onsemi 抵抗内蔵トランジスタ， スルーホール， FDA38N30
仕様
UniFETTM MOSFET は、プレーナストライプと DMOS テクノロジーをベースにした高電圧 MOSFET ファミリです。この MOSFET は、オン状態の抵抗を低減し、スイッチング性能及びアバランシェエネルギー強度を高めるように調整されています。このデバイスファミリは、力率補正( PFC )、フラットパネルディスプレイ( FPD ) TV 電源、 ATX 、電子ランプバラストなどのスイッチング電源コンバータ用途に適しています。RDS ( ON )
19 A 低ゲート電荷量(標準) 60 n
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
パッケージTO-3P
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大パワー消費(W)312
最大動作温度(℃)150
内容量1箱(5個)
19 A 低ゲート電荷量(標準) 60 n
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