Renesas Electronics Nチャンネル パワーMOSFET， 55 V， 82 A， 3 ピン パッケージD2PAK (TO-263)
仕様
チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 82 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 mΩ
最大ゲートしきい値電圧 = 4V
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
パッケージタイプ = D2PAK (TO-263)
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = パワーMOSFET
最大パワー消費 = 1.8 W
標準入力キャパシタンス @ Vds = 6400 pF @ 25 V
Nチャンネル低電圧MOSFET、最大140V、ルネサスエレクトロニクス
RoHS指令(10物質対応)対応
内容量1袋(5個)
最大連続ドレイン電流 = 82 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 mΩ
最大ゲートしきい値電圧 = 4V
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
パッケージタイプ = D2PAK (TO-263)
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = パワーMOSFET
最大パワー消費 = 1.8 W
標準入力キャパシタンス @ Vds = 6400 pF @ 25 V
Nチャンネル低電圧MOSFET、最大140V、ルネサスエレクトロニクス
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商品レビュー
よくあるご質問(FAQ)
- 質問：
- 製品の安全データシート（SDS）や有害物質使用制限に関するデータ（RoHS）等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
- 回答：
- お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。
https://help.monotaro.com/app/ask
書類名）
1：SDS(MSDS)
2：RoHS(2)
3：非該当証明書
4：ChemSHERPA
5：その他（ミルシート・出荷証明書）
2022-03-31
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