仕様チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 12 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 45 mΩ
最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
パッケージタイプ = DPAK (TO-252)
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = パワーMOSFET
最大パワー消費 = 40 W
長さ = 6.6mm
PチャンネルSTripFETΩパワーMOSFET、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。