Toshiba NPN 抵抗内蔵トランジスタ
仕様抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、VESM、東芝
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
内蔵抵抗器(ベースエミッタ)10kΩ
RoHS指令(10物質対応)対応
入力抵抗1KΩ
パッケージVESM
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)50
最大エミッタ-ベース間電圧(V)5
抵抗比0.1
最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧(V)0.3
トランジスタ構成シングル
最大連続コレクタ電流(mA)100
トランジスタタイプNPN
最小DC電流ゲイン50
内容量1袋(50個)
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よくあるご質問(FAQ)
- 質問:
- 製品の安全データシート(SDS)や有害物質使用制限に関するデータ(RoHS)等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
- 回答:
- お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
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書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
5:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-31