onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 50 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：50 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：125 nC @ 20 V
シリーズMegaFET
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性MegaFET MOSFET、Fairchild Semiconductor. LSI集積回路に近づく特性サイズを採用したMegaFETプロセスでは、シリコンの利用率を最適化しているので、優れた性能を発揮します。
パッケージTO-220AB
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)131
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)22
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
内容量1個
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