仕様チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 85 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10.5 mΩ
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
パッケージタイプ = TO-220AB
実装タイプ = スルーホール
トランジスタ構成 = シングル
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = パワーMOSFET
最大パワー消費 = 250 W
寸法 = 10.41 x 4.7 x 9.01mm
NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor