仕様チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 330 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.6 Ω
最大ゲートしきい値電圧 = 1V
最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 V
パッケージタイプ = SSM
実装タイプ = 表面実装
トランジスタ構成 = シングル
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大パワー消費 = 150 mW
長さ = 1.6mm
MOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応内容量1袋(10個)