仕様チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 350 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2Ω
最大ゲートしきい値電圧 = 2.1V
最低ゲートしきい値電圧 = 1.1V
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
パッケージタイプ = SOT-23
実装タイプ = 表面実装
トランジスタ構成 = シングル
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大パワー消費 = 440 mW
1チップ当たりのエレメント数 = 1
NチャンネルMOSFET、60 → 80 V、Nexperia