1軸アクチュエータ SE4510C(E3)

1軸アクチュエータ SE4510C(E3) 黒田精工

ボールねじと直線案内機器を一体化し、複雑な精度調整が不要、取付工数の大幅な削減が可能。
直線運動部は、ボールねじ溝と同様にゴシックアーチを採用し、高精度の位置決め精度が可能。
U字形状のガイドレールの採用でコンパクトで高剛性を実現。
U字形状のガイドレールの中にスライドブロックを配置し、低断面構造とし省スペース化を実現。
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15343152 SE4510C-640W-E3NN-NN C(ショートブロック1個付) SE45 640 E3 W(繰返し位置決め精度:±10μm) なし 標準グリース なし 標準仕様(黒染め) 10
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15343177 SE4510C-640W-E3NN-NS C(ショートブロック1個付) SE45 640 E3 W(繰返し位置決め精度:±10μm) なし 低発塵グリース(クロダSグリース) なし 標準仕様(黒染め) 10
260,500
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15343195 SE4510C-640W-E3NN-LN C(ショートブロック1個付) SE45 640 E3 W(繰返し位置決め精度:±10μm) なし 標準グリース なし 防錆黒色被膜処理 10
285,000
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15343213 SE4510C-640W-E3NN-LS C(ショートブロック1個付) SE45 640 E3 W(繰返し位置決め精度:±10μm) なし 低発塵グリース(クロダSグリース) なし 防錆黒色被膜処理 10
286,500
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15343238 SE4510C-640W-E3NM-NN C(ショートブロック1個付) SE45 640 E3 W(繰返し位置決め精度:±10μm) M(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし 標準仕様(黒染め) 10
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15343256 SE4510C-640W-E3NM-NS C(ショートブロック1個付) SE45 640 E3 W(繰返し位置決め精度:±10μm) M(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし 標準仕様(黒染め) 10
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15343274 SE4510C-640W-E3NM-LN C(ショートブロック1個付) SE45 640 E3 W(繰返し位置決め精度:±10μm) M(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし 防錆黒色被膜処理 10
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15343292 SE4510C-640W-E3NM-LS C(ショートブロック1個付) SE45 640 E3 W(繰返し位置決め精度:±10μm) M(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし 防錆黒色被膜処理 10
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15343353 SE4510C-640W-E3NY-LN C(ショートブロック1個付) SE45 640 E3 W(繰返し位置決め精度:±10μm) Y(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし 防錆黒色被膜処理 10
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15343396 SE4510C-640W-E3NC-NN C(ショートブロック1個付) SE45 640 E3 W(繰返し位置決め精度:±10μm) C(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし 標準仕様(黒染め) 10
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15343457 SE4510C-640W-E3NC-LS C(ショートブロック1個付) SE45 640 E3 W(繰返し位置決め精度:±10μm) C(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし 防錆黒色被膜処理 10
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15343475 SE4510C-640W-E3NP-NN C(ショートブロック1個付) SE45 640 E3 W(繰返し位置決め精度:±10μm) P(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし 標準仕様(黒染め) 10
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15343493 SE4510C-640W-E3NP-NS C(ショートブロック1個付) SE45 640 E3 W(繰返し位置決め精度:±10μm) P(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし 標準仕様(黒染め) 10
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15343518 SE4510C-640W-E3NP-LN C(ショートブロック1個付) SE45 640 E3 W(繰返し位置決め精度:±10μm) P(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし 防錆黒色被膜処理 10
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15343536 SE4510C-640W-E3NP-LS C(ショートブロック1個付) SE45 640 E3 W(繰返し位置決め精度:±10μm) P(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし 防錆黒色被膜処理 10
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15359155 SE4510C-740W-E3NN-NN C(ショートブロック1個付) SE45 740 E3 W(繰返し位置決め精度:±10μm) なし 標準グリース なし 標準仕様(黒染め) 10
275,000
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15359173 SE4510C-740W-E3NN-NS C(ショートブロック1個付) SE45 740 E3 W(繰返し位置決め精度:±10μm) なし 低発塵グリース(クロダSグリース) なし 標準仕様(黒染め) 10
276,500
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15359198 SE4510C-740W-E3NN-LN C(ショートブロック1個付) SE45 740 E3 W(繰返し位置決め精度:±10μm) なし 標準グリース なし 防錆黒色被膜処理 10
304,000
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15359216 SE4510C-740W-E3NN-LS C(ショートブロック1個付) SE45 740 E3 W(繰返し位置決め精度:±10μm) なし 低発塵グリース(クロダSグリース) なし 防錆黒色被膜処理 10
305,500
239,800
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15359234 SE4510C-740W-E3NM-NN C(ショートブロック1個付) SE45 740 E3 W(繰返し位置決め精度:±10μm) M(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし 標準仕様(黒染め) 10
288,000
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15359252 SE4510C-740W-E3NM-NS C(ショートブロック1個付) SE45 740 E3 W(繰返し位置決め精度:±10μm) M(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし 標準仕様(黒染め) 10
289,500
229,800
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15359277 SE4510C-740W-E3NM-LN C(ショートブロック1個付) SE45 740 E3 W(繰返し位置決め精度:±10μm) M(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし 防錆黒色被膜処理 10
317,000
249,800
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15359295 SE4510C-740W-E3NM-LS C(ショートブロック1個付) SE45 740 E3 W(繰返し位置決め精度:±10μm) M(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし 防錆黒色被膜処理 10
