TE Connectivity 1612618DRAM タイプ:ダブルデータレート( DDR )、コネクタシステム:ケーブル対基板、プロファイル:超高、行対列間隔:6.2 mm、シール可能:いいえ、センターキー:なし、モジュールの向き:ライトアングル、極数:200、行数:2、キーイング:標準、DRAM 電圧:2.5 V、SGRAM 電圧:2.5 V、イジェクタタイプ:ロック、コンタクト部品、最大コンタクト材質:金フラッシュコンタクト材質(銅製) ソケットタイプ:メモリカード、挿入スタイル:カムイン、基板実装保持タイプ:はんだペグ、基板取り付けスタイル:表面実装、コネクタ取り付けタイプ:基板実装、センターライン(ピッチ):0.6 mm、ハウジング色:黒、スタック高さ:9.2 mm、動作温度範囲:-55 → 85 ℃、回路用途:電源、UL 難燃性等級:UL94V-0、パッケージ方法:半硬質トレイ 20、数量 コメント:20 ソケット PN 1279284-1 付きセミハードトレイ


