onsemi ツェナーダイオード 5.6V 表面実装 200 mW

onsemi ツェナーダイオード 5.6V 表面実装 200 mW onsemi

標準ツェナー電圧 = 5.6V
1チップ当たりのエレメント数 = 1
最大パワー消費 = 200 mW
パッケージタイプ = SOD-323F
ツェナー電圧許容性 = 2%
ピン数 = 2
テスト電流 = 5mA
最大ツェナーインピーダンス = 37Ω
最大逆漏れ電流 = 900nA
寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm
動作温度 Max = +150 ℃
ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F

RoHS指令(10物質対応)対応 内容量1袋(200個)
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81451337 MM3Z5V6B
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