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15359313 SE4510C-740W-E3NY-NN C(ショートブロック1個付) SE45 740 E3 W(繰返し位置決め精度:±10μm) Y(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし 標準仕様(黒染め) 10
288,000
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15359338 SE4510C-740W-E3NY-NS C(ショートブロック1個付) SE45 740 E3 W(繰返し位置決め精度:±10μm) Y(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし 標準仕様(黒染め) 10
289,500
229,800
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15359356 SE4510C-740W-E3NY-LN C(ショートブロック1個付) SE45 740 E3 W(繰返し位置決め精度:±10μm) Y(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし 防錆黒色被膜処理 10
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15359374 SE4510C-740W-E3NY-LS C(ショートブロック1個付) SE45 740 E3 W(繰返し位置決め精度:±10μm) Y(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし 防錆黒色被膜処理 10
318,500
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15359392 SE4510C-740W-E3NC-NN C(ショートブロック1個付) SE45 740 E3 W(繰返し位置決め精度:±10μm) C(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし 標準仕様(黒染め) 10
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15359417 SE4510C-740W-E3NC-NS C(ショートブロック1個付) SE45 740 E3 W(繰返し位置決め精度:±10μm) C(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし 標準仕様(黒染め) 10
289,500
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15359435 SE4510C-740W-E3NC-LN C(ショートブロック1個付) SE45 740 E3 W(繰返し位置決め精度:±10μm) C(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし 防錆黒色被膜処理 10
317,000
249,800
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15359453 SE4510C-740W-E3NC-LS C(ショートブロック1個付) SE45 740 E3 W(繰返し位置決め精度:±10μm) C(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし 防錆黒色被膜処理 10
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15359478 SE4510C-740W-E3NP-NN C(ショートブロック1個付) SE45 740 E3 W(繰返し位置決め精度:±10μm) P(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし 標準仕様(黒染め) 10
288,000
229,800
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15359496 SE4510C-740W-E3NP-NS C(ショートブロック1個付) SE45 740 E3 W(繰返し位置決め精度:±10μm) P(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし 標準仕様(黒染め) 10
289,500
229,800
252,780 (税込)
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15359514 SE4510C-740W-E3NP-LN C(ショートブロック1個付) SE45 740 E3 W(繰返し位置決め精度:±10μm) P(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし 防錆黒色被膜処理 10
317,000
249,800
274,780 (税込)
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15359532 SE4510C-740W-E3NP-LS C(ショートブロック1個付) SE45 740 E3 W(繰返し位置決め精度:±10μm) P(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし 防錆黒色被膜処理 10
318,500
249,800
274,780 (税込)
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15375158 SE4510C-840W-E3NN-NN C(ショートブロック1個付) SE45 840 E3 W(繰返し位置決め精度:±10μm) なし 標準グリース なし 標準仕様(黒染め) 10
326,000
259,800
285,780 (税込)
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15375176 SE4510C-840W-E3NN-NS C(ショートブロック1個付) SE45 840 E3 W(繰返し位置決め精度:±10μm) なし 低発塵グリース(クロダSグリース) なし 標準仕様(黒染め) 10
327,500
259,800
285,780 (税込)
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15375194 SE4510C-840W-E3NN-LN C(ショートブロック1個付) SE45 840 E3 W(繰返し位置決め精度:±10μm) なし 標準グリース なし 防錆黒色被膜処理 10
357,000
279,800
307,780 (税込)
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15375212 SE4510C-840W-E3NN-LS C(ショートブロック1個付) SE45 840 E3 W(繰返し位置決め精度:±10μm) なし 低発塵グリース(クロダSグリース) なし 防錆黒色被膜処理 10
358,500
279,800
307,780 (税込)
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15375237 SE4510C-840W-E3NM-NN C(ショートブロック1個付) SE45 840 E3 W(繰返し位置決め精度:±10μm) M(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし 標準仕様(黒染め) 10
339,000
269,800
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15375255 SE4510C-840W-E3NM-NS C(ショートブロック1個付) SE45 840 E3 W(繰返し位置決め精度:±10μm) M(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし 標準仕様(黒染め) 10
340,500
269,800
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15375273 SE4510C-840W-E3NM-LN C(ショートブロック1個付) SE45 840 E3 W(繰返し位置決め精度:±10μm) M(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし 防錆黒色被膜処理 10
370,000
289,800
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15375298 SE4510C-840W-E3NM-LS C(ショートブロック1個付) SE45 840 E3 W(繰返し位置決め精度:±10μm) M(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし 防錆黒色被膜処理 10
371,500
289,800
318,780 (税込)
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15375316 SE4510C-840W-E3NY-NN C(ショートブロック1個付) SE45 840 E3 W(繰返し位置決め精度:±10μm) Y(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし 標準仕様(黒染め) 10
339,000
269,800
296,780 (税込)
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15375334 SE4510C-840W-E3NY-NS C(ショートブロック1個付) SE45 840 E3 W(繰返し位置決め精度:±10μm) Y(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし 標準仕様(黒染め) 10
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