1軸アクチュエータ SE4520B(E0) ピン用穴有

1軸アクチュエータ SE4520B(E0) ピン用穴有 黒田精工

ボールねじと直線案内機器を一体化し、複雑な精度調整が不要、取付工数の大幅な削減が可能。
直線運動部は、ボールねじ溝と同様にゴシックアーチを採用し、高精度の位置決め精度が可能。
U字形状のガイドレールの採用でコンパクトで高剛性を実現。
U字形状のガイドレールの中にスライドブロックを配置し、低断面構造とし省スペース化を実現。
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14364464 SE4520B-840U-E0NN-NN-PS E0 標準仕様(黒染め) SE45 840 なし B(ロングブロック2個付) 標準グリース なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 20
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14364482 SE4520B-840U-E0NN-NS-PS E0 標準仕様(黒染め) SE45 840 なし B(ロングブロック2個付) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 20
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14364507 SE4520B-840U-E0NN-LN-PS E0 防錆黒色被膜処理 SE45 840 なし B(ロングブロック2個付) 標準グリース なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 20
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14364744 SE4520B-840U-E0NC-LN-PS E0 防錆黒色被膜処理 SE45 840 C(フォトマイクロセンサ) B(ロングブロック2個付) 標準グリース なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 20
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14364823 SE4520B-840U-E0NP-LN-PS E0 防錆黒色被膜処理 SE45 840 P(フォトマイクロセンサ) B(ロングブロック2個付) 標準グリース なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 20
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14364848 SE4520B-840U-E0NP-LS-PS E0 防錆黒色被膜処理 SE45 840 P(フォトマイクロセンサ) B(ロングブロック2個付) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 20
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14380485 SE4520B-940U-E0NN-NS-PS E0 標準仕様(黒染め) SE45 940 なし B(ロングブロック2個付) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 20
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14380503 SE4520B-940U-E0NN-LN-PS E0 防錆黒色被膜処理 SE45 940 なし B(ロングブロック2個付) 標準グリース なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 20
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14380528 SE4520B-940U-E0NN-LS-PS E0 防錆黒色被膜処理 SE45 940 なし B(ロングブロック2個付) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 20
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14380564 SE4520B-940U-E0NM-NS-PS E0 標準仕様(黒染め) SE45 940 M(フォトマイクロセンサ) B(ロングブロック2個付) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 20
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14380582 SE4520B-940U-E0NM-LN-PS E0 防錆黒色被膜処理 SE45 940 M(フォトマイクロセンサ) B(ロングブロック2個付) 標準グリース なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 20
437,000
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14380607 SE4520B-940U-E0NM-LS-PS E0 防錆黒色被膜処理 SE45 940 M(フォトマイクロセンサ) B(ロングブロック2個付) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 20
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14380625 SE4520B-940U-E0NY-NN-PS E0 標準仕様(黒染め) SE45 940 Y(フォトマイクロセンサ) B(ロングブロック2個付) 標準グリース なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 20
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14380668 SE4520B-940U-E0NY-LN-PS E0 防錆黒色被膜処理 SE45 940 Y(フォトマイクロセンサ) B(ロングブロック2個付) 標準グリース なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 20
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14380704 SE4520B-940U-E0NC-NN-PS E0 標準仕様(黒染め) SE45 940 C(フォトマイクロセンサ) B(ロングブロック2個付) 標準グリース なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 20
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14380722 SE4520B-940U-E0NC-NS-PS E0 標準仕様(黒染め) SE45 940 C(フォトマイクロセンサ) B(ロングブロック2個付) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 20
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14380747 SE4520B-940U-E0NC-LN-PS E0 防錆黒色被膜処理 SE45 940 C(フォトマイクロセンサ) B(ロングブロック2個付) 標準グリース なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 20
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14380765 SE4520B-940U-E0NC-LS-PS E0 防錆黒色被膜処理 SE45 940 C(フォトマイクロセンサ) B(ロングブロック2個付) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 20
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403,000
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14380808 SE4520B-940U-E0NP-NS-PS E0 標準仕様(黒染め) SE45 940 P(フォトマイクロセンサ) B(ロングブロック2個付) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 20
404,500
319,800
351,780 (税込)
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14380826 SE4520B-940U-E0NP-LN-PS E0 防錆黒色被膜処理 SE45 940 P(フォトマイクロセンサ) B(ロングブロック2個付) 標準グリース なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 20
437,000
349,800
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14380844 SE4520B-940U-E0NP-LS-PS E0 防錆黒色被膜処理 SE45 940 P(フォトマイクロセンサ) B(ロングブロック2個付) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし U(繰返し位置決め精度:±5μm) 20
438,500
349,800
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15630378 SE4520B-340W-E0NN-NN-PS E0 標準仕様(黒染め) SE45 340 なし B(ロングブロック2個付) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 20
232,300
179,800
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15630396 SE4520B-340W-E0NN-NS-PS E0 標準仕様(黒染め) SE45 340 なし B(ロングブロック2個付) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 20
233,800
189,800
208,780 (税込)
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15630414 SE4520B-340W-E0NN-LN-PS E0 防錆黒色被膜処理 SE45 340 なし B(ロングブロック2個付) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 20
252,300
199,800
219,780 (税込)
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15630432 SE4520B-340W-E0NN-LS-PS E0 防錆黒色被膜処理 SE45 340 なし B(ロングブロック2個付) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 20
253,800
199,800
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15630457 SE4520B-340W-E0NM-NN-PS E0 標準仕様(黒染め) SE45 340 M(フォトマイクロセンサ) B(ロングブロック2個付) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 20
244,300
189,800
208,780 (税込)
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15630475 SE4520B-340W-E0NM-NS-PS E0 標準仕様(黒染め) SE45 340 M(フォトマイクロセンサ) B(ロングブロック2個付) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 20
245,800
189,800
208,780 (税込)
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15630493 SE4520B-340W-E0NM-LN-PS E0 防錆黒色被膜処理 SE45 340 M(フォトマイクロセンサ) B(ロングブロック2個付) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 20
264,300
199,800
219,780 (税込)
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15630518 SE4520B-340W-E0NM-LS-PS E0 防錆黒色被膜処理 SE45 340 M(フォトマイクロセンサ) B(ロングブロック2個付) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 20
265,800
209,800
230,780 (税込)
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15630536 SE4520B-340W-E0NY-NN-PS E0 標準仕様(黒染め) SE45 340 Y(フォトマイクロセンサ) B(ロングブロック2個付) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 20
244,300
189,800
208,780 (税込)
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15630554 SE4520B-340W-E0NY-NS-PS E0 標準仕様(黒染め) SE45 340 Y(フォトマイクロセンサ) B(ロングブロック2個付) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 20
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