仕様チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 250 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16Ω
最大ゲートしきい値電圧 = 4.5V
最低ゲートしきい値電圧 = 3V
最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
パッケージタイプ = SOT-223
実装タイプ = 表面実装
トランジスタ構成 = シングル
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = パワーMOSFET
最大パワー消費 = 2500 mW
標準ターンオフ遅延時間 = 22 ns
NチャンネルMDmeshΩ SuperMESHΩ、700 → 1200 V、STMicroelectronics