仕様チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 250 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.5Ω
最大ゲートしきい値電圧 = 2V
最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V, +12 V
パッケージタイプ = TSMT
実装タイプ = 表面実装
トランジスタ構成 = シングル
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = パワーMOSFET
最大パワー消費 = 200 mW
長さ = 2.9mm
PチャンネルMOSFETトランジスタ、ROHM
RoHS指令(10物質対応)対応内容量1袋(10個)