Vishay MOSFET， 40 V， 8 A， 8 ピン パッケージSOIC
仕様
チャンネルタイプ = N， P
最大連続ドレイン電流 = 8 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 27 mΩ， 34 mΩ
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
パッケージタイプ = SOIC
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 8
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大パワー消費 = 3.2 W
標準ターンオン遅延時間 = 11 ns， 42 ns
デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
最大連続ドレイン電流 = 8 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 27 mΩ， 34 mΩ
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
パッケージタイプ = SOIC
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 8
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大パワー消費 = 3.2 W
標準ターンオン遅延時間 = 11 ns， 42 ns
デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応内容量1袋(10個)
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商品レビュー
よくあるご質問(FAQ)
- 質問：
- 製品の安全データシート（SDS）や有害物質使用制限に関するデータ（RoHS）等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
- 回答：
- お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。
https://help.monotaro.com/app/ask
書類名）
1：SDS(MSDS)
2：RoHS(2)
3：非該当証明書
4：ChemSHERPA
5：その他（ミルシート・出荷証明書）
2022-03-30
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