Toshiba NPN 抵抗内蔵トランジスタ
仕様抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、VESM、東芝ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150内蔵抵抗器(ベースエミッタ)10kΩRoHS指令(10物質対応)対応入力抵抗1KΩパッケージVESM1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)50最大エミッタ-ベース間電圧(V)5抵抗比0.1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧(V)0.3トランジスタ構成シングル最大連続コレクタ電流(mA)100トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン50内容量1袋(50個)
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よくあるご質問(FAQ)
- 質問：
- 製品の安全データシート（SDS）や有害物質使用制限に関するデータ（RoHS）等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
- 回答：
- お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。
https://help.monotaro.com/app/ask
書類名）
1：SDS(MSDS)
2：RoHS(2)
3：非該当証明書
4：ChemSHERPA
5：その他（ミルシート・出荷証明書）
2022-03-31
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