグリース)なし標準仕様(黒染め)10
272,500
219,800
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15343274SE4510C-640W-E3NM-LNC(ショートブロック1個付)SE45640E3W(繰返し位置決め精度:±10μm)M(フォトマイクロセンサ)標準グリースなし防錆黒色被膜処理10
297,000
239,800
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15343292SE4510C-640W-E3NM-LSC(ショートブロック1個付)SE45640E3W(繰返し位置決め精度:±10μm)M(フォトマイクロセンサ)低発塵グリース(クロダSグリース)なし防錆黒色被膜処理10
298,500
239,800
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15343317SE4510C-640W-E3NY-NNC(ショートブロック1個付)SE45640E3W(繰返し位置決め精度:±10μm)Y(フォトマイクロセンサ)標準グリースなし標準仕様(黒染め)10
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15343335SE4510C-640W-E3NY-NSC(ショートブロック1個付)SE45640E3W(繰返し位置決め精度:±10μm)Y(フォトマイクロセンサ)低発塵グリース(クロダSグリース)なし標準仕様(黒染め)10
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15343353SE4510C-640W-E3NY-LNC(ショートブロック1個付)SE45640E3W(繰返し位置決め精度:±10μm)Y(フォトマイクロセンサ)標準グリースなし防錆黒色被膜処理10
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15343378SE4510C-640W-E3NY-LSC(ショートブロック1個付)SE45640E3W(繰返し位置決め精度:±10μm)Y(フォトマイクロセンサ)低発塵グリース(クロダSグリース)なし防錆黒色被膜処理10
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15343396SE4510C-640W-E3NC-NNC(ショートブロック1個付)SE45640E3W(繰返し位置決め精度:±10μm)C(フォトマイクロセンサ)標準グリースなし標準仕様(黒染め)10
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15343414SE4510C-640W-E3NC-NSC(ショートブロック1個付)SE45640E3W(繰返し位置決め精度:±10μm)C(フォトマイクロセンサ)低発塵グリース(クロダSグリース)なし標準仕様(黒染め)10
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15343432SE4510C-640W-E3NC-LNC(ショートブロック1個付)SE45640E3W(繰返し位置決め精度:±10μm)C(フォトマイクロセンサ)標準グリースなし防錆黒色被膜処理10
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15343457SE4510C-640W-E3NC-LSC(ショートブロック1個付)SE45640E3W(繰返し位置決め精度:±10μm)C(フォトマイクロセンサ)低発塵グリース(クロダSグリース)なし防錆黒色被膜処理10
298,500
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15343475SE4510C-640W-E3NP-NNC(ショートブロック1個付)SE45640E3W(繰返し位置決め精度:±10μm)P(フォトマイクロセンサ)標準グリースなし標準仕様(黒染め)10
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15343493SE4510C-640W-E3NP-NSC(ショートブロック1個付)SE45640E3W(繰返し位置決め精度:±10μm)P(フォトマイクロセンサ)低発塵グリース(クロダSグリース)なし標準仕様(黒染め)10
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15343518SE4510C-640W-E3NP-LNC(ショートブロック1個付)SE45640E3W(繰返し位置決め精度:±10μm)P(フォトマイクロセンサ)標準グリースなし防錆黒色被膜処理10
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15343536SE4510C-640W-E3NP-LSC(ショートブロック1個付)SE45640E3W(繰返し位置決め精度:±10μm)P(フォトマイクロセンサ)低発塵グリース(クロダSグリース)なし防錆黒色被膜処理10
298,500
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15359155SE4510C-740W-E3NN-NNC(ショートブロック1個付)SE45740E3W(繰返し位置決め精度:±10μm)なし標準グリースなし標準仕様(黒染め)10
275,000
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15359173SE4510C-740W-E3NN-NSC(ショートブロック1個付)SE45740E3W(繰返し位置決め精度:±10μm)なし低発塵グリース(クロダSグリース)なし標準仕様(黒染め)10
276,500
219,800
241,780(税込)
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15359198SE4510C-740W-E3NN-LNC(ショートブロック1個付)SE45740E3W(繰返し位置決め精度:±10μm)なし標準グリースなし防錆黒色被膜処理10
304,000
239,800
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15359216SE4510C-740W-E3NN-LSC(ショートブロック1個付)SE45740E3W(繰返し位置決め精度:±10μm)なし低発塵グリース(クロダSグリース)なし防錆黒色被膜処理10
305,500
239,800
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15359234SE4510C-740W-E3NM-NNC(ショートブロック1個付)SE45740E3W(繰返し位置決め精度:±10μm)M(フォトマイクロセンサ)標準グリースなし標準仕様(黒染め)10
288,000
229,800
252,780(税込)
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15359252SE4510C-740W-E3NM-NSC(ショートブロック1個付)SE45740E3W(繰返し位置決め精度:±10μm)M(フォトマイクロセンサ)低発塵グリース(クロダSグリース)なし標準仕様(黒染め)10
289,500
229,800
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15359277SE4510C-740W-E3NM-LNC(ショートブロック1個付)SE45740E3W(繰返し位置決め精度:±10μm)M(フォトマイクロセンサ)標準グリースなし防錆黒色被膜処理10
317,000
249,800
274,780(税込)
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15359295SE4510C-740W-E3NM-LSC(ショートブロック1個付)SE45740E3W(繰返し位置決め精度:±10μm)M(フォトマイクロセンサ)低発塵グリース(クロダSグリース)なし防錆黒色被膜処理10
318,500
249,800
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15359313SE4510C-740W-E3NY-NNC(ショートブロック1個付)SE45740E3W(繰返し位置決め精度:±10μm)Y(フォトマイクロセンサ)標準グリースなし標準仕様(黒染め)10
288,000
