仕様チャンネルタイプ = N, P
最大連続ドレイン電流 = 400 mA, 700 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.48 Ω, 578 mΩ
最低ゲートしきい値電圧 = 0.6V
最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V, +12 V
パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)
実装タイプ = 表面実装
トランジスタ構成 = 絶縁型
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = パワーMOSFET
最大パワー消費 = 340 mW
標準入力キャパシタンス @ Vds = 38 pF @ 10 V、43 pF @ -10 V
デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor