Vishay ショットキーバリアダイオード， コモンカソード， 60A， 100V， 3-Pin TO-220AB
仕様
ダイオード構成 = コモンカソード
1チップ当たりのエレメント数 = 2
ピーク逆繰返し電圧 = 100V
実装タイプ = スルーホール
パッケージタイプ = TO-220AB
ダイオードタイプ = ショットキー
ピン数 = 3
最大順方向降下電圧 = 790mV
長さ = 10.54mm
幅 = 4.7mm
高さ = 15.32mm
ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 320A
TMBS - Trench MOSバリアショットキー整流器、30 → 80 A、Vishay Semiconductor. Vishay製のTrench MOSバリアショットキー(TMBS(R))整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。 TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。 動作電圧が45 Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。 特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。. 特許取得済みのトレンチ構造 AC / DCスイッチモード電源とDC / DCコンバータの効率性が向上 高電力密度と低順方向電圧を実現. 特長
RoHS指令(10物質対応)対応
内容量1袋(5個)
1チップ当たりのエレメント数 = 2
ピーク逆繰返し電圧 = 100V
実装タイプ = スルーホール
パッケージタイプ = TO-220AB
ダイオードタイプ = ショットキー
ピン数 = 3
最大順方向降下電圧 = 790mV
長さ = 10.54mm
幅 = 4.7mm
高さ = 15.32mm
ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 320A
TMBS - Trench MOSバリアショットキー整流器、30 → 80 A、Vishay Semiconductor. Vishay製のTrench MOSバリアショットキー(TMBS(R))整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。 TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。 動作電圧が45 Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。 特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。. 特許取得済みのトレンチ構造 AC / DCスイッチモード電源とDC / DCコンバータの効率性が向上 高電力密度と低順方向電圧を実現. 特長
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商品レビュー
よくあるご質問(FAQ)
- 質問：
- 製品の安全データシート（SDS）や有害物質使用制限に関するデータ（RoHS）等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
- 回答：
- お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。
https://help.monotaro.com/app/ask
書類名）
1：SDS(MSDS)
2：RoHS(2)
3：非該当証明書
4：ChemSHERPA
5：その他（ミルシート・出荷証明書）
2022-03-31
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