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15359338SE4510C-740W-E3NY-NSC(ショートブロック1個付)SE45740E3W(繰返し位置決め精度:±10μm)Y(フォトマイクロセンサ)低発塵グリース(クロダSグリース)なし標準仕様(黒染め)10
289,500
229,800
252,780(税込)
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15359356SE4510C-740W-E3NY-LNC(ショートブロック1個付)SE45740E3W(繰返し位置決め精度:±10μm)Y(フォトマイクロセンサ)標準グリースなし防錆黒色被膜処理10
317,000
249,800
274,780(税込)
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15359374SE4510C-740W-E3NY-LSC(ショートブロック1個付)SE45740E3W(繰返し位置決め精度:±10μm)Y(フォトマイクロセンサ)低発塵グリース(クロダSグリース)なし防錆黒色被膜処理10
318,500
249,800
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15359392SE4510C-740W-E3NC-NNC(ショートブロック1個付)SE45740E3W(繰返し位置決め精度:±10μm)C(フォトマイクロセンサ)標準グリースなし標準仕様(黒染め)10
288,000
229,800
252,780(税込)
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15359417SE4510C-740W-E3NC-NSC(ショートブロック1個付)SE45740E3W(繰返し位置決め精度:±10μm)C(フォトマイクロセンサ)低発塵グリース(クロダSグリース)なし標準仕様(黒染め)10
289,500
229,800
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15359435SE4510C-740W-E3NC-LNC(ショートブロック1個付)SE45740E3W(繰返し位置決め精度:±10μm)C(フォトマイクロセンサ)標準グリースなし防錆黒色被膜処理10
317,000
249,800
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15359453SE4510C-740W-E3NC-LSC(ショートブロック1個付)SE45740E3W(繰返し位置決め精度:±10μm)C(フォトマイクロセンサ)低発塵グリース(クロダSグリース)なし防錆黒色被膜処理10
318,500
249,800
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15359478SE4510C-740W-E3NP-NNC(ショートブロック1個付)SE45740E3W(繰返し位置決め精度:±10μm)P(フォトマイクロセンサ)標準グリースなし標準仕様(黒染め)10
288,000
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15359496SE4510C-740W-E3NP-NSC(ショートブロック1個付)SE45740E3W(繰返し位置決め精度:±10μm)P(フォトマイクロセンサ)低発塵グリース(クロダSグリース)なし標準仕様(黒染め)10
289,500
229,800
252,780(税込)
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15359514SE4510C-740W-E3NP-LNC(ショートブロック1個付)SE45740E3W(繰返し位置決め精度:±10μm)P(フォトマイクロセンサ)標準グリースなし防錆黒色被膜処理10
317,000
249,800
274,780(税込)
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15359532SE4510C-740W-E3NP-LSC(ショートブロック1個付)SE45740E3W(繰返し位置決め精度:±10μm)P(フォトマイクロセンサ)低発塵グリース(クロダSグリース)なし防錆黒色被膜処理10
318,500
249,800
274,780(税込)
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15375158SE4510C-840W-E3NN-NNC(ショートブロック1個付)SE45840E3W(繰返し位置決め精度:±10μm)なし標準グリースなし標準仕様(黒染め)10
326,000
259,800
285,780(税込)
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15375176SE4510C-840W-E3NN-NSC(ショートブロック1個付)SE45840E3W(繰返し位置決め精度:±10μm)なし低発塵グリース(クロダSグリース)なし標準仕様(黒染め)10
327,500
259,800
285,780(税込)
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15375194SE4510C-840W-E3NN-LNC(ショートブロック1個付)SE45840E3W(繰返し位置決め精度:±10μm)なし標準グリースなし防錆黒色被膜処理10
357,000
279,800
307,780(税込)
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15375212SE4510C-840W-E3NN-LSC(ショートブロック1個付)SE45840E3W(繰返し位置決め精度:±10μm)なし低発塵グリース(クロダSグリース)なし防錆黒色被膜処理10
358,500
279,800
307,780(税込)
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15375237SE4510C-840W-E3NM-NNC(ショートブロック1個付)SE45840E3W(繰返し位置決め精度:±10μm)M(フォトマイクロセンサ)標準グリースなし標準仕様(黒染め)10
339,000
269,800
296,780(税込)
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15375255SE4510C-840W-E3NM-NSC(ショートブロック1個付)SE45840E3W(繰返し位置決め精度:±10μm)M(フォトマイクロセンサ)低発塵グリース(クロダSグリース)なし標準仕様(黒染め)10
340,500
269,800
296,780(税込)
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15375273SE4510C-840W-E3NM-LNC(ショートブロック1個付)SE45840E3W(繰返し位置決め精度:±10μm)M(フォトマイクロセンサ)標準グリースなし防錆黒色被膜処理10
370,000
289,800
318,780(税込)
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15375298SE4510C-840W-E3NM-LSC(ショートブロック1個付)SE45840E3W(繰返し位置決め精度:±10μm)M(フォトマイクロセンサ)低発塵グリース(クロダSグリース)なし防錆黒色被膜処理10
371,500
289,800
318,780(税込)
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15375316SE4510C-840W-E3NY-NNC(ショートブロック1個付)SE45840E3W(繰返し位置決め精度:±10μm)Y(フォトマイクロセンサ)標準グリースなし標準仕様(黒染め)10
339,000
269,800
296,780(税込)
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15375334SE4510C-840W-E3NY-NSC(ショートブロック1個付)SE45840E3W(繰返し位置決め精度:±10μm)Y(フォトマイクロセンサ)低発塵グリース(クロダSグリース)なし標準仕様(黒染め)10
340,500
269,800
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